封装基板行业深度报告传统基板高景气下供不应求玻璃基板CoWoP新技术革故鼎新

西部证券西部证券行业深度研究|电子2019—2022H2全球基板短缺严重、供不应求；22H2开始随着需求端疲软+供给端激进扩张，全球载板进入阶段性衰退期；2026年以来综合欣兴电子、景硕科技、南电等法说左右。2)未来需求：根据Prismark数据，全球载板市场在经历周期性波动后正加速回暖，2026年产值规模预计将同比稳健增长至161亿美元，对应出货量约为858亿颗。展也将持续繁荣。以存储为例，根据我们测算，2025-2026年存储BT载板同比增速为30.0%、23.1%,对应全球存储封装基板市场175.41、215.84亿元。3)未来供给：封装基板扩产较慢，2.5-3年的扩产周期相比PCB更长，我们认为上一轮封周期下海内外厂商在21-23年积极扩产，新增产能在24-25年密集释放；而本轮景气周期揖斐电、欣兴电子等头部厂商25H2至26年开始规划扩产，行业内大规模产能增量有望于2028-2029年释放，2026-2028年行业内新增产能有限，供不应求情况有望持续。产业链上游：Low-CTE电子布与ABF膜是产业链紧缺的核心卡脖子环节。1)Low-CTE电子布：日东纺T-glass供不应求但资本开支节奏偏保守，新增产能预计需至2027年后方能实际落地；宏和科技、泰山玻纤等虽已具备合格的替代能力，但扩产+导入认证仍需时间，目前出货量仍处于较低水平，Lo未来持续演绎。2)ABF膜：日本味之素计划在2030年前将ABF产能提升50%,难以产业链中游：由于ABF封装基板存在受热翘曲问题，未来CoWoP、玻璃基板、陶瓷基板等新技术方案有望成为有机ABF封装基板的替代方案。1)CoWoP:CoWoP模糊了PCB和基板的边界，实现了封装与PCB具备类载板SLP开发能力或掌握mSAP工艺经验。2)玻璃基板：在高密度互连、高频半导体巨头正加速布局玻璃基板技术，其中台积电CoPoS中试线于6月全面建成并投入工艺验证，2026年有望成为玻璃基板进入小批量商业化出货的关键节点。3)陶瓷基板：陶瓷基板热导率可达到200W/m·K,CTE与硅接近并具有更高的可靠性，嵌入HDI芯板可使热阻降低70%以上，实现热量垂直高效传导，陶瓷基板在未来高阶PCB领域大有投资建议：1)封装基板：建议关注深南电路(已覆盖)、兴森科技；2)封装基板上游材料：建议关注宏和科技、华正新材、中材科技(已覆盖);3)CoWoP:建议关注鹏鼎控股(已覆盖)、胜宏科技、沪电股份、景旺电子；4)玻璃基板：建议关注沃格光电、京电电子相对表现1个月3个月12个月电子—2026年电子年度策略2026-03-01业链布局机会—手机系列深度报告(一)2|2|一、封装基板简介：分类方式多样，技术参数要求较高 5二、封装基板市场：2025年以来进入上行周期，2026-2027年供需缺口持续扩大 82.1周期复盘：2023-2024年封装基板产能过剩明显，2025年行业迎来高景气 82.2需求高企+供给爬产需要时间，我们预计2026-2027年供需缺口持续扩大 92.2.1需求端：存储超级周期推动BT基板增长，CPU/GPU高景气下ABF基板持续繁 92.2.2供给端：日韩与中国台湾主导基板市场，长扩产周期导致本轮供需错配 14三、产业链：上游Low-CTE布持续紧缺，中游CoWoP、玻璃基板、陶瓷基板齐头并进 183.1上游材料：Low-CTE电子布与ABF膜是产业链紧缺的核心卡脖子环节 183.2上游设备：封装基板采用mSAP/SAP工艺，对生产设备提出了更高要求 213.3中游制造：CoWoP新工艺持续推进，玻璃/陶瓷基板或将重塑产业链生态 22四、相关标的：行业供需缺口有利于国产基板导入，新技术路线国内厂商大有可为 28五、风险提示 39图1：IC封装基板是芯片封装环节的核心材料 5图2：6层FC-BGA基板的构成 5图3：2019Q1-2025Q2全球主要6家基板厂季度营收情况（亿元） 8图4：2005-2029F全球基板市场规模（十亿美元）与出货量（十亿个） 10图5：2016-2026E全球DRAM/NANDFlash存储市场规模及预测（亿美元） 图6：2025-2026年全球NAND与DRAM产能情况 图7：2023-2026E全球存储封装基板市场规模（亿元） 12图8：2024年存储封装基板分下游占比 12图9：AI服务器中CPU可以管理连接的GPU 12图10：Agent任务属于通用计算密集型操作，CPU优势突出 12图11：2026-2030年全球CPU市场规模（亿美元） 13图12：2021-2026E年中国CPU市场规模（亿元） 13图13：GPU迭代下单die面积持续增长 13图14：AI芯片die面积持续增长 图15：2020Q1-2025Q4全球9家头部科技厂商Capex（十亿美元） 14图16：2020-2030年全球AI半导体市场规模（十亿美元） 14图17：2024年全球先进IC封装基板市场营收份额 14图18：2023年全球前五大BT封装基板厂商份额 153|3|图19：2023年全球前五大ABF封装基板厂商份额 15图20：Low-CTE电子布（T-glass）广泛应用于封装基板等 18图21：日东纺T-glass计划出货量（注：基期2018年出货量记为1，表中为各年出货量相对值） 图22：ABF膜是ABF封装基板的核心介质材料 20图23：味之素在日本群马工厂持续扩产 20图24：华正新材CBF积层绝缘膜迈入小批量生产阶段 20图25：减成法、改进半加成法、半加成法工艺流程对比 21图26：mSAP与SAP工艺可以缩小线宽线距 21图27：ABF封装基板存在受热翘曲问题 22图28：AI芯片功率持续增长，ABF翘曲问题日益严重 22图29：CoWoS与CoWoP对比 23图30：TGV工艺流程 24图31：先进封装中的TGV玻璃转接板Interposer方案 25图32：先进封装中的TGV玻璃芯板 25图33：台积电CoPoS技术简介 25图34：英特尔roadmap中下一代芯片基板为玻璃基板 26图35：英特尔EMIB玻璃基板方案 26图36：电子封装陶瓷基板的制备流程及应用领域 27图37：深南电路拥有印制电路板、电子装联、封装基板三项主营业务 28图38：深南电路国内四大生产基地产能布局 30图39：2016-2025年深南电路封装基板业务营收与毛利率情况（亿元） 