CN119406843A 半导体工艺设备、半导体工艺设备的清洗方法及相关装置 （北京北方华创微电子装备有限公司）

本说明书实施例提供了一种半导体工艺设二吹扫气体；第一吹扫气体与第二吹扫气体不的流量大于充气组件单位时间内向工艺腔室内2所述循环吹扫装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连通的所述腔室通风装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连通的所述进气组件单位时间内向工艺腔室内通入气体的流量大于所述充气组件单位时间所述进气阀门和所述排气阀门分别设置于所述腔室本体所述排风管的一端连接所述排气阀门，另一端连接第一抽气元件，所3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔室本体为一立方体结设置于所述排风管中的目标气体传感器，所述目标气体传感器的设置于所述进气阀门和所述腔室本体之间的单向阀，所述单向阀所述第一压力传感器用于检测所述腔室本体内部的所述大气开关用于在所述腔室本体内部的腔室压力大于或等于目标所述充气阀门和所述抽气阀门分别设置于所述工艺腔室侧壁的不同位置所述第二抽气元件连接于所述抽气阀门相对于腔室本体的8.一种半导体工艺设备的清洗方法，其特征在于3利用循环吹扫装装置执行第一清洁工艺，以在所述第一清洁工艺执行完毕后，利用腔室通风装置的进气组件关闭所述腔室本体的其他阀门，打开所述充气阀门，以利用惰性在所述第一清洁工艺执行完毕后，利用腔室通风装置的进气组件获取所述目标气体浓度的检测值，所述检测值用于表征所述腔在所述检测值小于所述第二阈值，和/或所述腔室排风过程持续时长超过预定时间阈述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求8～12任程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求8～12任一项所述的半导体工艺设备4需要将工艺腔室内残余的工艺气体清洗干净后方可进[0007]所述循环吹扫装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连[0008]所述腔室通风装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连[0012]所述进气组件单位时间内向工艺腔室内通入气体的流量大于所述充气组件单位5机程序时实现上述的半导体工艺设备的清洗方法[0019]从上述技术方案可以看出，本说明书实施例提供的半导体工艺设备包括工艺腔[0023]图3为本说明书实施方式提供的一种半导体工艺设备左侧面和前面的结构示意[0027]图7为本说明书实施方式提供的另一种半导体工艺设备的清洗方法的流程示意6[0031]图11为本说明书实施方式提供的不同清洗方法的示踪气体浓度随时间变化曲线述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。[0036]下面将结合本说明书实施例中的附图，对本说明书实施例中的技术方案进行清[0041](2)当腔室内气压达到一定水平时，关闭充气阀门、分子泵隔离阀和分子泵清洗[0043](4)当第二抽气元件10入口管路压力达到分子泵的容忍范围，打开分子泵隔离阀7气阀门，以将腔室本体与第一气体环境导通，利用[0048]基于上述构思，本说明书实施方式提供了一种半导体工[0051]所述循环吹扫装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连[0052]所述腔室通风装置包括设置于工艺腔室侧壁不同位置并与工艺腔室内部空间连[0056]所述进气组件单位时间内向工艺腔室内通入气体的流量大于所述充气组件单位[0057]在对工艺腔室清洁过程中，可以利用循环吹扫装置对工体内部的目标气体浓度迅速降低至安全值以下，在保障作业人员的健康与安全的情况下，8[0062]所述充气阀门1和所述抽气阀门分别设置于所述工艺腔室侧壁的不同位置，并与[0064]在循环吹扫过程中，第一进气口7所连接的惰性气体源提供的惰性气体的压力范围可以为30～40Psi(PoundsperSquareInch，磅每平方英寸)[0067]所述排气阀门101用于在所述腔室本体11内部的目标气体浓度低于第一阈值，且9[0072]设置于所述进气阀门100和所述腔室本体11之间的单向阀，所述单向阀的导通方艺腔室内通入气体的流量为所述充气组件单位时间内向工艺腔室内通入的气体流量的阀3，旁抽阀可以与抽气管路15入口连接，抽气管路15的出口与灰区的第二抽气元件10连压力传感器B用于监控分子泵的出口压力的或者第二抽气元件的入口压力，为了在清洗过气压(即所述大气开关12用于在所述腔室本体内部的腔室压力大于或等于所述目标压力[0084]排风管102外径可以在38mm左右，较大的口径有利于通入较大流量的所述第二吹工艺腔室通入第二吹扫气体，以利用所述第二吹扫气体对所述腔室本体进行第二清洁工力(760torr)，此时不能直接打开进[0134]为了对本说明书实施方式提供的半导体工艺设备及其清本说明书的一个实施方式通过对比实验的方式验证了利用该半导体工艺设备进行清洗的[0138]式中C(τ)表示τ时刻反应腔内示踪气体的浓度(单位mg/m3)；N为工艺腔室的换气根据上述任一实施方式所述的半导体工艺设备的清洗方法对所述半导体工艺设备进行清[0149]关于腔室清洗装置的具体限定可以参见上文中关于半导体工艺设备的清洗方法述处理器执行所述计算机程序时执行本说明书上述实施例中描述的根据本说明书各种实理器执行时以本说明书上述实施例中描述的根据本说明书各种实施例的半导体工艺设备控制本发明方案程序执行的集成电路。还可以是数字信号处理器(DSP)、专用集成电路[0158]通信接口可包括使用任何收发器一类的装置，以便与其[0164]所述计算机程序产品可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM