CN119447065A 一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）_第1页
CN119447065A 一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）_第2页
CN119447065A 一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）_第3页
CN119447065A 一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）_第4页
CN119447065A 一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩16页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法本发明提供一种背面供电的芯片堆叠结构芯片堆叠结构能够在同样的面积下实现双倍的申请的上下晶体管堆栈方法，达到7nm制程下的2所述第一芯片及第二芯片还分别形成有电力轨，所述电6.一种背面供电的芯片堆叠结构的制备方法，其S3：于所述第一芯片及第二芯片的介电层的远离基板的表S4：将第一芯片与第二芯片进行上下键合形成堆S6：于减薄后的第一基板内形成多个贯穿的金属柱，3456[0036]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘7多个埋入式电力层包括用于向晶体管的第一子集提供第一电源电压的第三BPR，以及用于层104及介电层105，所述介电层105内形成有多个与所述埋入式电力层电连接的晶体管基板选用复合层的原因在于后续步骤S5对第一基板减薄的过程，需要刻蚀停止层102作为[0044]具体地，所述信号连接层106可以通过铜的大马士革工艺进行制备，作为一种示8薄时刻蚀停止层102作为减薄时的停止信号。过程中先通过CMP对第一基板的硅衬底层101成多个贯穿的金属柱31，多个所述金属柱31分别与第一芯片100的电力轨16及埋入式电力层301及电容电感层302则作为背面供电层进行供电，同时结合电力轨16及埋入式电力层9[0059]进一步地，所述芯片堆叠结构还包括浅沟槽隔离工艺形成的隔离层202，隔离层202用于多个埋入式电力层104之间的隔离或

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论