30图40：兴森科技主营业务布局与核心产品 31图41：兴森科技品牌客户资源丰富 32图42：2025年宏和科技LowCTE布已批量生产并顺利进入封装基板终端供应链 34图43：鹏鼎控股主要产品布局与应用情况 34图44：华正新材UltraLow-loss与ExtremeLow-loss材料品类 36图45：华正新材铝塑膜产品 36图46：沃格光电在TGV等技术方面在行业内处于领先地位 37图47：通格微玻璃基板产业化进程全面提速 38表1：IC封装基板在线宽/线距、板厚、制备工艺等多项技术参数要求上都比PCB更高 5表2：IC封装基板根据基材种类划分可分为无机基板和有机基板 6表3：WB（引线键合）与FC（倒装）是两种主要的封装形式 6表4：目前行业内量产的基板主要分为BGA、LGA、CSP和SiP封装基板 7表5：2026年2月以来基板厂商法说会指引 9表6：不同存储产品对应的封装基板 10表7：全球基板厂商布局情况 4|4|表8：2023-2024年封装基板迎来新增产能释放高峰 16表9：2019年底-2024年底全球基板企业计划投资统计 16表10：本轮景气周期多个封装基板扩产项目于2026年启动，产能大规模释放时间预计在2028-2029年 表11：Low-CTE玻璃纤维布（即T-glass）拥有低热膨胀特性与高弹性模量 18表12：IC封装基板关键设备 22表13：玻璃基板在高密度互连、高频信号传输等应用中展现出独特优势 24表14：陶瓷基板热导率极高，CTE与硅接近 27表15：深南电路PCB下游重点应用领域 28表16：深南电路封装基板与电子装联业务主要产品 29表17：兴森科技PCB业务生产及销售情况 32表18：兴森科技半导体业务生产及销售情况 33表19：兴森科技主要在建产能项目情况（单位：亿元） 33表20：宏和科技高性能玻纤纱产线建设项目投资规划（万元） 34表21：华正新材主营业务 35行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子一、封装基板简介：分类方式多样，技术参数要求较高IC封装基板是一种用于芯片封装的直接载体，其上层与晶圆颗粒(Die)相连，下层和印刷电路板相连，起着芯片与PCB之间电气连接的作用，同时也为芯片提供保护、支撑、散热等作用。与传统引线框架相比，IC封装基板由于能够实现将互连区域由线扩展到面，缩短了芯片到引出端的距离，极大地提高了互连密度并缩小了封装体积。芯板电镀通孔芯板电镀通孔连接盘表面处理层激光孔积层胶膜相较于普通PCB,IC封装基板在线宽/线距、板厚、制备工艺等多项技术参数上都要求更高。PCB板线宽/线距通常在50-100μm之间，板厚通常在0.3-7mm之间，无法满足芯片封装的技术要求；HDI板线宽/线距通常在40-60μm之间，板厚通常在0.25-2mm之间；IC封装基板线宽/线距在8-40μm之间，板厚在0.1-1.5mm之间。表1:IC封装基板在线宽/线距、板厚、制备工艺等多项技术参数要MediaTekDimensity9400内存、SiP应用处理器改良型SAP(mSAP)半加成法(SAP)电镀铜半固化片(环氧树脂/玻璃纤维布)半固化片(BT或环氧树脂)(环氧树脂)典型线宽/线距(LS)Dk(介电常数)成本(cent/mm²)5|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子6请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明6IC封装基板主要可以通过基材种类、芯片与基板连接方式、封装形式进行分类。根据基材种类划分：可分为无机基板和有机基板，根据越亚半导体招股说明书(申报稿),截至2025年有机封装基板的产值约占整个封装基板总产值的80%以上，其中又以刚性基板为主。表2:IC封装基板根据基材种类划分可分为无陶瓷基板电常数，更适用于高频信号传输电常数，更适用于高频信号传输资料来源：越亚半导体招股说明书(申报稿),西部证券研发中心根据芯片与基板连接方式：WB(引线键合)与FC(倒装)是两种主要的封装形式。WB封装工艺利用热、压力、超声波能量使金属引线与芯片焊盘、基板焊盘紧密焊合，实现晶片与基板间的电气互连。FC封装工艺则是在晶圆和基板上制作Bump点(焊接点)采用焊球连接的方式，使晶圆电气面朝下直接同基板互连。相对于WB封装工艺，FC封装工艺更具先进性，封装的尺寸更小、V/O密度更高、散热性和能更为优越。表3:WB(引线键合)与FC(倒装)是引线键合使用金属线，并利用热、压力、超声波能量焊盘、基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板引线键合封装(WB)倒装芯片封装(FC)芯片根据封装形式不同：目前行业内量产的基板主要分为BGA、LGA、CSP和SiP封装基板，其中BGA高密度、高性能、多引脚的特点，结合FC在高密度芯片上的性能及成本上的优势，FC-BGA封装已成为高性能处理器封装领域的主流选择。表4：目前行业内量产的基板主要分为BGA、LGA、CSP和SiP封装基板装WB微处理器、微控制器、网络芯片服务器等装WB/FC/WB+FCWBWB/FC/WB+FC7|7|8|8|二、封装基板市场：2025年以来进入上行周期，2026-2027年供需缺口持续扩大低谷：22H2开始全球基板进入阶段性衰退期、供过于求，策略，2019至2024年间的计划投资额甚至达到了2024年产值的2.3倍。合计（亿元）合计（亿元）QoQ9|9|表5：2026年2月以来基板厂商法说会指引子年才可能开始缓解，但全年来看状况并不乐产保守，导致目前供不应求；客户正协助协调原料配置，公司亦在大陆与中国台湾寻找技市况仍有信心主要是同业相对往年扩充是精开出产能有助改善，毕竟该公司在电子级玻-及下一财年指引所需的量，但尚未确保应对潜在上行空间的材料。我们将继续推进新供应商的资格认定与评估，立即应对原材料供行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子图4:2005-2029F全球基板市场规模(十亿美元)与出货量(十亿个)2020-20292020-2029CAAGR2015-2020CAAGR1)存储基板：BT基板下游主要包括存储芯片、MEMS芯片、RF芯片等，其中存储是BT基板最大的下游市场。