江丰电子靶材龙头根基深厚零部件平台再拓新局

公司深度研究报告/公司深度研究报告/超高纯金属靶龙头半导体零部件拓新局 5超高纯溅射靶材起，半导体零部件拓长极 5公司股权架构稳定股权激励赋能业绩长 5营收利润双增，盈能力改善 7多元产品布局，技打破垄断 8靶材业务：市空间续扩容，技术筑基破断 9集成电路关键耗材品类多元适配先进程 9靶材筑基晶圆制造品类向高纯大尺寸进 9靶材品类丰富多元各系靶材适配各制节点 靶材市场空间广阔国产替代加速推进 14下游应用多元驱动靶材需求持续扩容 14先进制程消耗倍增认证壁垒制约供给 16技术积淀深厚，全业链优势凸显 16靶材制备技术完备先进制程批量导入 16产业链纵向贯通，料自主可控 17产能扩张匹配需求海外建厂深化绑定 17半导体精密零件业：晶圆扩产需求高，壁垒品类加速破局 18零部件品类繁多，技术门槛筑壁垒 18晶圆厂扩产驱动需，国产替代空间广阔 20技术迁移多品类布，核心零部件加速量 23控股凯德石英，卡半导体石英件 28盈利预测与估值 30收入和毛利率预测 30费用率与所得税率测 31可比公司估值 31风险提示 32图表目录图1:公司发展历程 5图2:公司股权结构至2026年一季报） 6图3:公司营收维持健长 7公司深度研究报告/图4:公司归母净利整快速增长 公司深度研究报告/图5:2021-2025年公司业务收入结构 8图6:2022-2025年公司业务毛利率 8图7:公司综合毛利和利率稳健 8图8:公司费用控制当 8图9:半导体芯片上微晶体管溅射前) 10图10:微型晶体管之间成的金属导线溅射后) 10图磁控溅射工作原示意图 10图12:金属溅射靶材产链结构图 图13:芯片底部金属化（UBM）结构示意图 12图14:铝靶 12图15:铜靶及铜合金靶 13图16:钛靶及钛环 13图17:钽靶及钽环 14图18:钨靶 14图19:全球5G物联网（IoT）市场规模（十亿美） 15图20:全球及中国5G基站部署量（万站） 15图21:全球人工智能(AI)市场规模十亿美元) 15图22:全球及中国大陆圆月度产能万片) 15图23:2025-2032年全球高纯贵金属溅射靶材场模及预测（亿美元） 16图24:2023年全球靶材场企业份额图 16图25:公司具备可迁移材技术 16图26:半导体设备及零件产业链结构 19图27:2019-2026年全球半导体设备市场规模预（单位：亿美元） 21图28:2019-2024年中国大陆半导体设备市场模占比 21图29:2020-2029年国内半导体设备零部件市规及预测（单位：亿） 21图31:静电吸盘结构 24图32:2024年及2030年全球半导体用静电吸市规模及预测（单位亿） 25图33:全球静电吸盘市份额地区分布 25图34:气体分配盘图示 26图35:气体分配盘在CVD腔体中的位置 26图36:硅电极图示 27图37:硅电极在刻蚀机的应用 27公司深度研究报告/图38:陶瓷加热盘图示 公司深度研究报告/图39:陶瓷加热盘结构 27图40:凯德石英国内合伙伴 29图41:石英制品各应用域的市场规模占比 29图42:中国晶圆厂石英部件采购额按供应商类拆分) 30图43:2021年全球石英品市场竞争格局 30表1:公司高管背景 6表2:公司已进行两股激励计划 7表3:公司产品矩阵富 9表4:金属溅射靶材不领域的应用 10表5:溅射靶材在集电领域的应用实例 12表6:高纯金属原材主供应商情况 17表7:公司高纯金属材供应体系 17表8:公司募资前后能况 18表9:半导体精密零件类 19表10:近期我国主要晶厂建设与扩建项目 20表各类半导体零部功能及国产化情况 22表12:公司半导体精密部件产品量产进度客验证情况 23表13:公司具备可迁移心技术 24表14:国内同行业公司有及在建静电吸盘能截至2025年12月） 26表15:国内同行业公司有及在建陶瓷加热产能 28表16:凯德石英核心半体石英制品矩阵 28表17:业务拆分预测 31表18:费用率及所得税预测 31表19:可比公司与估值截至2026.08.13） 32公司深度研究报告公司深度研究报告/超高纯金属靶材龙头，半导体零部件拓新局超高纯溅射靶材起家，半导体零部件拓成长新极色工艺全场景，已构建起业内完备的溅射靶材整体解决方案体系。公司始创于2005863”2021图1:公司发展历程公司官网公司股权架构稳定，股权激励赋能业绩增长公司股权结构稳定。直接持有公司21.39%股权，同时通过江阁实业投资和宏德实业投资总共控股25.55%（2.31%）份有限公司-国泰中证半导体材料设备主题交易型开放式指数证券投资基金（1.82%）、香港中央结算有限公司（1.52%）等。图2:公司股权结构（截至2026年一季报）iFinD表1:公司高管背景

