CN119447991A 一种半导体激光器芯片结构及其制造方法 （无锡市华辰芯光半导体科技有限公司）

司体涉及一种半导体激光器芯片结构及其制造方电流注入窗口至少设置于电流注入区靠近后腔2重掺杂台，设置于所述激光器基体的上限制层背向所述衬所述重掺杂台划分有电流注入区，所述电流注入区中设置有第一电流注其中，所述第一电流注入窗口至所述衬底层的电流路径第二电流注入窗口至所述衬底层的电流路径经所述半导体激光器芯片结构在所述激光器基体长度方向上具有相对的前腔面和后腔所述第二电流注入窗口至少设置于所述电流注入区靠近所述后所述第一电流注入窗口的底部位于靠近所述上限制层的所述第一第二电流注入窗口的底部位于远离所述上限制的第所述电阻控制层的掺杂浓度小于所述第一欧姆接触层的掺杂浓度和所述第二欧姆接所述电阻控制层的厚度小于或等于所述第一欧姆接触层的厚度和所述第二欧姆接触所述第一欧姆接触层的掺杂浓度为2E19cm_3~1E20所述第二欧姆接触层的掺杂浓度为2E19cm_3~1E20所述电阻控制的掺杂浓度为1E17cm_3~1E20所述第一欧姆接触层的厚度为200nm~所述第二欧姆接触层的厚度为200nm~所述第一电流注入窗口的底部与所述第一欧姆接触层的底部之间的距离为200nm~所述第二电流注入窗口的底部与所述第二欧姆接触层的底部之间的距离为200nm~所述电流注入区中的部分所述第一欧姆接触层、所述电阻控3沿所述半导体激光器芯片结构的所述后腔面至最靠近所述后腔面的所述第二电流注入窗口与所述电流注入区靠近所述后腔面的边最靠近所述后腔面的所述第二电流注入窗口靠近所述后腔面一侧的边缘与最靠近所在所述前腔面至所述后腔面方向上的总尺寸之间的比为1:1在自所述后腔面向所述前腔面的方向上，相邻的所述第绝缘隔离层，所述绝缘隔离层覆盖所述电流注入区以外的所述重掺P面电极，所述P面电极覆盖所述电流注入区背向所述所述重掺杂台在所述激光器基体上的俯视投影面积小于所述激光或者，所述重掺杂台在所述激光器基体上的俯视投影面积等于所述激光器基体的面9.一种半导体激光器芯片结构的制造方法，用于制造权利要求1-8中任一项所述的半形成重掺杂台，所述重掺杂台形成于所述激光器基体的上限制层背向在所述电流注入区中形成第一电流注入窗口其中，所述第一电流注入窗口至所述衬底层的电流路径第二电流注入窗口至所述衬底层的电流路径经所述半导体激光器芯片结构在所述激光器基体长度方向上具有相对的前腔面和后腔4所述第二电流注入窗口至少形成于所述电流注入区靠近所述后在形成所述第一电流注入窗口和所述第二电流注入采用刻蚀的方式加工所述重掺杂台，其中所述第一电流注入窗口的刻所述电流注入区中的部分所述第一欧姆接触层、所述电阻控5激光器的效率和可靠性提出了更高的要求。例如在万瓦级光纤半导体激光器工业应用方腔面需要镀上反射率高于95%反射率的复合反射膜，以此获得大功率的激光功率输出。因6二电流注入窗口所在区域的电流注入。因此将第二电流注入窗口至少设置在后腔面一侧，[0010]本申请提供的半导体激光器芯片结构，由于电阻控制层的掺杂浓度和/或厚度小[0011]可选的，在本申请的一些实施方式中，第一欧姆接触层的掺杂浓度为2E19cm_3~1E20cm__3；第二欧姆接触层的掺杂浓度为2E19cm__3~1E20cm__3；电阻控制的掺杂浓度为1E17cm_3~1E20cm_3；第一欧姆接触层的厚度为200nm~800nm；第二欧姆接触层的厚度为触层的底部之间的距离为200nm~500nm；第二电流注入窗口的底部与第二欧姆接触层的底[0014]本申请提供的半导体激光器芯片结构，通过间隔设置的7电流注入窗口靠近后腔面一侧的边缘与最靠近前腔面的第二电流注入窗口靠近前腔面一n-1的电流路径不经过电阻控制层，第二电流注入窗口至衬底层的电流路径经过电阻控制层；光器芯片结构。本申请提供的半导体激光器芯片结构的制造方法制造的激光器芯片结构，8图6为图5结构中m_m截面线自半导体激光器侧部边缘至n_n截止线的截面结构示图8为图7结构中m_m截面线自半导体激光器侧部边缘至n_n截止线的截面结构示9光器用半导体激光器芯片前腔面容易出现局部失效以及电光转换人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。得第二电流注入窗口Iwb因电流路径需经过电阻控制层22，电阻控制层22具有相对较高的的底部位于靠近上限制层17的第一欧姆接触层21中，第二电流注入窗口Iwb的底部位于远[0033]本实施例提供的半导体激光器芯片结构，第一电流注入窗口Iwa和第二电流注入一欧姆接触层21的厚度和所述第二欧姆接触[0035]本实施例提供的半导体激光器芯片结构，由于电阻控制层22的掺杂浓度和/或厚第一欧姆接触层21的掺杂浓度为2E19cm_3~[0042]第一电流注入窗口Iwa的底部与第一欧姆接触层21的底部之间的距离为200nm~[0043]第二电流注入窗口Iwb的底部与第二欧姆接触层23的底部之间的距离为200nm~[0047]本申请提供的半导体激光器芯片结构，通过间隔设置的若干第二电流注入窗口[0050]最靠近后腔面的第二电流注入窗口Iwb与电流注入区Ia靠近后腔面的边界之间的[0051]最靠近后腔面的第二电流注入窗口Iwb靠近后腔面一侧的边缘与最靠近前腔面的第二电流注入窗口Iwb靠近前腔面一侧的边缘之间的距离，与电流注入区Ia在前腔面至后[0052]在自后腔面向前腔面的方向上，相邻的第二电流注入窗口Iwb之间的间距依次为S绝缘隔离层3，绝缘隔离层3覆盖电流注入区Ia以外的重掺杂台2背向衬底层11一P面电极4，P面电极4覆盖电流注入区Ia背向衬底层11一侧的表面和绝缘隔离层3光器基体1的面积；重掺杂台2在前腔面一侧和后腔面一侧分别设置有非电流注入限制槽本实施例提供一种半导体激光器芯片结构的制造方法，用于制造上述实施例1的形成重掺杂台2，重掺杂台2形成于激光器基体1的上限制层17背向衬底层11一侧大于第一欧姆接触层21的电阻阻值和第二欧姆接触层在重掺杂台2形成电流注入区Ia；在电流注入区Ia流注入窗口Iwb至衬底层11的电流路径经过电二电流注入窗口Iwb至少形成于电流注入区Ia[0058]本实施例提供的半导体激光器芯片结构的制造方法，可制造上述实施例1提供的终点位于靠近上限制层17的第一欧姆接触层21中，第二电流注入窗