CN119439611A 半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法 （三星Sdi株式会社）

半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形一种半导体光刻胶组合物包含由化学式1表述半导体光刻胶组合物来形成(或提供)图案的2aa为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基，且Ra为经取代或未经取或N(R7)C_N(R8)_[L5_N(R9)C3aa为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基，且Ra为经取代或未经取3R3为氢R7和R8各自独立地为经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C3到C107.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中所述有机金属性化合物是选自在458.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中6在所述蚀刻目标层上涂覆如权利要求1至9任一项所述的半导体光刻胶组合物以形成11.根据权利要求10所述的方法，其中利用波长为5nm到150nm的光来形成所述光刻胶12.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述基板与所述光刻胶层之间提供抗蚀剂7[0002]本申请主张在2023年8月4日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10_[0005]极紫外(EUV)光刻是通过相容的光刻胶的显影来实现，所述显影可以小于或等于和/或特征粗糙度(或者也被称为线边缘粗糙度或LER[0006]由于这些聚合物类型或种类的光刻胶中的酸催化反应而导致的固有图像模糊会下的吸光度且因此降低其灵敏度，因此化学放大(CA)光刻胶在EUV曝光下可能部分地具有可通过非化学放大机制而确保适当的灵敏度。此外，所述无机组合物对随机性效应8在约25重量％的相对高(例如，极高)浓度的氢氧化四甲铵(tetramethylammonium[0011]根据一些实施例的方面涉及一种表现出优异或合适的灵敏度以及改善的稳定性[0012]根据一些实施例的方面涉及一种利用所述半导体光刻胶组合物来形成(或提供)[0015]根据一些实施例，一种半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属性化a为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基，且Ra为经取代9代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或者其(例如，任何合适_二甲基丙[0031]在一些实施例中，所述有机金属性化合物可为选自在群组1中列出的化合物中的[0044]图1到图5是用于阐释根据一些实施例利用半导体光刻胶组合物来形成(或提供)[0069]根据一些实施例的半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属性化合物[0074]R1可为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、(R4)]n4(其中L3为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳代或未经取代的C6到C30亚芳基或者其(例如，任何合适的)组合，R7到R10可各自独立地为2的脱保护，且通过X而与周围或相邻的有机金属性化合_二甲基丙[0091]有机金属性化合物适当地或强烈地吸收约13.5nm下的极紫外光且对相对高能量(例如，量)处于上述范围内时)，则半导体光刻胶组合物的存储稳定性和耐蚀刻性得到提提供一种具有优异或合适的灵敏度和稳定性的半导体光刻胶[0100]以半导体光刻胶组合物的总量计，可[0105]调平剂可用于在印刷期间改善涂覆平整度，并且可为可商购获得的合适的调平者约5nm到约10nm的宽度的精细图案，可将所述半导体光刻胶组合物用于利用波长处于约合物可用于实现利用波长为约13.5nm的EUV光源的极紫外层106之间的界面或各层之间的硬掩模上反射的射线被散射到非预期的光刻胶区中(例如，当所述射线被散射到非预期的光刻胶区中时)，可防止或减少不均匀性并防止或减少光刻光刻胶层106是通过将上述半导体光刻胶组合物涂覆于形成于基板100上的薄膜102上且然℃到约120℃下实行。[0126]通过透过交联反应(例如，有机金属性化合物之间的缩合)来形成(或提供)聚合子激光(约193nm的波长)等具有相对短的波长的光可提供具刻工艺，形成有机层图案112。有机层图案112也可具有与光刻胶图案108的宽度对应的宽[0135]薄膜102的刻蚀可为例如使用刻蚀气体的干式刻蚀，且刻蚀气体可为例如CHF3、23或其混合气体。用光刻胶图案108(其通过利用EUV光源实行的曝光工艺而形成)形成的薄膜图案114可具有[0137]在下文中，将通过上述半导体光刻胶组合物的制备的实例来更详细地阐述本公[0144]向在合成例1中获得的由化学式2表示的化合物中缓慢滴加了等量的琥珀酸单叔[0148]除了使用丙二酸单叔丁酯代替琥珀酸单叔丁酯之外，以与合成例2中实质上相同[0156]除了使用正丁基三苯基锡化合物代替叔丁基三苯基锡化合物之外，以与合成例2[0161]将在合成例1到合成例5中获得的由化学式2到化学式6表示的化合物分别溶解于3[0162]将具有天然氧化物表面的4英寸直径的圆形硅晶片用作进行薄膜沉积的基板。在[0164]将沉积有抗蚀剂薄膜的基板暴露于加速电压为100kV的电子束下，以形成(或提emissionscanningelectronmicroscopy，FE一SEM)图像测量了所形成的线的临界尺寸基2丙基乙酸酯溶剂中。此后，实行对溶液的119Sn核磁共振(nuclearmagnetic[0176]基于以下判断标准评估了在实例1到实例3以及比较例1和比较例2中使用的有机[0178]在根据实例1到实例3以及比较例1和比较例2的半导体光刻胶组合物在室温(20±◎◎◎OO◎O◎O△△△△X△合物表现出优异或合适的灵敏度以及显著改说明所属领域中的普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。在本文中所述的“约”包括所陈述的值并