50020255月姓名 职位 个人履历姓名 职位 个人履历回国创立江丰电子，2009年入选国家“千人计划”，是享受“国务院特殊回国创立江丰电子，2009年入选国家“千人计划”，是享受“国务院特殊津贴”的专家，2025年卸任江丰电子董事长职务。边逸军董事长中国国籍，无境外永久居留权，博士研究生学历，材料科学与工程博士，高级工程师。兼任武汉芯丰精密科技有限公司执行董事、宁波江丰同芯半导体材料有限公司董事长。姚舜董事，研发工程师中国国籍，拥有中国香港和日本国长期居留权，硕士研究生学历钱红兵董事、副总经理中国国籍，无境外永久居留权，硕士研究生学历，高级工程师

中国国籍，拥有日本国永久居留权，获哈尔滨工业大学、日本广岛大学双博士学位，教授级高级工程师。姚力军先生曾在霍尼韦尔任高管，2005年公司深度研究报告公司深度研究报告/于泳群 董事、财务总监 中国国籍，无境外永久居留权，本科学历，高级会计师、中国注册会计师协会非执业会员公司公告20192022A200人、308第一期股权激励计划为股票期权形式12202120221224362023公司深度研究报告/20242025公司深度研究报告/表2:公司已进行两次股权激励计划第一期股权激励计划第二期股权激励计划时间2019年2022年覆盖人数200人（董事、高管及核心技术/业务人员）308人（仅核心技术/业务人员）授予数量1464.00万份股票期权310.6万股限制性股票公司层面业绩考以2016-2018年营业收入均值为基数：2019年营收增长率≥28%以2021年营业收入为基数：2022年营收增长率≥15%核目标2020年营收增长率≥38%2021年营收增长率≥48%2023年营收增长率≥30%2024年营收增长率≥45%公司公告营收利润双增，盈利能力改善20202020-202546.045G202613.0630%2.1033%20208151.452023图3:公司营收维持稳健长 图4:公司归母净利润整快增长iFinD iFinD60%-70%202528.5022%202510.8422%2021202524%从产品毛利率看，超高纯溅射靶材毛利率稳定，整体维持在30%上下。虽因2023202430%公司深度研究报告/图5:2021-2025年公司分业务入结构 图6:2022-2025年公司分业务公司深度研究报告/iFinD iFinD2020202526%到30%202633%20200.7420252.62图7:公司综合毛利率和利稳健 图8:公司费用控制得当iFinD iFinD多元产品布局，技术打破垄断4N6N功填补了国内该领域的技术空白。半导体精密零部件业务方面，公司产品覆盖PVD、SK产品分类 产品类型 具体产品 应用领域表3:公司产品矩阵丰富产品分类 产品类型 具体产品 应用领域

超高纯铝及铝合金靶材

Al、Al30ppmSi、Al0.5Si、Al0.75Si、Al0.8Si、Al1Si、Al0.5Cu、AlSiCu等（4N-5N5）

超大规模集成电路芯片（需5N5+纯度）、平板显示器（需4N5/5N+纯度）超大规模集成电路芯片130-半导体用超高纯金属溅射靶

超高纯钛靶材及钛环 4N5钛、5N钛、低氧钛等4N铜、4N5铜、5N铜、6N

5nm工艺（阻挡层薄膜材料）超大规模集成电路芯片90-材 超高纯铜、铜合金靶材及环、铜阳极环特殊金属及合金靶材

材、纯铜以及CuP阳极材料、纯铜的环件3N55N的各种纯度钽靶格的钽靶材和钽环铬及铬合金、钴靶材等

3nm工艺（导电层薄膜材料）、平板显示器超大规模集成电路芯片90-3nm先进制程（阻挡层薄膜材料）超大规模集成电路芯片制造半导体用精密零部件PVD机台零部件ClampRing、Collimator等半导体PVD沉积设备CVD/刻蚀机台零部件Faceplate、气体分配盘等CVD沉积、刻蚀设备化学机械研磨机台零部件金刚石研磨片、RetainingRing等半导体化学机械研磨设备公司深度研究报告/公司深度研究报告/靶材业务：市场空间持续扩容，技术筑基打破垄断集成电路关键耗材，品类多元适配先进制程(CVD)PVD图9:半导体芯片上的微晶管溅射前) 图10:微型晶体管之间形的属导线溅射后)证券研究所

证券研究所

卫刚等——《半导体芯片行业用金属溅射靶材市场分析》，财通图11:磁控溅射工作原理示意图欧莱新材招股说明书最为昂贵。集成电路用贵金属靶材的纯度一般要求在5N(99.999%）表4:金属溅射靶材在不同领域的应用应用领域 市场比例 金属材料 主要用途 性能要求应用领域 市场比例 金属材料 主要用途 性能要求半导体芯片