目前高端存储芯片如DDR、LPDDR及精细线路eMMC主要采用mSAP工艺实现30μm以下的精细线路，而消费级SSD及移动存储等低端产品则多采用Tenting工艺满足45μm及以上的线路需求。30/30μm以下30/30μm以下30/30μm以下中端中端资料来源：和美精艺8-1+发行人及中介机构关于第一轮审核问询函的回复，西部证券研发中心2025年全球DRAM/NANDFlash市场规模首次突破2000亿美元，同比增长33%至2216亿美元；预计到2026年这一规模将再度突破6000亿美元。在2023年创下史上最大跌幅请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子11|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明后，全球DRAM/NANDFlash市场自2024年强势反弹，市场规模大幅增长84%;2025年在Al需求驱动下再度成长33%,创历史新高。展望2026年，尽管以Mobile、PC为代表的消费电子需求进入传统周期波动，但Al需求与数据中心正迎以完全匹配市场需求，多重因素共振下2026年存储行业高景气有望延续。根据和美精艺第一轮审核问询函的回复，2023-2024E各类存储对IC封装基板的需求分别为132.66、134.93亿元。综合存储BT基板的量价增长信息，我们预计2025-2026年存储BT基板同比增速分别为30.0%、23.1%,对应全球存储封装基板市场分别为175.41、215.84亿元。存储封装基板出货量：存储封装基板需求量与下游存储出货量关系紧密。对2026年体增长11%,预计2026年增长8%。2)NAND:2025年全球月产能整体下降7%,目前经历2025年上半年的快速减产后原厂产能利用率缓慢回升，2026年全球NAND产能同比增长6%。综上，我们假设25年DRAM、NAND存储封装基板出货量同比-7%、+11%,得到25年存储封装基板整体出货量同比+4%;26年DRAM、NAND存储封装基板出货量同比+6%、+8%,得到26年存储封装基板整体出货量同比+7%。图6:2025-2026年全球NAND与DRAM产能情况西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明存储封装基板价格：参考中国台湾南电(8046.TW)指引，南电BT载板25Q3已完成25%调涨，25Q4与客户协商再调30%;而根据中时新闻网数据，预计ABF与BT载板价格2026年将持续每季上涨5%～10%。我们假设封装基板行业价格增速与南电增速一致，25、26年底BT基板价格相比年初分别增长50%、30%,对应得到BT基板26全年平均报价同比增长25%、15%。图7:2023-2026E全球存储封装基板市场规模(亿元)全球存储封装载板市场(亿元)22025%202320242)CPU基板：CPU在Al时代大有可为，驱动配套基板需求持续增长。CPU在Al领域CPU可以管理连接的GPU,并持续为其提供数据；3)Agent:Agent执行的调用工具、查询数据库、发送API请求、搜索互联网等任务本质上都属于通用计算密集型操作，而市场规模方面，根据中商产业研究院数据，2026年全球CPU处理器市场规模将达到1255.8亿美元，预计到2030年有望提升至1780亿美元。Al应用方面，据CreativeStrategies预测，全球数据中心CPU市场规模将从2026年的250亿美元增长至2030年的600亿美元；如果叠加Agent相关需求，市场规模有望逼近1000亿美元。受益于Agent西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子13|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明的快速增长，2025年4季度CPU行业便开启了涨价行情，2026年以来CPU报价已经多次上调，平均涨幅达到10%-15%。据日经亚洲3月25日报道，英特尔与AMD已通知客户上调全系列CPU价格，平均涨幅在10%-15%,部分产品涨幅更高；同时交货周期将从之前的1-2周大幅延长至8-12周，个别情况下甚至将长达6个月。我们认为，CPU在Al时代大有可为，而ABF基板是CPU发挥功能的关键，CPU在Al时代的增长有望推动ABF基板市场持续繁荣。全球CPU全球CPU市场规模(亿美元)25%图12:2021-2026E年中国CPU市场规模(亿元)3)GPU基板：GPU相比CPU面积更大，芯片迭代下对ABF基板性能与面积提出更多双Die集成使总硅面积跃升至约1600平方毫米，较前代Hopper架构实现翻倍。这种硅面积的增长直接驱动了配套ABF基板向超大尺寸演进，以容纳倍增的晶体管数量的信号互连。进入Rubin世代制程迭代与存储规格升级进一步推高了基板壁垒。RubinUltra计划配备16个HBM4堆栈，总容量高达1TB,虽然出于热应力与封装良率考量，其四芯片设计可能回归2+2的双芯片组配置。我们认为，随着芯片架构从单Die向多Die及2.5D/3D封装深度演进，单颗高端GPU配套基板的价值量有望伴随芯片尺寸的扩张与封装难度的提升而迎来显著增长。88888888888Microsoft、Meta、AWS及Oracle为代表的全球9家头部科技厂商季度资本开支从2023Q1的311亿美元增长至2025Q3的1004亿美元；Al芯片方面，根据IDC数据，全球Al半导体市场规模预计将从2024年的873亿美元增长至2026年的1655亿美元，2025与2026年同比增速分别高达47.1%和28.8%;预计到2030年全球Al半导体市场规模有望达到行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子14|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明4138亿元。算力芯片的高速增长将持续转化为对高端ABF基板的刚性支撑。图15:2020Q1-2025Q4全球9家头部科技厂商Capex(十亿美图16:2020-2030年全球Al半导体市场规模(十亿美元)2.2.2供给端：日韩与中国台湾主导基板市场，长扩产周期导致本轮供需错配中国台湾、韩国与日本主导IC封装基板市场，国内厂商加速追赶。