CN119452461A 优化光刻胶材料的沉积后烘烤状态的方法 （应用材料公司）

2025.01.09PCT/US2023/0249722023.06.09WO2024/015173EN2024.01.18本文所公开的实施方式包括优化光刻胶层23.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学工具使用200nm和800nm之间的电磁辐6.根据权利要求1所述的方法，其中测量所述光刻胶层的特性的步骤是在所述烘烤之7.根据权利要求6所述的方法，其中所述光学工具是与用于烘烤所述光刻胶层的工具8.根据权利要求1所述的方法，其中测量所述光刻胶层的特性的步骤是在所述烘烤期选择具有提供最理想的线宽粗糙度、线边缘粗糙度和/或对辐射暴露的灵敏度的材料15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一PAB和所述第二PAB具有不同的持续时17.根据权利要求13所述的方法，其中在不曝光和显影所述第一光刻胶层或所述第二320.根据权利要求18所述的半导体处理工具，其中所述干式沉积处理包括原子层沉积4第18/204,805号美国专利申请要求了2022年7月11日提交的第63/388,205号美国临时申请期间或之后用光学工具测量第一光刻胶层的材料特性，在第二基板上沉积第二光刻胶层，5[0010]图1是表示根据本公开内容的一个实施方式的使用由本文描述的处理形成的负性光刻胶材料的图案化处理中的各种操作的视图的[0011]图2是根据本公开内容的一[0012]图3是根据本公开内容的一个实施方式的与增加烘烤温度相关的抗蚀剂的各种微[0013]图4A是根据本公开内容的一个实施方式的具有和不具有烘烤操作的光刻胶层的[0014]图4B是根据本公开内容的一个实施方式的在不同PAB烘烤温度下不同波长的消光[0015]图4C是根据本公开内容的一个实施方式的在不同PAB烘烤温度之后的光刻胶层的[0016]图5A是描述根据本公开内容的一个实施方式的利用不同工具显影光刻胶层以产[0017]图5B是描述根据本公开内容的一个实施方式的在单个工具内分析光刻胶层的光[0018]图6是根据本公开内容的一个实施方式的被配置为沉积光刻胶层并在PAB之后测于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下实践实施方式。6[0026]图1示出了表示根据本公开内容的一个实施方式的使用由本文所述处理形成的负刻处理110用于图案化基板或下层102，以形成包括蚀刻特征112的图案化基板或图案化下发生化学转变，这使得暴露和非暴露区域之间的溶解度发生变化。利用溶解度变化，移除7[0035]现在参考图3，示出了根据一个实施方式的随着温度升高的光刻胶层的微结构的8度增加到160℃,并且在220℃的PAB温度下峰值急剧下降。因此，可以确定最佳PAB温度在160℃和220℃之间。220℃线的消光系数下降可能是相对较高温度下微观结构的变化所导[0038]现在参照图4C，示出了根据一个实施方式的在不同烘烤温度下厚度变化的曲线9所示的实施方式中的情况那样在不同的工具之间转到RF源和匹配电路系统650。在又一实施方式中，工具600可以被配置为RF底部馈电架构。在大约15℃和250℃之间。电阻加热元件允许机器执行本文描述的方法中的任何一个或多个的一组指令。在替代实施方式中，机器络中的其他机器。该机器可以在客户端_服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份合。现指令集组合的处理器。处理器702也可以是一个或多个专用处理装置，例如专用集成（applicationspecificintegratedcircuit;ASIC）、现场可编程门阵列（field[0057]计算机系统700还可以包括网络接口装置708。计算机系统700还可以包括视频显全或至少部分地驻留在主存储器704内和/或处理器702内，主存储器704和处理器702也构[0059]尽管机器可存取的储存介质732在示例性实施方式中被示出为单个介质，但术语“机器可读储存介质”应当被理解为包括储存一组或多组指令的单个介质或多个介质（例被理解为包括能够储存或编码用于由机器执行的一组指令并且使得机器执行本公开的任器以及光学和磁性介质。属前驱物蒸汽和氧化剂蒸汽之间的反应导致在基板表面上形成正