超高纯度铝、钛、铜、钼 制备集成电等高清晰电视、笔记本

技术要求最高、超高纯度金属（6N，≥99.9999%）、高精度尺寸、高集成度技术要求高、高纯度金属（4N，平面显示器 32% 高纯度铝、铜、钼等

电脑等

≥99.99%）、靶材面积要求大、均匀程度要求高太阳能电池 12% 高纯度铝、铜、钼、等，ITO

薄膜太阳能电池 技术要求高、高纯度金属（4N，≥99.99%）、应用范围广信息存储铬基、钴基合金等光驱、光盘等高储存密度、高传输速度工具改性13%纯金属铬、铬铝合金等工具、模具等表面强化性能要求较高、使用寿命延长电子器件镍铬合金、铬硅合金等薄膜电阻、薄膜电容等电子器件尺寸小、稳定性好、电阻温度系数小公司深度研究报告/公司招股说明书，研精毕智官网公司深度研究报告/公司深度研究报告/上游中游下游公司深度研究报告/图12:金属溅射靶材产业链结构图欧莱新材招股说明书在纯度维度2nm3D6N7N在尺寸维度1218在定制化维度PVD其中，金属互连线作为芯片内部信号与电能传输的核心布线，以铜、铝为主要材料，先进制程以铜互连为核心方案；接触层是硅基晶体管与金属布线间的第一级导电接口，用于引出器件电信号，主要采用钨、钴；粘附层以钛等材料为主，用以提升金属薄膜与绝缘介质的结合强度，防止膜层剥离；阻挡层多选用钽、氮化钽、钛等材料，抑制互连金属向硅衬底及介质扩散，避免器件漏电失效。公司深度研究报告/表5:公司深度研究报告/靶材 应用示例靶材 应用示例铜靶 用作110nm以下技术节点布线材料钽靶 用于12英寸晶圆90nm以下高端芯片阻挡层铝靶 用于布线，但由于电迁徙及电阻率等限制，110nm以下技术节点较少应钛靶 用于8英寸晶圆130、180nm技术节点阻挡层钨靶 用于扩散阻挡层、粘附层、存储器栅极组件钴靶 用于源、漏和栅极与金属电极之间的硅化物接触层的制作侯洁娜等——《溅射靶材在集成电路领域的应用及市场情况》图13:芯片底部金属化层（UBM）结构示意图岱美仪器一）——铝及铝合金是半导体芯片制造中历史最悠久、应用最成熟的互连材料之一，在130nm5N5（99.9995%）5N（99.999%）5N5125G/6G3N5图14:铝靶公司招股说明书公司深度研究报告/二）——公司深度研究报告/90nm5nm（99999）5N（99.999%）（UBM）（TSV）/铜/镍钒、铜/钛、铜/图15:铜靶及铜合金靶公司招股说明书三）——130nm5nm14nm5N（99.999%）图16:钛靶及钛环公司招股说明书四）——90nm3nm5N56N90nm5nm45nm//公司深度研究报告/图17:公司深度研究报告/公司招股说明书五）——20nm3DNAND5N以上，且NaK图18:钨靶公司招股说明书靶材市场空间广阔，国产替代加速推进5GAI、IoT251.10QYResearch20329.56公司深度研究报告/图19:全球5G物联网（IoT）市场规模（十亿美元） 图20:全球及中国5G基站部公司深度研究报告/PrecedenceResearch 图21:全球人工智能市场规模十亿美元) 图22:全球及中国大陆晶月产能万片)PrecedenceResearch Group80%20%203055%图23:2025-2032年全球高纯贵金属溅射靶材市场规模及预测（亿美元）

图24:2023年全球靶材市场企业份额图公司深度研究报告/公司深度研究报告/QYResearch AI3DNAND3-5AIGPUGPU也将迎来大幅增长；而GPU在封装环节中，针对TSVRDL3-5高额研发成本；即便产品研发完成，仍需经过2-3年全方位、严苛的合格供应商认证流程，在产品质量、批量一致性、供货保障能力等多个维度通过下游厂商的长期验证，方可正式进入供应链体系，多重高门槛与长周期因素共同制约了行业供给的快速提升。技术积淀深厚，全产业链优势凸显公司是国内高纯溅射靶材领域的龙头企业，公司自2005年成立之初便承担国家863计划重大专项，是国内最早切入半导体靶材领域、承担国家级科研攻关任务的核心主体，在行业内具备深厚的技术积淀与先发优势。经过多年研发突破，公司具备可迁移的靶材技术，贯穿原材料提纯、微观结构控制、精密加工焊接到最终洁净封装的全链条技术壁垒，为多品类、多制程靶材的规模化量产与先进制程迭代提供了底层支撑。公司生产的超高纯金属溅射靶材已实现批量应用于全球知名半导体芯片制造商7nm、5nm3nm图25:公司具备可迁移靶材技术公司官网公司持续深化产业链垂直整合，积极布局溅射靶材上游的高纯金属原材料提纯环节；高纯金属原材料的纯度与组织控制直接决定靶材及后续成膜性能，该领域因技术壁垒高、前期投入大，具备供应能力的厂商数量有限、行业集中度较高。全球领先靶材企业倾向通过向上游延伸来增强原材料稳定性与技术可控性。全球头部靶材企业普遍通过向上游延伸来保障原材料供应稳定与技术自主可控，以日矿金属为代表的国际龙头已构建起从高纯金属提纯到溅射靶材制造的完整产业链，部分海外高纯金属供应商更是兼顾靶材生产、优先保障自用后才对外供货，这也进一步凸显出公司自建或深度掌控上游高纯材料供应体系的必要性与核心竞争优势。表6:高纯金属原材料主要供应商情况金属类别 国内主流或潜力供应商 国外主流供应商金属类别 国内主流或潜力供应商 国外主流供应商高纯铝 同创普润、新疆众和 海德鲁、住友化学、KMAluminum高纯钽 高纯铝 同创普润、新疆众和 海德鲁、住友化学、KMAluminum高纯钛 宝钛集团、遵义钛业、宁铁钛、宁波创润