根据中国台湾电路板协会统计，中国台湾、韩国与日本的IC封装基板厂商产值占整体产值的比例超过85%。其中，目前中国台湾IC封装基板厂商为全球最大IC封装基板供应者，约占整体产值的32.80%。细分占比方面，1)BT基板：根据中国台湾电路板协会统计，全球BT封装基板前五大厂商分别为三星电机(12.80%)、LGInnotek(12.80%)、信泰电子(10.00%)、大德电子(7.10%)以及欣兴电子(6.90%)。2)ABF基板：根据中国台湾电路板协会统计，全球ABF封装基板前五大厂商分别为欣兴电子(23.90%)、揖斐电(13.80%)、AT&S (11.80%)、南电(11.40%)以及新光电气(11.30%)。国内厂商方面，目前内资IC封装基板厂商仍以生产存储芯片封装基板为主，并开始逐步布局应用于CPU、GPU等领域的高端逻辑芯片封装基板产品。行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子15|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明图18:2023年全球前五大BT封装基板厂商份额■大德图19:2023年全球前五大ABF封装基板厂商份额■欣兴电子■揖斐电■南亚电路心资料来源：Prismark,和美精艺问询函回复公告，西部证券研发中心材质终端产品内资台资外资◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆OO◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆O桌面级CPU/GPU、MPU、AP等◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆等◆

O◆◆◆◆◆◆◆◆◆资料来源：和美精艺第一轮审核问询函的回复，西部证券研发中心(注：1.◆表示已覆盖该类技术工艺，

表示未覆盖该类技术工艺，O表示未公布是否覆盖该类技术工艺；2.部分企业未在官网或公告披露其具体掌握的生产工艺与封装工艺，根据其具体产品类型进行推测。)封装基板扩产较慢，投资周期相比PCB更长。根据和美精艺审核问询函的回复，投资新建一个IC封装基板厂从投资建厂到实现量产的时间通常为3年左右，投资规模根据规划的产品及设计的产能不同从数亿元至数十亿元不等；而根据欣兴电子26年3月法说会，基板如果是素地新建，扩产周期包含建厂约一年再加上设备导入与客户验证约一年半，总计约需两年半的时间。划扩产，行业内大规模产能增量有望于2028-2029年释放，2026-2028年行业内新增产2021-2022年景气周期：日本、中国台湾以及欧洲厂商对ABF基板扩产策略较为激进，国内厂商主要加码BT基板。全球IC基板的市场规模曾在2011年达到峰值，随后出现下滑，直至2018年期间整体市场需求量基本处于平稳状态，部分产品市场竞争较为激烈，因此整个行业并未进行大规模扩产。受益于5G、AI、自动驾驶、大数据等行业的发展，高端芯片需求旺盛，IC基板市场需求在2019年底开始快速的发展，在此情况下，包括日本Ibiden、大德电子、AT&S、Shinko、欣兴电子、南电、景硕表8：2023-2024年封装基板迎来新增产能释放高峰ABF封装基板扩产--越南河内厂-ABF封装基板扩产表9：2019年底-2024年底全球基板企业计划投资统计SEMCO、Daeduck、LG-Innotek、KCC、SimWB-CSP—||||约3年的投产及爬坡周期，行业内真正具备规模效益的增量产能释放将推迟至2028-2029年。以欣兴电子为例，公司大幅表10：本轮景气周期多个封装基板扩产项目于2026年启动，产能大规模释放时间预计在2028-2029年-合计5000亿日元子-截至26年4月设备导入中-技-杨梅六厂-K6B厂闻网，电子工程专辑，Digitimes，广东省电路板行业协行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子3.1上游材料：Low-CTE电子布与ABF膜是产业链紧缺的核心卡脖子环节1)Low-CTE布：Low-CTE玻璃纤维布(即T-glass)是专为突破先进半导体封装基板物理极限而生的核心关键基材，广泛应用于封装基板领域。随着先进封装成为全球半导体产业算力提升的核心路径，芯片封装复杂度急剧上升且基板尺寸不断向大面积化、多层化演进，导致硅芯片与有机基板之间因热膨胀系数失配而引发的翘曲问题日益严重。Low-CTE布凭借其极致的低热膨胀特性与高弹性模量，被产业界公认为解决大尺寸基板翘曲难题的有效方案。应用方面，Low-CTE布核心应用场景高度集中于各类高端半导体封装基板的制造：1)在逻辑计算领域，Low-CTE布正被大规模应用于AI服务器与数据中心网络设备中CPU、GPU及ASIC等大算力芯片的封装基板；2)在边缘端已切入智能手机AP与汽车高级SoC的封装基材；3)在存储领域，Low-CTE布应用正从DDR内存封装基板加速向NAND闪存封装基板拓展。纤维布(即T-glas密度(g/cm³)拉伸强度(GPa)拉伸弹性模量(GPa)最大伸长率(%)热膨胀系数(10℃)介电损耗因子(1GHz)TETEEEEEUltra-thinEUitra-thinTMotherboardsubstratesUtra-thinEUtra-thinETEEAdvancedSoCsSemiconductorpackagesubsTAdvancedSoCsSemiconductorpackagesubsTE资料来源：日东纺官网，西部证券研发中心18|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子日东纺T-glass供不应求，Low-CTE布供需缺口有望持续。目前海外龙头日东纺正面临显著的产能短缺瓶颈，其绝大部分LowCTE产能已被绑定并分配给Resonac,以支持lbiden、欣兴电子等基板大厂在Al数据中心大尺寸FC-BGA领域的庞大需求，这导致MGC等其他覆铜板厂商获批的配额较小，交期已被迫大幅拉长。尽管日东纺已启动扩产计划，但日系厂商整体资本开支节奏偏保守，新增产能预计需至2027年后方能实际落地。