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方法采用先进行反应离子刻蚀再进行原子层刻产生的副产物以及未反应的反应性气体通过抽22.根据权利要求1所述的用于STI工艺的刻蚀方3.根据权利要求2所述的用于STI工艺的刻蚀方法，其特征在于，当刻蚀纵深设计为2800-3000A时，采用反应离子刻蚀工艺刻蚀至设计纵深剩余80-120A,再采用原子层刻蚀4.根据权利要求2所述的用于STI工艺的刻蚀方法，其特征在于，当刻蚀纵深设计为3000A时，采用反应离子刻蚀工艺刻蚀至设计纵深剩余100A,再采用原子层刻蚀工艺刻蚀5.根据权利要求1所述的用于STI工艺的刻S2、第一次净化：将硅刻蚀产生的副产物以及6.根据权利要求5所述的用于STI工艺的刻蚀方法，其特7.根据权利要求5所述的用于STI工艺的刻蚀方8.根据权利要求7所述的用于STI工艺的刻蚀方法，9.根据权利要求1_8任一项所述的用于STI工艺的刻蚀方3[0002]在半导体器件制造工艺中，Shallowtrenchisolation(STI)工艺(浅槽隔离工利用设备产生的等离子(Plasma)轰击硅片形成沟槽，当刻蚀的沟槽纵深较深时，如图1所情况下可能会发生由接头泄漏(Junctionlea[0007]用于STI工艺的刻蚀方法，采用先进行反应离子刻蚀再进行原子层刻蚀的方式刻4剩余100A,再采用原子层刻蚀工艺刻蚀沟槽剩余部分。Ar中的任意一种；[0030]上述的STI工艺在步骤三的沟槽刻蚀中，采用了刻蚀方法采用反应离子刻蚀和原[0032]1、本发明在采用现有反应离子刻蚀工艺刻蚀沟槽至一定纵深且未达到设计纵深5[0035]此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部计为3000A时，采用反应离子刻蚀工艺刻蚀至设计纵深剩余100A,再采用原子层刻蚀工艺[0044]同时，由于本实施例的刻蚀方法是基于现有的STI工艺，既能实现避免产生硅损6[0050]本案例的设计纵深为3000A,采用反应离子刻蚀至2800-2900A就结束了，即还剩[0056]因此，本实施例采用乐先进行反应离子刻蚀再进行原子层刻蚀Ar中的任意一种；7离子刻蚀工艺刻蚀沟槽至一定纵深且未达到设计纵深时，采用原子层刻蚀的方式刻蚀沟8

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