东京电解（隶属于日矿金属）、H.C.StarckInc.、GlobalAdvancedMetals、UlbaMetallurgicalPlant、ATI，AlleghenyTechnologies、日本东邦钛株式会社、日本大阪钛科技株式会社霍尼韦尔、日矿金属、三菱伸铜（隶属于三菱材料）、芬

南国玺、金川集团、宁波微泰真空

兰Luvata（隶属于三菱材料）公司深度研究报告/高纯钨 厦门虹鹭钨钼 A.L.M.T.Corp.公司深度研究报告/公司公告，QYResearch，中国有色金属标准质量信息网4%（创润新材）表7:公司高纯金属原材料供应体系企业名称与公司关系核心产品同创普润关联方（姚力军控制）高纯钽、高纯铝、高纯铜及合金宁波创润公司持股4%高纯钛创欣新材料通过丽水江丰投资高纯钽材料的提纯与制备丽水元能电子材料研究院通过丽水江丰投资高纯钽提纯与制备、钽靶坯公司公告SK14.6表8:公司募资前后产能情况

22.856%3.51.23SK海力项目 地点 铝靶（个） 钛靶（个） 钽靶（个） 铜靶（个） 合计项目 地点 铝靶（个） 钛靶（个） 钽靶（个） 铜靶（个） 合计(个）现有产能（20251-6月年化前募项目（5.2万+1.8万）

浙江余姚 69,592 31,674 15,878 29,164 146,308浙江余姚 25,250 15,327 10,783 18,012 69,372公司深度研究报告/韩国项目 韩国龟尾 1,800 1,800 4,200 4,500 12,300公司深度研究报告/100%达产后总产能 96,642 48,801 30,861 51,676 227,980公司公告半导体精密零部件业务：晶圆扩产需求高增，高壁垒品类加速破局零部件品类繁多，高技术门槛筑壁垒半导体精密零部件是支撑全球半导体产业持续迭代与创新的核心基石。半导体设备由数以万计的零部件组成，制程工艺的持续升级，在很大程度上依赖精密零部件的技术突破。半导体零部件的性能、质量和精度直接决定着半导体设备的可靠性和稳定性，进而决定芯片的良率、性能以及生产效率，其重要性贯穿芯片制造全流程。根据应用领域划分，半导体精密零部件主要可分为机械类、电气类、机电一体化类、气液真空系统类、仪器仪表类及光学类零部件，其中机械类精密零部件在半导体设备中的占比达到20%—40%。目前主流半导体设备厂商多采用轻资产运营模式，其核心技术大多需要依托精密零部件来实现物化与落地。正因如此，半导体设备的迭代升级高度依赖精密零部件的技术突破，半导体精密零部件领域不仅是半导体设备制造中技术难度高、附加值突出的关键环节，也是制约国内半导体设备产业发展的主要“卡脖子”环节之一。表9:半导体精密零部件分类分类 占设备成本的比例 零部件具体类别 所应用的主要设备 在设备中发挥的主要作用分类 占设备成本的比例 零部件具体类别 所应用的主要设备 在设备中发挥的主要作用机械类

