CN119448971A 一种体声波谐振器、滤波器及其制作方法 (深圳新声半导体有限公司)_第1页
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文档简介

道梅都社区中康路136号深圳新一代区域为压电层靠近体声波谐振器盖体一侧的表投影与第一区域在体声波谐振器载体上的正投2凸起的高度;312.一种体声波谐振器的制作方法,所述制作方法用于制作上述权利要求1_10中任一45在第一方向A上,依次位于所述体声波谐振器载体一侧的压电层和体声波谐振器位于所述压电层远离所述体声波谐振器盖体所述第一谐振腔在第二方向B的剖面为L形;所述第二谐振腔在所述第一方向A的6位于所述散热层靠近所述体声波谐振器载体一侧的第二衬底;在所述第一方向A三凸起和所述第四凸起靠近所述压电层一侧的表面与所述焊盘远离所述压电层一侧的至所述载体衬底的一侧形成压电层;在所述压电层远离所述载体衬底的一侧形成第一电极在所述压电层和所述第一电极层远离所述载体衬底一侧域在所述体声波谐振器载体上的正投影与所述第二区域在所述体声波谐振器载体上的正7在所述压电层和所述第一电极层靠近所述第二电极层的一和/或,所述散热层远离所述压电层一侧的全部表面与所述第二衬底靠近所述压8在第一方向A上,依次位于所述体声波谐振器载体1一侧的压电层3和体声波谐振位于所述压电层3靠近所述体声波谐振器盖体5一侧的第二电极层4,所述第二电极层4覆盖所述压电层3的第一表面的第一区域,所述第一区域为所述压电层3靠近所述体位于所述压电层3靠近所述体声波谐振器载体1一侧的第一电极层2,所述第一电9极层2覆盖所述压电层3的第二表面的第二区域,所述第二区域为所述压电层3靠近所述体第一区域在所述体声波谐振器载体1上的正投位于所述压电层3远离所述体声波谐振器盖体5一侧位于所述第一衬底12靠近所述压电层3一侧的第一键合层13;所述第一键合层13位于所述散热层52靠近所述体声波谐振器载体1一侧的第二衬底53;在所述第一位于所述第二衬底53靠近所述压电层3一位于所述第二键合层54靠近所述压电层3一侧的焊盘55,图9~图11为三种刻蚀焊与所述第二衬底53靠近所述体声波谐振器载体1一侧的全部表面相接;图21所示的实施例侧的至少一部分表面与所述第二衬底53远离所述体声波谐振器载体1一侧的表面相接,所述散热层52覆盖所述第二衬底53远离所述体声波谐振器载体1一侧的至少一部分表面;图第三凸起和所述第四凸起靠近所述压电层3一侧的表面与所述焊盘55远离所述压电层3一述体声波谐振器载体1。能够进一步提高散热效率,避免体声波谐振器的谐振频率发生漂述体声波谐振器载体1一侧的至少一部分表面与所述第二电极层4的至少一第二电极层4远离所述载体衬底7的一侧形成压电层3;在所述压电层3远离所述载体衬底7表面;所述第一区域在所述体声波谐振器载体1上的正投影与所述第二区域在所述体声波如图12所示,在所述压电层3和所述第一电极层2靠近所述第二电极层4的一侧放衬底53靠近所述压电层3一侧的全部表面相接;图21所示的实施例中所述散热层52的俯视

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