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文档简介

道夏南二上元西工业区星中创业产业本发明公开了一种可减小残余应力的激光领域,其中可减小残余应力的激光熔覆系统包冲击区域为当前时刻冲击激光在工件上照射的熔覆系统能解决现有的进行激光熔覆处理的工2线为冲击处理后对应残余应力达标的最小冲击激光功率关于标距离为熔覆区域与温度为预设温度范围的中值的区3在工件上投射形成的光斑的尺寸大于所述熔覆激光在工件上投射形S2.在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,基于温度功率曲线根据冲击区域的温A1.在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,根据冲击区域的温度、熔覆区域的温10.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器4[0001]本发明属于激光熔覆技术领域,特别涉及一种可减小残余应力的激光熔覆系统、[0006]本申请的可减小残余应力的激光熔覆系统能对熔覆处理后的工件表面的区域进5控制器还用于在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,根据冲击区域的温度、[0009]进一步地,根据目标距离控制第二运动机构驱动冲击激光源水平运动的过程包控制第二运动机构驱动冲击激光源加速运动直至冲击区域与熔覆区域之间的距控制第二运动机构驱动冲击激光源减速运动直至冲击区域与熔覆区域之间的距[0010]在该实施方式中,本申请的可减小残余应力的激光熔覆机构驱动冲击激光源减速运动直至冲击区域与熔覆区域之间的距离与目标距离相同的过S1.控制第一运动机构驱动熔覆激光投射组件和冲击激光投射组件同时运动,以使熔覆激光投射组件发射的熔覆激光和冲击激光投射组件发射的冲击激光先后对工件进S2.在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,基于温度功率曲线根据冲击区域6[0015]本申请的可减小残余应力的激光熔覆方法能对熔覆处理后的工件表面的区域进7此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因控制器3还用于在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,基于温度功率曲线根激光投射组件12可以包括超快激光器或其他现有的能产生冲击激内的冲击区域进行冲击处理后工件内部的残8击区域温度对于工件内部残余应力的影响,工件表面不存在未进行适当冲击处理的区域,[0035]本申请的可减小残余应力的激光熔覆系统能对熔覆处理后的工件表面的区域进以安装在冲击激光源122上以安装在第二运9冲击区域与熔覆区域之间的距离,可以根据第二运动机构121远离熔覆激光投射组件11的[0043]在一些优选的实施方式中,根据目标距离控制第二运动机构121驱动冲击激光源控制第二运动机构121驱动冲击激光源122加速运动直至冲击区域与熔覆区域之控制第二运动机构121驱动冲击激光源122减速运动直至冲击区域与熔覆区域之[0044]在该实施方式中,本申请的可减小残余应力的激光熔覆至冲击区域与熔覆区域之间的距离与目标距离的差值减小一半的过程中的冲击激光源122之间的距离与目标距离相同的过程中的冲击激光源122的加速度大小相同[0046]在该实施方式中,本申请的可减小残余应力的激光熔覆系统使第二运动机构121在加速过程中和减速过程中的加速度大小相同且方向相反,能使第二运动机构121的加速冲击激光在工件上投射形成的光斑的长边边长和短边边长分别大于熔覆激光在工件上投S1.控制第一运动机构1驱动熔覆激光投射组件11和冲击激光投射组件12同时运S2.在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,基于温度功率曲线根据冲击区域[0053]本申请提供的可减小残余应力的激光熔覆方法能对熔覆处理后的工件表面的区第一运动机构1驱动熔覆激光投射组件11和冲击激光投射组件12同时运动,以使熔覆激光投射组件11发射的熔覆激光和冲击激光投射组件12发射的冲击激光先后对工件进行熔覆残余应力达标的最小冲击激光功率关于温度第一运动机构1驱动熔覆激光投射组件11和冲击激光投射组件12同时运动,以使熔覆激光投射组件11发射的熔覆激光和冲击激光投射组件12发射的冲击激光先后对工件进行熔覆处理和冲击处理;在冲击区域的温度不在预设温度范围内时,基于温度功率曲线根据冲击区域的温度控制冲击激光投射组件12调整冲击激光功率,温度功率曲线为冲击处理后对应残余应力达标的最小冲击激光功率关于温度的关系曲线。其中,计算机可读存储介质由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,简称SRAM电可擦除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead_OnlyMemory,简称EEPROM可擦除可编程只读存储器(ErasableProgrammableReadOnlyMemory,简称EPROM可编程只读存储器(ProgrammableRed_磁盘或光盘。中本申请提供的可减小残余应力的激光熔覆系统能对熔覆处理后的工件表面的区域

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