中国厂商方面，中国台湾台玻、中国大陆宏和科技、泰山玻纤等虽已具备合格的替代能力，且英伟达与欣兴电子等产业链核心玩家正积极推进对其他供应链厂商的导入认证工作，但受限于极高的材料技术壁垒与漫长的验证周期，目前产量仍处于较低水平。我们认为，由于上游核心基础材料的扩产及良率爬坡需要较长时间，有效产能的开出速度或将远不及下游AI算力芯片先进封装需求的快速增长，LowCTE玻璃布的结构性短缺态势有望在未来持图21:日东纺T-glass计划出货量(注：基期2018年出货量记为1,表中为各年出货量相对值)4.02)ABF膜：ABF即味之素积层薄膜，是高端半导体封装基板不可或缺的核心绝缘介质材料，目前由日本味之素公司实质性垄断全球市场。从产业发展史来看，味之素团队在1996年极速完成原型开发后曾遭遇三年市场空白期，但期间公司坚持构筑严密的知识产权保护体系并持续推高技术壁垒，最终在1999年依托前瞻性半导体大厂的导入，成功确立了其在高性能计算领域的绝对主导地位并延续至今。根据TradingKey数据，味之素凭借近三十年积累，在GPU和CPU封装基板的ABF材料市场建立了近乎垄断的地位，2025年全球份额超过95%;行业第二积水化学自2014年进入市场，至今市占仅约5%。应用方面，ABF膜是ABF封装基板的核心材料，主要在于其具备多维度的显著比较优势：相较于传统液态树脂，ABF薄膜能够彻底根除涂布过程中的气泡与印刷不均等痛点，大幅挽回良率损失；与树脂涂覆铜箔相比，ABF更加契合先进制程对精细线路成型、精密蚀刻及激光加工的严苛要求；同时，相较于传统光通孔材料，ABF在多层绝缘介质堆叠及跨层通孔加工设计上赋予了极高的自由度。凭借这些不可替代的工艺属性，ABF已成为支撑全球PC及高算力数据中心服务器芯片先进封装的底层基石。19|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子ABF绝缘层+铜电路层味之素扩产规模难以满足Al时代发展要求，国内厂商已经实现国产ABF零的突破。根据TrendForce报道，味之素计划在2030年前投资至少250亿日元(约合人民币12亿元),将ABF产能提升50%;而根据美国斯坦福大学《2026年人工智能指数》报告，全球Al算力需求自2022年以来每年增长约3.3倍，味之素的扩产速度显然无法匹配需求的指数级增长。国内厂商方面，我国早在2016年就有多家企业开始涉足研发ABF材料，经过多年的技术攻坚，国产ABF膜已实现零的突破。1)华正新材已开发出对标日本味之素ABF膜的CBF积层绝缘膜且已通过下游厂商验证，其85%的良率接近国际水平，能够进入国产供应链并迈入小批量生产阶段；2)宏昌电子的GBF增层膜也是对标日本味之素ABF膜、面向先进封装(FC-BGA/HBM)的国产核心材料，目前已通过头部封测厂商的技术验证并已进入全球头部芯片企业的选材平台。图23:味之素在日本群马工厂持续扩产资料来源：味之素官网，西部证券研发中心图24:华正新材CBF积层绝缘膜迈入小批量生产阶段℃围封装基板积层绝缘膜23封装基板积层绝缘膜封装基板积层绝缘膜4封装基板积层绝缘膜56封装基板积层绝缘膜封装基板积层绝缘膜20|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08日3.2上游设备：封装基板采用mSAP/SAP工艺，对生产设备提出了更高要求封装基板制造工艺涵盖Tenting、mSAP与SAP,mSAP与SAP工艺生产的IC封装基板附加值高于Tenting。1)Tenting工艺是出现较早且应用较为广泛、成熟的生产工艺，一般应用于线宽/线距30/30μm以上的IC封装基板产品。主要工艺原理是通过蚀刻等方法去除覆铜板表面多余的铜以获得所需要的导电线路。化学蚀刻在垂直向下蚀刻的同时会向两端蚀刻形成侧蚀现象，造成线路的底部宽度大于顶部。由于蚀刻的精度难以控制，线宽/线距越小，使用Tenting工艺生产的难度越高，良率亦会降低。2)mSAP工艺原理是用干膜将不需要的线路覆盖，然后在覆铜板的超薄铜箔上镀铜加厚所需要的线路，再通过闪蚀工艺将不需要的线路快速去除，以获得最后的导电线路，更利于制作超密线路的IC封装基板产品。3)SAP工艺原理与mSAP工艺相似，主要区别在于mSAP工艺直接在基材上的铜箔上电镀加厚所需要的线路，而SAP工艺直接在ABF材料上的超薄化学铜涂层电镀加厚所需要的线路。图25:减成法、改进半加成法、半加成法工艺流程对比图形转移超薄铜箔图形转移闪蚀绝缘树脂化学镀铜图形转移设备方面，封装基板相较于PCB对设备提出了更高要求。IC封装基板的关键设备为压膜机、曝光机、显影线、镀铜VCP、有机去膜线、闪蚀线、真空DES线、AOI系列设备、沉铜线、压平机、曝光机、涂布机、镀金线、OSP抗氧化线、外观检测设备、四线测试机以及飞针测试机，涉及工序有压膜、曝光、显影、镀铜、去膜、蚀刻、AOI、PTH、防焊、镀金、OSP和终检等。关键设备方面，IC封装基板在多项核心工序的精度壁垒显著设备分辨率要求达50倍放大；2)防焊环节：开窗直径缩紧至60-120μm,曝光偏移量严控在±50μm;3)蚀刻与电镀环节：全面升级为真空或二流体蚀刻，电镀均匀性要求显著增高。行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子曝光显影线去膜点、喷嘴形状和喷管排列闪蚀线防焊曝光均匀性、对位精度四线测试机电阻阻值监控电阻阻值监控我们认为，由于有机ABF封装基板热膨胀系数(CTE)为17-20ppm/°℃,而硅的CTE约3ppm/℃,封装基板与硅基GPU/CPU芯片存在热膨胀系数不匹配问题。目前行业对封装基板翘曲Warpage要求为小于125μm,随着Al驱动的芯片面积增大、功率与发热的提升，翘曲问题已成为制约ABF封装基板良率和可靠性的瓶颈。展望未来，CoWoP、玻璃基板、陶瓷基板等新技术方案有望成为有机ABF封装基板的替代方案。22|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明图28:Al芯片功率持续增长，ABF翘曲问题日益严重西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子1)CoWoP:或成未来封装路线，核心是将interposer直接搭载至PCB上。CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是由台封装技术，其核心思想是将多个裸芯片(例如SoC与HBM)通过微凸点固定在硅中片集成。