CN119443022A 一种3d集成电路的tsv自动插入方法 （成都汉芯国科集成技术有限公司）_第1页
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文档简介

本发明涉及一种3D集成电路的TSV自动插入材自动插入到各个集成电路芯片模型上各自的2步骤2)：检测各个集成电路芯片模型上的钻孔个数，采用坐步骤3)：根据各个集成电路芯片模型上的钻孔个数确定步骤5)：根据生成的整个3D集成电路芯片模型，在2.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSV自3.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSn和为记录W,到W的各个钻孔。4.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSV自动插入方法3为从一端到另一端对一根管材的各段参数进5.根据权利要求4所述的一种3D集成电路的TSV自5()为计算第X根管材的各6.根据权利要求4所述的一种3D集成电路的TSV自步骤B)：对整个3D集成电路芯片模型的堆叠偏移情况进行分7.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TS路芯片模型发生位移的高度；为整个3D集成电路芯片模型的标准高度与整个3D集成电48.根据权利要求7所述的一种3D集成电路的TSV自若整个3D集成电路芯片模型的高度是相向移动，则整个3D集成电路芯片模型高度降若整个3D集成电路芯片模型的高度是背向移动，则整个3D集成电路芯片模型高度增9.根据权利要求1所述的一种3D集成电路的TSV自动5料在各个集成电路芯片的穿孔中热胀冷缩，也会导致整个3D集成电路芯片的堆叠发生偏[0005]本发明主要解决如何使各个集成电路芯片一体堆叠成整个3D集成电路芯片的技6n和材上的第7R为管材的各个面与钻孔中的各个面的结合度，:(R)为计算第X根管材[0026]为在第根管材的各个面的平均温度avg(:)下，第根路芯片模型发生位移的高度；为整个3D集成电路芯片模型的标准高度与整个3D集成电[0038]若整个3D集成电路芯片模型的高度未移动，则整个3D集成电路芯片模型高度不8等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或9n和材2第q段的横截面积，PI为管材2第q段的轴线弯曲程度，Tq为管材2第q段的温度，q段的轴线弯曲程度为p；*为管材2的横截面积参数和管材2的轴线弯曲程度参数的结的结合；为从一端到另一端对一根管材2的各段的长度可以是10cm以内。Ti到Te的温度相等，这样整个管材2的横截面积和管材2的轴5()为计算第X根管管材2的各个面与钻孔3中的各个面的结合度，[0085]H=Hr+ΔH(4)；[0087]在公式(4)中，Hr为整个3D集成电路芯片模型的标准高度(即整个3D集成电路芯集成电路芯片模型的标准高度与整个3D集成电路芯片模型发生位移Ww为图2左下角的钻孔3的坐标2x2。[0099]基于实施例2，通过图1结合公式(5)，整个3D集成电路芯片模型发生的位移高度[0100]其中，整个3D集成电路芯片模型顶端的集成电路芯片模型1和整个3D集成电路芯片模型底端的集成电路芯片模型1相互靠近，且整个3D集成电路芯片模型中间位置的集成整个3D集成电路芯片模型顶端的集成电路芯片模型1和整个3D集成电路芯片模型底端的集芯片模型的各个集成电路

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