金属工艺件：反应腔、传输腔、英、陶瓷件、硅部件、静电卡盘、橡胶密封件等

应用于所有设备

构建整体框架、基础结命电气类 10%-20% 射频电源、射频匹配器、远程EFEM

应用于所有设备 控制电力、信号、工艺反应制程实现晶圆装载、传输、运机电一体类

动控制、温度控制的作液系统、温控系统等

台和浸液系统仅用于光刻设备

用，部分产品包含机械类产品气体输送系统类：气柜、气体管气体输送/真空系统类主要应用气体/液体/真空系

10%-30%

路、管路焊接件等；真空系统类：干泵、分子泵、真空阀门

在设备中起到传输和控制特种气体、液体和保持真统类 等；气动液压系统类：阀门、接动液压类主要应用于化学机械

空的作用头、过滤器、液体管路等

抛光设备、清洗设备等湿法设备公司深度研究报告/仪器仪表类 1%-3% 气体流量计、真空压力计等 应用于所有设备 公司深度研究报告/真空度、温度等数值光学类55%等主要应用于光刻设备、量测设在光学设备中起到控制和备等 传输光源的作用其他3%-5%定制装置、耗材等应用于所有设备实现设备运行的作用富精招说书 ：设成的例为类部占套不类备的材成的例。半导体精密零部件是半导体产业链的上游关键环节，作为连接基础原材料与高端半导体设备的核心纽带，贯穿芯片制造全流程。半导体设备零部件产业链主要由上游原材料、中游半导体设备零部件、下游半导体设备和制造、终端应用等环节组成。上游为基础原材料环节，主要供应铝合金、硅、石英、陶瓷、特种金属等金属及非金属材料，为零部件制造提供基础载体；下游则对接半导体设备厂商与晶圆制造、封测企业，最终应用于消费电子、汽车电子、AI等终端领域。图26:半导体设备及零部件产业链结构富创精密招股说明书半导体精密零部件的首要壁垒，来自跨学科融合的高技术门槛。半导体零部件制造属于典型的技术密集型行业，需深度融合机械、电气、光学、材料等多领域学科知识，对应产业链中游按功能划分的机械类、电气类、光学类等多元零部件品类。这一产业普遍呈现“高技术密集、学科交叉融合、市场规模占比小且分散，却在全价值链中举足轻重”的特点，是支撑下游设备与终端产业迭代升级的底层基础。严苛的性能指标与复杂的制造工艺，进一步抬升了零部件的技术壁垒。半导体设备零部件需同时满足高精密、高洁净、超强耐腐蚀、耐击穿电压等极端要求，生产工艺覆盖精密机械制造、工程材料开发、特种表面处理、电子电机整合及工程设计等多个环节。这些特性直接决定了半导体设备的性能上限，深刻影响晶圆制造的产品良率与设备连续工作时长，对半导体产业起着以小制大的关键作用。下游客户严苛的认证流程与高客户黏性，构筑了行业的市场准入壁垒。半导体设备及晶圆厂客户对零部件供应商设置了严格的认证审查程序，供应商需经过需求对接、技术研讨、送样测试、应用反馈、技术改进、小试生产、批量生产等多轮验证环节，才能成为合格供应商。由于产品认证周期长、供应商转换成本高，下游客户为保障高品质产品的稳定供应，通常不会轻易更换供应商，因此行业具备极高的认证壁垒与客户黏性。晶圆厂扩产驱动需求，国产替代空间广阔SEMI2027751212202429202771表10:近期我国主要晶圆厂建设与扩建项目厂商 项目厂商 项目/事件 产能规划 总投资/交易额 当前进度/目标中芯国际 收购中芯北方剩余股权

两条12英寸产线，总月产能7万片

交易对价40.6亿元 交易完成，中芯北方成为全资子公司华虹公司 收购华力微97.5%股权 12英寸产线，月产能万片

交易对价82.68亿元 交易完成，全控华力微，解决同业竞争华虹集团

无锡集成电路二期二阶段项目

12英寸新厂（Fab9）设 -计月产能8.3万片

列入2026年江苏省重大项目清单，目标2026年中实现满产晶合集成 三期项目（皖芯集成） 12英寸产线，规划月产能5万片12英寸产线，规划月产

210亿元 建设中，2025年10月30亿元增资2026晶合集成 四期项目（晶奕集成）观研天下

能5.5万片 355亿元

年Q4投产，2028年Q2达产公司深度研究报告公司深度研究报告/制程工艺的迭代升级，将推高晶圆厂对半导体设备的数量与种类需求。随着半导体制程工艺持续演进，制造工序复杂度不断提升，同时半导体器件的物理结构日趋精密复杂，催生了更多高端、专用的复杂工艺设备需求。这意味着晶圆厂为支撑先进工艺量产，需要配置并投入更多半导体设备，以满足从光刻、刻蚀到薄膜沉积等全流程的技术要求。Gartner16-1485%SEMI20195962024117142.31%20237.88图27:2019-2026位：亿美元）

图28:2019-2024年中国大陆半导体设备市场规模及占比公司深度研究报告公司深度研究报告/ SEMI SEMI40%-45%50%-55%2020765.420241605.220.3%。相对分散图29:2020-2029年国内半导体设备零部件市场规模及预测（单位：亿元）弗若斯特沙利文半导体精密零部件呈现出行业“整体碎片化、局部高垄断”的格局。由于半导体零部件对精密度和稳定性要求严格，单一细分零部件品类往往仅有少数全球供应商具备供货能力，形成了全局分散、局部高度垄断的竞争特征。7.1%。表11:各类半导体零部件功能及国产化情况零部件分类 功能 国产化情况零部件分类 功能 国产化情况机械类气体/液体/真空系统类机电一体类光学类电气类仪器仪表类立鼎产业研究院