这一方案广泛应用于高性能计算、人工智能加速器和网络处理器中。CoWoP(Chip-on-Wafer-on-PCB)作为一种新一代先进封装技术，相比CoWoS封装尺寸与更高的互连密度，CoWoP能够满图29:CoWoS与CoWoP对比CoWoP模糊了PCB和基板的边界，实现了封装与PCB的一体化。优势方面，1)CoWoP可直接利用大尺寸PCB作为载体，从而显著降低材料与制造复杂度，简化封装流程并加快产品交付速度；2)CoWoP通过减少封装层级并采用多层HDI或mSAPPCB,带来更短的互连路径、更优越的信号完整性与更有效的功耗控制，适应未来Chiplet异构集成与高密带宽需求。3)CoWoP在消费电子、边缘Al加速器等中端应用场景中，也表现出明显优势，因其性能与成本比例优异，有望在未来商业化落地。目前这一方向尚处早期阶段，面临门槛较高的技术挑战，如该方案要求PCB实现10μm的线宽/线距能力，这远高于当前SLP主板比较普遍的20-35μm水平。2)玻璃基板：玻璃基板(GlassSubstrate)是指采用高性能玻璃材料作为半导体、显示面板、封装载体等电子元器件的基底材料。玻璃基板最早应用于显示行业，随后随着先进封装技术的发展，玻璃基板开始进入半导体领域，特别是在晶圆级封装(WLP)、面板级封装(PLP)、2.5D/3D封装、射频(RF)应用以及先进光学器件等领域。目前玻璃基板被视为替代传统硅基板和有机基板(如PCB、BT基板)的重要材料之一，尤其在高密度互连、高频信号传输等应用中展现出独特优势。23|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和23|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子表13:玻璃基板在高密度互连、高频信号传输等应参数项目TSV基板(硅基)TGV基板(玻璃基)互连密度最小线宽/线间距(L/S)最小通孔直径(mm)5(极小)32(中等)10(小)最小通孔节距(mm)25(极小)>100(大)50(小)电性能介电常数Dk(1GHz,25℃)×10⁴11.7～12.9(较高)4.2～4.9(低)3.3~5.1(低)介电损耗Df(1GHz,25℃)×10⁴50(低)180(高)0.2～35(极低)介电损耗Df(10GHz25℃)×10⁴150(高)250(高)21(极低)10^4(低)>=10^8(高)>=10^12(极高)热膨胀系数CTE(×10-⁶.℃⁻1)3(与芯片匹配)>13(失配严重)3～9(可调/匹配)150(高)<1(低)~1(低)杨氏模量(GPa)150(高)18.9(低)74.8(高)尺寸稳定性/翘曲控制差(大尺寸挑战大)优异(刚性高)高(需绝缘层)低(成熟PCB)中等(无需绝缘层)低中低(尤其是面板级)晶圆级(<=300mm)面板级(成熟)面板级(潜力>=500mm)玻璃基板高密度互连的关键在于玻璃通孔(Through-GlassVia,TGV)技术。玻璃通孔 (TGV)是指在玻璃基板上加工贯穿孔，并在孔内填充导电材料(如铜),以实现芯片之间的垂直互连。TGV技术使玻璃基板在2.5D/3D封装中具备类似硅通孔(TSV)的互连能力，同时保持低成本和优异的介电性能。图30:TGV工艺流程工艺流程PVD技术是导电通孔和再布线层的基础和关键工艺RDL:第二层线路溅射Cu均匀性≤±5%常用飞秒或皮秒激光钻孔RDL:第一层线路光刻图形化+温法刻蚀线宽/线距≥10/12μm膜厚0.1~8um,均匀性≤土5%电镀铜完整填充，形成垂直导电柱电流密度0.5-2.5A/dm²在先进封装领域，玻璃基板基于物理架构与集成层次的差异分为玻璃转接板与玻璃芯板两大方案。1)TGV玻璃转接板(Interposer):系实现芯片异构集成的核心中介组件，本质上是一种高密度布线基板，主要用于在单一平台上整合逻辑芯片与高带宽内存HBM等不同功能的芯粒。2)TGV玻璃芯板(GCS):作为传统树脂封装基板的替代方案，系以玻璃为核心材料的新型IC封装基板。该架构直接承载裸芯片并向下连接PCB,旨在支撑更大尺寸的多芯粒系统化集成。产业化方面，不同厂商重点研发方向不同，如三星电机和LGInnotek重点聚焦玻璃芯基板(GCS),而三星显示和LGD则更为关注的玻璃转接板 24|24|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子图31:先进封装中的TGV玻璃转接板Interposer方案HBM(HBM(高带宽内存)微凸块IC芯片玻璃转接板PCB(印制电路板)PCB(印制电路板)目前英特尔、三星、英伟达、AMD、台积电等全球半导体巨头正加速布局玻璃基板技术，推动玻璃基板在Al芯片、高性能计算等领域的应用。以台积电CoPoS为例，CoPoS本质上是CoWoS-L和CoWoS-R的方形面板演变，将传统的圆形晶圆换成矩形基板，即CoPoS在以CoWoS为原型面板化后，由FOPLP与CoWoS结合的芯片排列于大型方形面板RDL层取代传统圆形硅中介层，达到转化圆型为方型的目标。CoPoS最大优势为将芯片直接排列于面板之上，矩形设计尺寸为310x310毫米，比传统圆形晶圆提供了更多的可用基板空间，从而提高了输出效率并降低了成本，实现更高效、更大规模、更低成本的封装，可大幅提高面积利用率、降低材料成本，尤其适合下一代HBM高频宽内存与Al加速芯片。Chip-on-Wafer-on-SubstrateChip-on-Panel25|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子国际巨头玻璃基板产业化布局加速推进，2026年有望成为玻璃基板进入小批量商业化出货的节点。1)台积电：4月13日，据中国台湾工商时报援引半导体产业链消息，台积电旗下采钰科技(VisEra)的CoPoS中试生产线已于2月启动设备交付，整条产线预计将于6月全面建成并投入工艺验证。2)苹果：根据韩国媒体TheElec于4月7日的报道，苹果公司已开始测试先进的玻璃基板，计划用于其内部代号为“Baltra”的自研AI服务器芯片。该芯片预计采用台积电3纳米N3E工艺和Chiplet架构。苹果采取了更为封闭的供应链策略，直接向三星电机采购T-glass玻璃基板进行评估。