CN119430928A 一种钒基锆石微波介质陶瓷及其制备方法 （桂林理工大学）

石微波介质陶瓷的组成称量配料包括Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和N波介质陶瓷的组成称量配料获取Bi2O3、La2O3、2所述钒基锆石微波介质陶瓷的组成称量配料包括Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和所述钒基锆石微波介质陶瓷介电常数范围为16.1～17.3，品质因数的范围为41000~3.一种钒基锆石微波介质陶瓷制备方法，用于制备如权利要求1_2任意一项所述的钒基于钒基锆石微波介质陶瓷的组成称量配料获取Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和所述粘结剂为质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，所述粘结剂的加入质量占所述原始粉3[0003]随着5G/6G通讯技术的发展，高频和大带宽特性需要更密集的宏微基站来保证信如立方尖晶石结构的(Zn/Mg)Al2O4陶瓷的εr在8.5～9.0之间，Q×f值高达56000~τf值不利于保证器件的工作温度稳定性使其很难应用于电子器件的生产使用。和(Bi1_xHox)VO4中通过离子取代调节可以降低陶瓷的烧结温度并且获得近零的τf值。近年来，高熵合金逐渐成为材料工业中设计高性能材料的一种解决方案。高熵的概念来自于2004年提出的HEAs，它是由五种或五种以上的金属元素以一个等摩尔比形成的单相固溶[0005]综上所述探索与开发具有近零谐振频率温度系数和低损耗的单相低介微波介质近零谐振频率温度系数和低损耗的单相低介微40.2La0.2Ce0.2Nd0.2Sm0.2)VONd2O3℃)，温度稳定性好；其介电常数(εr)达到16.1～17.3，品质因数(Q×f)值为41000~[0017]图1是本发明的实施例1_4制备的一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石[0018]图2为本发明的实施例3制备的一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石微波介质陶瓷(Bi0.2La0.2Ce0.2Nd0.2Sm0.2)VO4的X射线衍射(X[0019]图3为本发明的实施例3制备的一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石微波介质陶瓷(Bi0.2La0.2Ce0.2Nd0.2Sm0.2)VO4的扫描电镜(SEM)5品质因数的范围为41000～47500GHz，谐振频率温度系数为+10.5ppm/℃~+13.2ppm/℃,纯[0024]请参阅图1_图4，第二方面，本发明还提供了一种钒基锆石微波介质陶瓷制备方[0034](1)、将纯度>99.9％的Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和NH4VO3的原始粉末按6[0039](1)将纯度>99.9％的Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和NH4VO3的原始粉末按[0044](1)将纯度>99.9％的Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和NH4VO3的原始粉末按[0047]图2为实施例3一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石微波介质陶瓷(Bi0.2La0.2Ce0.2Nd0.2Sm0.2)VO4的X射线衍射(XRD)谱图。从图中可以看出，[0048]图3为实施例3制备的一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石微波介质陶锆石微波介质陶瓷材料的制备方法可行有效，通过该制备方法能够获得相对致密的(Bi0.2La0.2Ce0.2Nd0.2Sm0.2)VO4微波[0051](1)将纯度>99.9％的Bi2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3和NH4VO3的原始粉末按7[0054]进一步的，本发明用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。具体是通过[0059]从表1可以看出，制备的一种具有近零正谐振频率温度系数的钒基锆石微波介质[0060]