设备中起到构建整体框架、基础结构、晶圆反应环境和实现零部件特殊功能的作用，保证反应良率，延长设备使用寿命。起到传输和控制特种气体、液体和保持真空的作用，对真空度、抗腐蚀性等性能要求较高。产品。测设备。在设备中起到控制电力、信号、工艺反应制程的作用，核心模块为射频电源，与腔体中的等离子体浓度、均匀度和稳定度直接相关。起到控制和监控流量、压力、真空度、温度等数值的作用，对响应速度、测量精度及稳定性要求极高。

金属件技术要求相对较低，国产化程度较高，但应用于高制程设备的产品仍存在较高技术壁垒；而静电卡盘、密封圈等非金属机械件对密封性、真空度等要求较高，国内市场尚处于起步阶段。泵、阀、管路等产品已经实现技术突破，进入国际半导体设备供应商，但气柜模组等高端产品尚未实现技术突破。温控系统、废气处理装置等国产化程度较高；EFEM、机械手等产品已实现技术突破，但稳定性及一致性较国外产品存在差距；应用于光刻机的双工台、浸液系统技术壁垒较高，尚未实现突破。头厂商差距较大。体级应用要求。国内厂商通过收购已进入国际半导体设备供应商，但高端产品尚未实现技术突破。公司深度研究报告/公司深度研究报告/图30:国内半导体设备零部件国产化率情况及预测弗若斯特沙利文中美科技博弈持续深化，推动半导体关键零部件国产替代、实现供应链自主可控已成为行业必然趋势。在全球贸易环境不确定性加剧的背景下，关键零部件已成为制约国内半导体产业发展的重要瓶颈，行业对技术自主可控的诉求愈发强烈，公司深度研究报告/公司深度研究报告/技术迁移多品类布局，核心零部件加速放量4表12:公司半导体精密零部件产品量产进度及客户验证情况零部件产品类型量产进度应用情况气体分配盘已量产并实现产业化应用已成熟应用于多个业内知名客户，已成熟应用于先进制程金属腔体已量产并实现产业化应用已成熟应用于多个业内知名客户，已成熟应用于先进制程其他结构零部件已量产并实现产业化应用已成熟应用于多个业内知名客户，已成熟应用于先进制程静电吸盘产线建设中尚未实现量产公司公告公司在半导体材料及精密零部件制造领域建立了强大的自主研发能力，形成了覆盖材料制备、精密加工、特种工艺、表面处理的全链条核心技术体系。公司的核心技术可直接迁移至半导体零部件开发，依托半导体领域积累的核心技术，公司已基本完成首款静电吸盘的自主研发。表13:公司具备可迁移核心技术核心技核心技术/生产能力 具体描述 所处阶段 与静电吸盘制备的联系高性能陶瓷制备技术高精度陶瓷零部件加工技术特种焊接技术表面处理技术

利用开发的陶瓷流延、成型、共烧等技术，制备出热导率、强度、均匀性、尺寸精度等满足要求的高性能陶瓷材料公司具备超高致密度先进陶瓷制备加工能力，通过稳定的加工工艺在不破坏多孔陶瓷的孔隙和粒径分布基础上，高效精准去除多孔陶瓷空隙异物，生产的先进陶瓷具有力学强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数小、硬度高以及耐高温、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性公司已掌握多层真空钎焊、真空电子束焊、激光焊接需求公司掌握各项喷砂、熔射、滚花、阳极氧化、电解抛光、PVD镀膜、镀镍和氧化钇喷涂等多类表面处理技术，同时，公司具备强大的分析检测能力及超高洁净清洗能力,能够实现零部件表面每平方厘米含有直径大于0.2微米的粒子数量<5，产品精度、性能、洁净度能够满足主流国际客户的标准

小批量生产试制 介电层的开发制备已量产 介电层的开发制备已量产 功能层之间的连接已量产 各功能层的开发制备公司深度研究报告/电极浆料制备能力 浆料混合制备、浆料印刷叠层能力 小批量生产试制 电极层的制备公司深度研究报告/公司公告（）——静电吸盘（）PVDCVD图31:静电吸盘结构海拓创新官网2DIResearch2024137.12030194.25.97%AppliedMaterialsLamResearchSHINKOSumitomoOsakaCement93%10%图32:2024年及2030年全球半导体用静电吸盘市场规模及预测（单位：亿元）

图33:全球静电吸盘市场份额地区分布公司深度研究报告/公司深度研究报告/DIResearch QYResearch局与客户验证，快速推进产业化落地进程。公司与韩国领先的静电吸盘开发商KSTEKSTE1996年，9.98建设年产5100个集成电路设备用静电吸盘的产业化项目，进一步放大产能规模，5000表14:国内同行业公司现有及在建静电吸盘产能（截至2025年12月）公司 现有产能公司 现有产能/产量 在建拟建产能/产量情况江丰电子 尚未量产 募投项目"年产5,100个集成路设备用静电吸盘产业化项目"建成后将新增产能5,100个富乐德 尚未量产 2024年7月收购杭州之芯半体公司，为未来进入ALN加热和ESC新品的生产制造打下实基础臻宝科技 半导体静电吸盘ESC研发线发最大试制量200颗/a202299