3)英特尔：据Wccftech报道，在2026年NEPCONJapan大会上，英特尔介绍了最新玻璃基板技术，其展示的方案是在78mmx77mm封装，面积达到了标准光罩尺寸的两倍。在垂直截面上，采用10-2-10堆叠架构，包括10层重布线层(RDL)、双层玻璃基板、以及10层堆叠层，利用玻璃材料特性实现了高密度布线，这是该方案的核心优势。市场规模方面，2026年有望成为玻璃基板进入小批量商业化出货的节点，而2028年至2030年将进入快速增长期。YoleGroup于2025年11月发布的行业报告指出，2025年至2030年期间半导体玻璃晶圆出货量的复合年增长率将超过10%。图34:英特尔roadmap中下一代芯片基板为玻璃基板·Transitionfromorganictog资料来源：超能网，西部证券研发中心3)陶瓷基板：陶瓷基板主要由陶瓷基片与表面金属线路层构成。在电子封装中基板承担着承上启下、联通内外散热路径的关键角色，兼具电气互连与机械支撑等重要功能，而陶瓷材料因其热导率高、耐热性佳、机械强度优越、热膨胀系数低等特性，广泛应用于微电子封装、传感器和无源元件等领域并成为功率半导体器件封装中常用的基板材料。分类方面，1)根据制备原理与工艺不同，平面陶瓷基板可分为薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DBC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接电镀铜陶瓷基板和激光活化金属陶瓷基板(LAM)等。2)根据材料不同，陶瓷基板分为Al2O3、SiC、AIN、Si3N4基板等。26|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子27|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明PreparationofpowdersAsuypS9Ihs9HDI持续向高阶发展，陶瓷基板有机会成Al服务器芯片的关键底座。当前GPU计算卡HDI普遍为5-6阶，未来HDI阶数升级叠加线宽线距持续下降导致PCB热管理问题成为突出问题。陶瓷基板热导率可达到200W/m·K,CTE与硅接近并具有更高的可靠性，嵌入HDI芯板可使热阻降低70%以上，实现热量垂直高效传导，陶瓷基板在未来高阶PCB领域大有可为。转变温度1℃FR-4(环氧基板)130-150(玻璃化转变温度Tg)氮化铝(AIN)行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子四、相关标的：行业供需缺口有利于国产基板导入，新技术路线国内厂商大有可为1)深南电路：公司拥有了印制电路板、封装基板、电子装联三项主营业务，封装基板业务营收稳步增长。公司以互联为核心，在不断强化印制电路板业务领先地位的同时，大力发展与其“技术同根”的封装基板业务及“客户同源”的电子装联业务，形成了业界独特的“3-In-One”业务布局。PCB:重点涵盖高端通信、数据中心等领域。公司在PCB业务产品下游重点布局数据中心(含服务器)、通信设备(覆盖无线侧及有线侧通信)、汽车电子(聚焦新能源和ADAS方向)等领域，并长期深耕工控、医疗等领域。1)高端通信等领域产品性能业内领先，以背板为例，当前公司背板样品最高层数可达120层，批量生产层数可达68层，处于行业领先地位。2)数据中心领域在2024年度成为公司PCB业务继通信领域之后，第二个达20亿元级订单规模的下游市场。无线网传输网高速材料、大尺寸、高多层、高密度、多种背钻、刚挠结核心网高速材料、大尺寸、高多层、高密度、多种背钻、刚固网宽带多层板、刚挠结合交换机、光模块、服务器/存储设备、背板、高速多层板、HDI高速材料、大尺寸、高多层、高密度、多种背钻、刚28|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明电池保护板、光学摄像、无线耳机等刚挠结合板、HDI源汽车三电系统(电池、电机、电控)高频微波板、刚挠结合板、HDI、资料来源：深南电路2024年年报，西部证券研发中心封装基板：主要包括BT基板与ABF基板业务。公司具备了包括WB、FC封装形式全覆盖的封装基板技术能力，封装基板产品覆盖模组类封装基板、存储类封装基板、应用处理器芯片封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。其中公司FC-BGA封装基板现已具备20层及以下产品批量生产能力，各阶产品相关送样认证工作有序进行；20层以上产品的技术研发及打样工作按期推进中。电子装联：公司已具备为客户提供包括产品设计、开发、生产、装配、系统技术支持等能力，电子装联按照产品形态可分为PCBA板级、功能性模块、整机产品/系统总装等，业务主要聚焦通信、数据中心、医疗电子、汽车电子等领域。表16:深南电路封装基板与电子装联业务主要产品电子装联聚焦通信、医疗电子、航空资料来源：《深南电路公开发行可转换公司债券募集说明书》,西部证券研发中心公司主要生产基地位于中国深圳、无锡、南通、广州以及泰国大城府(在建)。PCB方面，公司积极推进泰国工厂以及南通四期项目的基础工程建设，其中1)泰国工厂总投资额为12.74亿元人民币，目前基础工程建设按期有序推进中，未来将具备高多层、HDI等PCB工艺技术能力，其建设有利于公司进一步开拓海外市场。2)南通四期主要为构建HDI工艺技术平台和产能，为后续业务拓展提供支撑。封装基板方面，1)无锡基板二期工厂已实现单月盈亏平衡；2)广州封装基板项目一期已于23Q4连线，产品线能力快速提升，产能爬坡稳步推进，已承接包括BT类及部分FC-BGA产品的批量订单，但总体尚处于产能爬坡早期阶段。行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子30|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明南山总部南山总部龙岗分公司无锡深南电路有限公司南通深南电路有限公司(在建)公司封装基板业务营收稳步增长。目前公司具备了包括WB、FC封装形式全覆盖的封装基板技术能力，封装基板产品覆盖模组类封装基板、存储类封装基板、应用处理器芯片封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。