CN119421312A 汤姆逊散射装置、图谱诊断方法、电子设备及存储介质 （西北师范大学）

一激光反射镜和第一激光聚焦透镜；第二激光术中汤姆逊散射实验存在的无法实时诊断的技2第一激光器、第一激光反射镜和第一激光聚焦透镜；所述光聚焦透镜；所述第二激光聚焦透镜用于将所述第三激光反射镜输出的探针激光进行聚靶材和靶架；所述靶材用于接收所述第一激光聚焦透镜输出的第二收集透镜和光谱仪；所述第二收集透镜和所述光谱仪第一收集透镜和瞬态相机；所述第一收集透镜和所述瞬态4.一种图谱诊断方法，所述方法应用于如权利要求1至3任一项所述的汤姆逊散射装确定所述目标汤姆逊散射光谱的目标谱峰位基于所述目标谱峰位移和所述目标半高全宽在预设电子温度图基于所述目标谱峰位移和所述目标半高全宽在预设电子密度图获取一组汤姆逊散射光谱；所述一组汤姆逊散射光谱中的每个汤姆筛除所述一组汤姆逊散射光谱中的异常值，得到筛除异常值后的一组汤姆逊散射光计算所述筛除异常值后的一组汤姆逊散射光谱的光谱3将所述一组样本温度中的每个样本温度依次与所述一组样本密度中的每个样本密度将所述一组样本温度密度数据中的每个样本温度密度数据作为目标样本温度密度数计算所述一组理论轮廓中每个理论轮廓对应的谱峰位根据所述一组样本数据构建所述预设电子温度图谱和所述预根据所述目标样本温度和所述目标样本密度，通过下式计算所述目标理论轮廓;;;测方向的夹角；a为散射因子，用于表征等离子体的散射程度；W(xe)为色散函数；i为虚数单位。控制靶架和第一激光聚焦透镜沿Z轴方向同步移动，获取靶材在不同空间位置时测得8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储程序被处理器执行时实现如权利要求4至7任一项所456标半高全宽；基于所述目标谱峰位移和所述目标半高全宽在预设电子温度图谱中的位置，确定目标温度；基于所述目标谱峰位移和所述目标半高全宽在预设电子密度图谱中的位一组样本温度密度数据中的每个样本温度密度数据作为目标样本温度密度数据执行预设;;i为虚数单位。7靶架和第一激光聚焦透镜沿Z轴方向同步移动，获取靶材在不同位置时测得的汤姆逊散射器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述图谱诊断方机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述图[0022]图6是本发明提供的汤姆逊散射装置测得的激光等离子体的汤姆逊散射光谱和瞬8[0033]本实施例所提供的汤姆逊散射装置可以应用到通过汤姆逊散射方法诊断等离子输出的探针激光垂直反射至第三激光反射镜5；第三激光反射镜5与第二激光聚焦透镜7光光聚焦透镜7用于将第三激光反射镜5输出的探针激光9用于接收并聚焦激光等离子体产生的光线，光谱仪10用于接收第二收集透镜9聚焦的光线蚀激光经过第一激光反射镜3反射和第一激光聚焦透镜6聚焦后与靶材12相互作用产生激二激光反射镜4反射、第三激光反射镜5反射和第二激光聚焦透镜7聚焦后与激光等离子体相互作用产生汤姆逊散射信号，光谱仪10接收第二收集透镜9聚焦的光线并输出汤姆逊散[0039]优选的，第一激光聚焦透镜6为100mm焦距的石英透镜；第二激光聚焦透镜7为[0042]烧蚀光路包括第一激光反射镜3和第一激光聚焦透镜6，第一激光反射镜3与第一激光器1产生的烧蚀激光夹角为45度，第一激光聚焦透镜6与经第一激光反射镜3反射后的路的第一激光反射镜3在x轴方向距离为15cm；第三激光反射镜5与经第二激光反射镜4反镜7与经第三激光反射镜5反射后的烧蚀激光夹角[0044]第一激光器1输出的烧蚀激光经第一激光反射镜3反射和第一激光聚焦透镜6聚焦光反射镜5反射和第二激光聚焦透镜7聚焦后作用在等离子体上产生汤姆8的几何中心、瞬态相机11的CMOS（ComplementaryMetal_Oxide_SemiconductorImage[0048]需要说明的是，第二收集透镜9和光谱仪10收集汤姆逊散射光谱的光路与探针激于将第一激光器1输出的烧蚀激光垂直反射至第一激光聚焦透镜6；第一激光聚焦透镜6与激光反射镜4输出的探针激光垂直反射至第二激光聚焦透镜7；第二激光聚焦透镜7用于将离子体产生的光线，瞬态相机11用于接收第一收集透镜8聚焦的光线并输出激光等离子体筛除一组汤姆逊散射光谱中的异常值，得到筛除异常值后的一组汤姆逊散射光体光路如图1所示；在等离子体产生后，数字延迟发生器控制第二激光器2输出波长为[0066]图6是本发明提供的汤姆逊散射装置测得的激光等离子体的汤姆逊散射光谱和瞬[0069]基于目标谱峰位移和目标半高全宽在预设电子温度图谱中的位置，确定目标温找到与目标谱峰位移和目标半高全宽对应的交点，该交点的温度对应激光等离子体的温[0070]基于目标谱峰位移和目标半高全宽在预设电子密度图谱中的位置，确定目标密找到与目标谱峰位移和目标半高全宽对应的交点，该交点的密度对应激光等离子体的密深入准确地理解不同场景下的激光等离子体的微观物S12，将一组样本温度中的每个样本温度依次与一组样本密度中的每个样本密度S13，将一组样本温度密度数据中的每个样本温度密度数据作为目标样本温度密;;;量，ve为等离子体电子的热平均速度，为散射光频率w和入射光频率的差矢，k为波[0075]在本实施例中，汤姆逊散射光谱的目标理论轮廓Ieec(k,AW)决定了汤姆逊散射数w(xe)，然后根据a和w(xe)计算得到Ieec(k,AW)，根据lerec(k,AW)可以得到汤姆逊示电子密度；N。=1068.32-t-090为拟合曲线的表达式；R为决定系数。发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；