CN119404146A 流体配发系统和方法 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.18PCT/EP2023/0686782023.07.06WO2024/032987EN2024.02.15制流体的压力和流体可渗透表面的暴露表面积中的一者或两者来控制流体渗透进入体积的速24.根据任一前述权利要求所述的流体配发系统，其中所述流体可渗透表面包括塑料、5.根据任一前述权利要求所述的流体配发系统，其中所述系统被配置为加压在从约7.根据任一前述权利要求所述的流体配发系8.根据任一前述权利要求所述的流体配发系统，供流体:从约1x10_3mbar*1/s到约1x10_7mbar*1/s，优选地从约1x10_4mbar*1/s到约1x9.根据任一前述权利要求所述的流体配发系统流体的压力的泵和/或被配置为控制所述流体的动机构被配置为使所述流体可渗透表面相对于流体要被配发到的体积移动和/或使不可渗c)控制所述流体的压力和所述流体可渗透表面的暴露表面积中的一者或两者以控制所述流体通过所述流体可渗透表面渗透进入13.根据权利要求11或12中的任一项所述的方法，其中提供与所述流体可渗透膜接触14.一种等离子体产生装置，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的流体配发系34[0002]本申请要求于2022年8月11日提交的EP申请22[0005]由光刻装置用来将图案投射到衬底上的辐射的波长确定可以在该衬底上形成的例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征，该EUV辐射是具有在范围4nm_20nm内的波[0010]提供诸如气体和蒸汽的流体对于控制体积内(诸如光刻装置内)的大气的组成是5[0011]本公开的系统通过基于流体通过流体可渗透表面的渗透控制所提供的流体的量6[0018]该系统可以被配置为用以下流量提供流体：从约1×10_3mbar*l/s到约1×10_[0019]该系统可以包括被配置为控制流体的压力的泵和/或被配置为控制流体的压力的被配发到的体积移动和/或使不可渗透防护物在流体可渗透表面的至少一部分之上移动，压力和流体可渗透表面的暴露表面积中的一者或两者以控制流体通过流体可渗透表面渗[0022]通过提供与流体可渗透表面接触的流体并且然后调整流体的压力和/或流体可以[0023]该方法可以包括通过改变以下中的一者或两者来控制流体可渗透表面的暴露表7[0034]本发明的特征和优点将从以下在结合附图进行时阐述的详细描述中变得更加明极紫外(EUV)辐射束B。光刻装置LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案化设备MA(例如掩辐射束B入射到图案化设备MA上之前调节辐射束B。投射系统被配置为将(现在由掩模MA图8光器可以例如是CO2激光器。尽管在下面的描述中提到了锡，但是可以使用任何合适的燃离子体形成区处入射到锡上。将激光能量沉积到锡中在等离子体形成区处创建等离子体。[0038]EUV辐射由近正入射辐射收集器(有时更一般地称为正入射辐射收集器)收集和聚出)从激光器传递到辐射源SO，束递送系统包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器和/或的图像，其用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦在该处的点可以被称为中间焦射系统IL传递并入射到由支撑结构MT保持的图案化设备MA上。图案化设备MA反射辐射束B并使辐射束B图案化。照射系统IL可以包括除了分面场反射镜设备10和分面光瞳反射镜设备11之外或代替分面场反射镜设备10和分面光瞳反射镜设备11的的特征的图像。例如可以应用4的缩减因子。尽管在图1中投射系统PS具有两个反射镜13、可以用于清洁装置内的某些元件和/或减轻[0045]图2是应用于示例性体积的根据本发明的流体配发系统15的示意性描绘，该示例16连接到控制器18。控制器18可以调整管道16与体积17流体连通的程度和/或可以控制管9而控制体积17内的管道16的有效长度(即，能够将流体从其提供到体积17的管道16的长[0046]图3描绘了其中流体可渗透表面20设置在体积17的壁中的一个实施例。控制器18通过变化流体可渗透表面20的暴露表面积和/或压力来实现。为了变化流体可渗透表面20