CN119443016A 一种t型三电平三相逆变器igbt辐射电磁场分布预测方法 （合肥工业大学）_第1页
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一种T型三电平三相逆变器IGBT辐射电磁场一种T型三电平逆变器IGBT辐射电磁场分布预测2S6、利用simplorer与MAXWELL协同仿真接口建2.根据权利要求1所述的T型三电平逆变器IGBT辐射电磁场分布预测方法，其特征在S11、在simplorer中搭建T型三电平逆变器的仿真电路3.根据权利要求1所述的T型三电平逆变器IGBT辐射电磁场分布预测方法，其特征在4.根据权利要求1所述的T型三电平逆变器IGBT辐射电磁场分布预测方法，其特征在3[0001]本发明属于电磁干扰预测技术领域，具体涉及一种T型三电平三相逆变器IGBT辐子设备不可或缺的基石。随着电力电子装置持续向大功率及高频化方向演进，其对周边环（InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT）作为一种兼具全控特性的复合半导体就可以激励60V的电压干扰。4[0008]黄华震等研究者通过分析电路中的相关寄生参数以及IGBT模块的非线性电容对[0011]针对现有技术的不足，本发明提供了一种T型三电平三相逆变器IGBT辐射电磁场[0014]作为本发明再进一步的方案：步骤S2具体为IGBT参数化建模采用simplorer中的5图4是本发明实施例的ANSYSMAXW电压±15V,并在dataset中输入IGBT的转移特性曲线和输出特性曲线，其余参数使用默认值，完成参数设置后运行后得到仿真结果，如图3所示为IGBT导通和关断过程仿真结果，IGBT导通时间t_on=0.3us和挂断时间t_off3、在步骤2的基础上，将步骤2所得IGBT导通时间t_on=0.3us和关断时间t_off=6[0020]另外需要说明的是其中利用simplorer与MAXWELL协同仿真接口搭建如图5所示联IGBT的3D模型，设置材料参数并进行网格剖分，在MAXWELL中设置导通路径，并通过789

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