未披露2020年申请首次公开发行股票并在科创板上市募投项目"半导体华卓精科

20231-6件

装备关键零部件研发制造项目"，拟实现纳米精度运动及测控系统的产业化、其他半导体设备及零部件（晶圆级键合设备、激光退火设备、静电吸盘、精密运动系统等）的产能扩充公司深度研究报告/珂玛科技 已小批量出货 拟通过募投项目新增年产能2,500支公司深度研究报告/珂玛科技公告（）——根据Reeah23109亿203017.96图34:气体分配盘图示 图35:气体分配盘在CVD腔中的位置新陶公号 新陶公号（）——硅电极是半导体干法刻蚀环节中支撑等离子体工艺、保障刻蚀精度的核心消耗性组件。在干法刻蚀工艺中，硅电极的核心作用是构建电场以激发等离子体，实现对晶圆的精准微观加工：刻蚀系统腔体内置入由单晶硅环（正极）与带微通孔的单晶硅盘（负极）组成的硅电极，施加电压后引入刻蚀气体并激发形成高能等离子体，再依据光刻工艺定义的电路图案，对硅片表面进行定向刻蚀。由于等离子体的持续腐蚀作用，硅电极表面会逐渐变薄，影响工艺一致性，因此单个硅电极在刻蚀约200片晶圆后便需更换，具备持续的市场替换需求。LinkedinMarketMiner202496公司深度研究报告/2031156.2公司深度研究报告/图36:硅电极图示 图37:硅电极在刻蚀机中应用晶半体网 黎,秦等《成电刻用部加及新》财通券究所（）——CVD、PECVDALD图38:陶瓷加热盘图示 图39:陶瓷加热盘结构厦新官网 厦新官网NGKMICOceramicBoBooHitech量产并稳定交付，产品通过上机验证并应用于关键半导体设备；珂玛科技截至202591000600公司深度研究报告/表15:公司深度研究报告/公司现有产能/产量在建拟建产能/产量情况20259建立了完善的精密陶瓷零部件制造工艺平台，其中陶中瓷电子瓷加热盘产品已量产稳定交付，满足国产半导体设备未披露客户需求，精密陶瓷零部件产品通过上机验证，应用于半导体关键设备中珂玛科技截至2025年9月末，已累计生产并交付超过1,000支拟通过募投项目新增年产能600支珂玛科技公告控股凯德石英，卡位半导体石英件2026720.6424%2025产品大类 产品名称 适用工艺 应用领域立式石英舟氧化、扩散、CVD产品大类 产品名称 适用工艺 应用领域立式石英舟氧化、扩散、CVD半导体卧式石英舟氧化、扩散、CVD半导体、光伏立式炉管氧化、扩散、CVD半导体卧式炉管氧化、扩散、CVD半导体、光伏石英湿氧瓶氧化半导体接液瓶扩散半导体、光伏源瓶氧化、扩散半导体、光伏基座氧化、扩散、CVD半导体点火枪氧化半导体点火腔室氧化半导体石英仪器石英挡板氧化、扩散、CVD半导体、光伏套管氧化、扩散、CVD半导体、光伏保温桶氧化、扩散、CVD半导体石英帽氧化、扩散、CVD半导体、光伏石英门氧化、扩散、CVD半导体、光伏石英清洗槽清洗及刻蚀半导体石英刻蚀盘刻蚀半导体其他精馏塔金属提纯其他石英舟石英管道凯德石英招股说明书公司深度研究报告/图40:公司深度研究报告/凯德石英官网65%图41:石英制品各应用领域的市场规模占比智研咨询34.8202974.491%202020050图42:中国晶圆厂石英零部件采购额(按供应商类型拆分)

