CN119452469A 制造包括防止原子物种扩散的阻挡层的结构的方法 （索泰克公司）

FR22065012022.06.22024.12.27PCT/EP2023/0645712023.05.31WO2024/002608FR2024.01.04制造包括防止原子物种扩散的阻挡层的结本发明涉及一种结构(1)，该结构包括由布置在基础基板(2a)的表面上的电荷俘获层(2b)制成的支承体(2)，并且包括由锂基材料制成并转移到支承体(2)上的薄膜(4)。结构(1)包括布置在支承体(2)与薄膜(4)之间并与支承体(2)和薄膜(4)接触的层间介电层(3)。层间介电层(3)包括布置在俘获层(2b)上并与俘获层(2b)接触与第一介电层(31)接触的氮化硅阻挡层(5)以及布置在阻挡层(5)上并与阻挡层(5)接触的第二21.一种制造结构(1)的制造方法，所述结构包括由锂基材料形成并且经由包括第一介电层(31)、氮化硅阻挡层(5)和第二介电层(32)的层间介电层(3)转移到支承体(2)上的薄在所述第一介电层(31)上并与所述第一介电层(31)接触地形成氮化硅阻挡层且所述氮化硅阻挡层具有介于所述介电层间层(3)的厚度的20％至30％之间的至少20nm的在所述阻挡层(5)上并与所述阻挡层(5)接触地形成一从所述中间结构移除所述供体基板的一部分，以在所述支承体(2)上限定所述薄层4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，所述供体5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造8.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法，其9.一种结构(1)，所述结构包括由表面地设置在基础基板(2a)上的电荷俘获层(2b)形(1)包括设置在所述支承体(2)与所述薄层(4)之间并与所述支承体(2)和所述薄层(4)接触b.位于所述第一介电层(31)上并与所述第一介电层(31)接触的氮化硅阻挡层(5)，并且所述氮化硅阻挡层(5)具有介于所述介电层间层(3)的厚度的20％至30％之间的至少34[0001]本发明涉及一种制造包括转移到设置有电荷俘获层的支承体上的薄层的结构的文献WO2021008742和WO2022023630提出利用介电层间层5[0014]本发明的一个目的是通过在包括电荷俘获层的结构中提供包含针对某些原子物承体上的薄层，所述支承体包括在所述薄层的一侧表面地布置在基础基板上的电荷俘获[0016]在布置在所述支承体的主面的所述俘获层[0017]在所述第一介电层上并与所述第一介电层接触地形成氮化硅阻挡层，并且所述氮化硅阻挡层具有介于所述介电层间层的厚度的20％至30％之间的至[0018]在所述阻挡层上并与所述阻挡层接触[0020]从所述中间结构移除所述供体基板的一部分，以在所述支承体上限定所述薄层[0023]·所述供体基板在其主面并且在所述供体基板组装到所述支承体之前设置有表[0025]·所述第一介电层和所述第二介电层由以小于0.5的氮/氧比引入[0029]·由所述第一介电层、所述阻挡层和所述第二介电层形成的堆叠体通过使用6化硅阻挡层具有介于所述介电层间层的厚度的20％至30％之间的至具有介于6ppm至10ppm之间的低间隙氧含量的CZ硅基板，或者是尤其具有自然非常低的间隙氧含量(低于通常设定为10^16cm^_3的检测极限)的FZ硅基板。它还可以是具有超过7[0056]为了在可以应用于结构1的热处理期间保持该层的多晶质量，例如由二氧化硅组成的非晶层可以有利地在淀积俘获层2b之前设置[0057]另选地，俘获层2b可以通过在基础基板2a的表面厚度中注入相对重的物种(诸如氩)以便在其中形成构成电陷阱的结构缺陷来形成。该层2b也可以通过对基础基板2a的表面厚度进行多孔化或者通过能够在基础基板2a的表面厚度中形成结构缺陷(这些结构缺陷挡层5。“氮化硅”是指其通式为SixNy形式从而由氮和硅以可以是或可以不是化学计量[0062]设置在俘获层2b上并与俘获层[0063]位于第一介电层上并与第一介电层[0064]位于阻挡层5上并与阻挡层5接包括除了表面介电层41之外的布置在第二介电层328[0069]可能迁移到俘获层2b的原子物种也可以来自层间介电层3本身，或者来自存在于[0070]为了防止从层间介电层3并且特别是从阻挡层5下面的第一介电层31解吸的这些物种尽可能靠近俘获层2b扩散，选择用于形成第一介电层31和第二介电层32(以及在较小[0071]低氢介电层可以通过LPCVD(低压化学气相淀积)在650℃至850℃并且优选地700越低。如果我们不希望与由氧化硅形成的层相比使得氮/氧比保持在0.01至0.5之间或0.05至是这种情况。其它电介质(诸如氮化硅)可以提供电压应力。这些应力可能导致基板变形9[0076]氮化硅阻挡层5的厚度被选择为介于层间介电层厚度的20％至30％之间。当层间层的其余部分由氮/氧比小于0.5的氧化硅或氧氮化硅组成时和/或当该层间层3具有大于由氮化硅阻挡层5拉伸施加的应力。这可以通过由非化学计量的氮化物形成阻挡层5来实[0080]提供包括表面地布置的电荷俘[0082]在第一介电层31上并与第一介电层31接触[0083]在阻挡层5上并与阻挡层5接触地[0084]组装支承体的主面和供体基板的主[0091]当第一介电层31和第二介电层32由以在氮化硅阻挡层5的方向上增大的可变氮/获层2b来获得。这种处理可以通过将设置有俘获层2b的支承