CN119418735A 存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法 （北京大学）

2所述读晶体管沿垂直于所述第一方向、所述第二方向的第三方向延伸并所述写晶体管沿所述第一方向延伸且环绕部分所述水平环栅介质层，沿所述第一方向延伸且周向环绕部分所述水平所述第三方向延伸，且位于所述环栅介质层沿所述第二方向背离所述水平半导体层的一所述一层存储阵列包括以第一方向为行方向、以第二方向为列方向沿所述第一方向相邻的所述存储单元共用沿所述第二方向沿所述第三方向相邻的所述存储单元共用沿所述第8.一种三维数据读写电路，其特征在于，基于权利要求1_5任一项所述的存储单元实所述一层电路阵列包括以第一方向为行方向、以第二方向为列方向3提供衬底，所述衬底上包括叠层，所述叠层包括沿背离所述衬底的方形成填满所述第一凹槽并覆盖所述叠层的顶层半导体材料层顶面于所述叠层内形成暴露出部分所述衬底及部分所述经由所述第一通孔于每层所述半导体材料层内形成环绕部分所述半导体材料层的写于所述叠层内形成暴露出部分所述衬底的第二凹槽，所述第二凹槽用于限定读晶体于所述第二凹槽的内侧壁形成垂直栅介质层后，形成45导体层上，通过设置写晶体管包括沿第一方向依次排布的第一源/漏接触区、水平半导体6[0018]经由第一通孔于每层半导体材料层内形成环绕部分半导[0020]于第二凹槽的内侧壁形成垂直栅介质层后，形成填满第形成填满第二凹槽的垂直半导体层，沿第二方向延伸的部分半导体材料层用于构成写位7[0031]图8为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步[0034]图11为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S10中形成第一凹[0037]图14为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S20中形成隔离层[0040]图17为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S30中形成第一通[0043]图20为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S40中形成写字线[0046]图23为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S50中形成第二凹8[0048]图25为本公开一些实施例中提供的一种存储器制备方法中步骤S60中形成读晶体第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺9[0059]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式虽图示中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘水平半导体层20，读晶体管16包括垂直栅介质层161及沿第三方向延伸的垂直半导体层13，从而可以支持多层堆叠存储单元100同时进行光刻，降低制备产品的工艺复杂度及成单层存储单元100的面积开销，能够在确保存储容量不减小的情况下，减小制备产品的体垂直栅介质层161环绕的垂直半导体层162作为两个栅极的共用垂直半导体层162，有效地中同期制备沿垂直衬底10方向相邻存储单元100的写字线13，降低制备工艺的复杂度及成步骤中同期制备沿垂直衬底10方向相邻存储单元100的垂直半导体层162、垂直栅介质层行光刻，便于在相同工艺步骤中同期制备沿垂直衬底10方向相邻存储单元100的垂直半导[0072]步骤S40：经由第一通孔于每层半导体材料层内形成环绕部分半导体材料层的写[0073]步骤S50：于叠层内形成暴露出部分衬底的第二凹槽，第二凹槽用于限定读晶体[0075]请参考图8图10，在一些实施例中，步骤S10中提供的衬底10可以采用半导体材牲层31上形成半导体材料层32。Generation，ISSG)、原子层沉积工艺、等离子蒸汽沉积工艺及快速热氧化工艺(Rapid2O3形成环栅电极层152或写字线13。环栅介质层151、环栅电极层152用于共同构成写晶体管Generation，ISSG)、原子层沉积工艺、等离子蒸汽沉积工艺及快速热氧化工艺(Rapid出后续制备存储单元100阵列中各存储单元100的写晶体管15的形状、大小及位置等参数；经由第一通孔43于每层半导体材料层32内形成环绕部分半导体材料层32的写晶体管15后，填满第二凹槽44的垂直半导体层162，沿第二方向延伸的部分半导体材料层32用于构成写型晶体管，读晶体管16包括垂直栅介质层161及沿垂直衬底10方向延伸的垂直半导体层写晶体管15与读晶体管16也可以采用P型晶体管。写晶体管15与读晶体管16可以采用相同161及沿垂直衬底10方向延伸的垂直半导体层162，垂直栅介质层161环绕于垂直半导体层[0097]应该理解的是，虽然图7与前文所述流程步骤中的各个步骤按照箭头或步骤先后通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read_OnlyPCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库当认为是本说明书记载的范围。