图43:2021年全球石英制品市场竞争格局公司深度研究报告/公司深度研究报告/弗斯沙文 郑等石部半导领应及场证券研究所盈利预测与估值收入和毛利率预测2）3）5）具体分业务来看：靶材业务5GAI3DNAND2026-202837.62/48.15/60.1937.0%/35.5%/34.5%。石英件）扩散/CVD2026-202817.34/24.28/33.9925.0%/26.0%/27.0%。其他业务2026-20287.04/7.39/7.7617.45%/17.45%/17.45%。公司深度研究报告/表17:公司深度研究报告/单位：亿元202420252026E2027E2028E营业收入36.0546.0462.0079.82101.94YoY38.57%27.72%34.66%28.75%27.71%毛利率28.17%27.17%31.42%30.94%30.70%分业务靶材业务23.3328.5037.6248.1560.19YoY39.51%22.13%32.00%28.00%25.00%毛利率31.35%34.24%37.00%35.50%34.50%半导体精密8.87 10.84 17.34 24.28 33.99零部件业务YoY55.53%22.24%60.00%40.00%40.00%毛利率24.27%14.88%25.00%26.00%27.00%其他业务3.856.707.047.397.76YoY7.21%74.19%5.00%5.00%5.00%毛利率17.92%16.98%17.45%17.45%17.45%iFinD费用率与所得税率预测销售费率将整体保持平稳。我们预计公司2026-2028年销售费率分别为3.1%/3.1%/3.0%。管理费率：2026-2028年管理费率分别为6.0%/5.2%/4.4%。研发费率：公司高度重视超高纯金属溅射靶材、半导体精密零部件的技术迭代与新产品研发，持续加码高端制程产品、新应用领域的技术攻关，研发投入随业务规模同步增长，研发费率整体维持稳定。我们预计公司2026-2028年研发费率分别为6.0%/6.0%/6.0%。2026-2028表18:费用率及所得税率预测202420252026E2027E2028E销售费率3.2%2.9%3.1%3.1%3.0%管理费率7.6%6.8%6.0%5.2%4.4%研发费率6.0%5.7%6.0%6.0%6.0%所得税率28.3%25.1%25.0%25.0%25.0%iFinD可比公司估值公司深度研究报告/PVDPVD200公司深度研究报告/有研新材：公司主营业务定位在高纯金属靶材、先进稀土材料、特种红外光学及光电材料等多个战略性新材料领域。公司的主要产品是集成电路用薄膜材料、贵金属、稀土金属、磁性材料、磁体、特种红外光学、发光材料、生物医用材料、口腔医疗器械。富创精密：公司主营业务为半导体设备精密零部件研发和制造。公司的产品主要为半导体设备、泛半导体设备及其他领域的精密零部件，主要包括机械及机电零组件、气体传输系统等。PEPE2026-2028PE165.00/96.09/58.952026-20288.63/12.17/16.49PE表19:可比公司与估值（截至2026.08.13）公司名称 公司代码 总市值 归母净利润（亿元） PE（亿元）2024A2025A2026E2027E2028E2024A2025A2026E2027E2028E阿石创300706.SZ80.71-0.25-0.550.420.841.42----192.1896.0956.84有研新材600206.SH425.051.482.654.456.127.2189.8265.0095.5269.4558.95富创精密688409.SH641.272.03-0.093.896.128.7478.39--165.00104.8273.38中位数165.0096.0958.95江丰电子300666.SZ728.704.015.008.6312.1716.4946.0048.8780.2456.9342.02iFinD 注:iFinD20262027)风险提示技术研发不及预期风险：公司靶材业务持续向超高纯度及大尺寸迭代，半导体精密零部件亦需经过2-3年严苛客户认证方可批量导入，若关键技术研发进度滞后或客户验证周期延长，将影响公司新产品放量节奏与市场份额提升。AI服务器及HBM中美科技博弈加剧风险：汇率波动风险：若人民币汇率出现大幅单边波动，将形成汇兑损益，对公司盈利水平及经营业绩造成阶段性扰动。2026620266月23610,650,400股，公司深度研究报告/275,971,0833.86%公司深度研究报告/宏观经济风险：全球贸易环境不确定性加剧，若中美科技博弈升级或关键原材料出口管制收紧，将对公司供应链稳定性及韩国等海外生产基地运营产生不利影响。公司深度研究报告/公司财务报表及指标预测公司深度研究报告/利润表（百万元）2024A2025A2026E2027E2028E财务指标2024A2025A2026E2027E2028E营业收入3604.964604.106199.927982.1310194.04成长性减:营业成本2589.283353.094251.655512.517064.33营业收入增长率38.627.734.728.727.7营业税费19.3120.4533.2540.3450.49营业利润增长率31.945.271.840.935.4销售费用114.62132.29194.69244.60308.47净利润增长率56.824.772.840.935.5管理费用273.31315.03374.63418.46452.86EBITDA增长率43.750.5100.929.427.8研发费用217.29262.05372.00478.93611.64EBIT增长率48.761.7102.735.734.1财务费用15.1381.46102.8089.62101.44NOPLAT增长率40.068.8103.135.734.1资产减值损失-108.06-97.94-88.83-88.83-88.83投资资本增长率36.917.729.13.814.9加:公允价值变动收益17.5934.310.000.000.00净资产增长率7.29.050.410.512.9投资和汇兑收益58.0483.1993.34130.97168.31利润率营业利润383.42556.83956.411347.541825.20毛利率28.227.231.430.930.7加:营业外净收支-1.68-3.36-1.66-1.96-1.91营业利润率10.612.115.416.917.9利润总额381.73553.47954.751345.581823.29净利润率7.69.011.512.613.4减:所得税108.06139.17238.69336.40455.82EBITDA/营业收入15.117.826.626.726.7净利润400.56499.50863.331216.731648.70EBIT/营业收入9.011.317.118.018.9资产负债表（百万元）2024A2025A2026E2027E2028E运营效率货币资金1155.081310.652639.391893.652334.41固定资产周转天数118163186173156交易性金融资产0.000.000.000.000.00流动营业资本周转天数6020132128应收账款1005.131244.501658.532104.572654.10流动资产周转天数337329326309278应收票据0.000.000.000.000.00应收账款周转天数8388848584预付账款21.3038.4354.005