BT类基板方面，25年公司存储类产品制造能力持续突破，推动客户高端DRAM产品项目的导入及量产，带动公司相关产品订单显著增长；处理器芯片类产品方面，FC-CSP类工艺能力稳步提升，市场竞争力持续增强；RF射频类产品，新客户新产品陆续导入，目标产品完成量产；FC-BGA类封装基板方面，产品线能力稳步提升，目前22层及以下产品已实现量产，24层及以上产品的技术研发及打样工作按期推进。图39:2016-2025年深南电路封装基板业务营收与毛利率情况(亿元)一封装基板营收YoY——封装基板业务毛利率(%)252)兴森科技：公司主营产品涵盖传统PCB业务和半导体业务两大主线。公司具备覆盖先进电子电路全类别产品的技术能力，已实现减成法(Tenting)、改良半加成法(mSAP)、半加成法(SAP)等全技术领域的覆盖，产品类别涵盖传统高多层PCB、软硬结合板、高密度互连HDI板、类基板(SLP)、ATE半导体测试板、封装基板(含CSP封装基板西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子和FC-BGA封装基板)等全类别先进电子电路产品，为客户提供了从设计到测试交付的整体解决方案，月交货能力平均25,000个品种。PCB业务：公司采用CAD设计、制造、SMT表面贴装和销售的一站式服务的经营模式，PCB产品样板、小批量板主要包括刚性电路板、柔性电路板、刚挠结合电路板和高密度互连板(HDI)等。近年来公司持续扩展高阶PCB领域，持续完善AnylayerHDI板和类基板(SLP)业务布局，在坚守高端智能手机主赛道的基础上，全力拓展AI相关的高端光模块、毫米波通信市场。半导体业务：半导体业务包含IC封装基板和半导体测试板业务，其中1)公司封装基板主要包括系统级封装基板(SiP)、芯片级封装基板(CSP)、塑料焊球阵列封装基板(PBGA)、晶片尺寸型覆晶基板(FC-CSP)等，主要应用于芯片封装环节；2)半导体测试板采用研发、设计、制造、表面贴装和销售的一站式服务经营模式，产品应用于从晶圆测试到封装后测试的各流程，产品类型包括探针卡、测试负基板、老化板、转接板。产品布局IC封装基板微波阶梯槽板；医疗设服务器板等。客户：在PCB领域，公司是我国经营规模最大的PCB样板和小批量生产企业，为华为、中兴通讯、烽火通信、中际旭创、浪潮信息、星网锐捷、西门子、株洲中车等超过4,000家企业提供研发、测试及小批量供应阶段的专业化服务；在封装基板领域，公司客户主要为国际知名芯片企业，封装基板应用于华天科技、长电科技、三星半导体、华泰电子、京元电子、太极半导体等企业的产品上。截至25年4月，公司FC-BGA封装基板项目也已处于小批量生产阶段。行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子资料来源：《关于请做好兴森科技非公开发行股票发审委会议准备工作的函》回复，西部证券研发中心产能：PCB方面，公司分为广州、宜兴、北京与海外(子公司EXCEPTION)四大生产基地，2024年四大基地合计产能达115.51万m²1年，同比增长8.56%;产能利用率70.71%,同比增长6.36pct。封装基板方面，目前公司有珠海和广州两个FC-BGA基板厂，其中珠海定位为高阶FC-BGA基板样品及小批量基地并于2022年年底投产；广州基板厂系2022年3月公司设立全资子公司广州兴森半导体，并在广州知识城建设生产研发基地，分两期建设月产能2000万颗的FC-BGA封装基板智能化工厂，定位为高端FC-BGA基板大批量基地。截至2024年年底，公司对上述两个基板场的投资规模已超30亿元，其中广州和珠海两个基板场所对应的投资进度分别为54.89%、91.05%。项目产能(平方米/年)其中：广州生产基地(平方米/年)宜兴生产基地(平方米/年)北京生产基地(平方米/年)EXCEPTION产线(平方米/年)产量(平方米)销量(平方米)单价(万元/平方米)资料来源：《兴森科技可转换公司债券2025年跟踪评级报告》,西部证券研发中心32|请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明表18：兴森科技半导体业务生产及销售情况表19：兴森科技主要在建产能项目情况（单位：亿元）平方米/月类基板域人员整合与优化，以降低运营成本、（CSP）方米/年封装基板--3）宏和科技：公司是全球领先的高端电子级玻璃纤维布供应商，专注于极薄布、超薄布营，具备高端电子纱布一体化生产能力。公封装基板终端供应链；公司低介电一代和低介电二代产品也已获得客户认证通过并于||行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明图42:2025年宏和科技LowCTE布已批量生产并顺利进入封装基板终端供应链产品类型(LoWCTE-glass)(BBN/箱)GTBC37501/00.7Z4GTBC30001/00.7Z4455GTE2251/00.7Z7公司26年3月公告了黄石80亿投资项目。26年3月公司公告拟通过全资子公司黄石宏和电子材料科技有限公司，在黄石经济技术开发会·铁山区投资建设“高性能电子材料产业园项目”,总投资约80亿元(含固定资产投资及营运资金)。项目分两期建设，规划用地约359亩。表20:宏和科技高性能玻纤纱产线建设项目投资规划(万元)投资项目工程建设其他费用-4)鹏鼎控股：mSAP工艺业内领先，积极参与CoWoP技术验证与研发。根据Prismark以营收计算的全球PCB企业排名，鹏鼎控股2017—2024年连续八年位列全球最大PCB生产企业。公司目前在智能手机及消费电子等领域具有领先的技术实力及大规模量产能力，业已成为Al手机、Al电脑、Al眼镜等Al端侧产品市场的主要供应商之一。||名厂商紧密合作，推动公司AI服务器产品开发与认证进程，与客户合作开发下一代3.2T光通信解决方案，进一步深化公司在AI产业链的产品布局。表21：华正新材主营业务计算机及外围设备、通讯设备、汽车电子、消费电服务器、存储器、交换机、基站、路由器、汽车电子、高性能计算机等音圈马达、PMIC等多个应用领域实现批量稳定交付；CBF积层绝缘膜加快研发进西部证券行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子请务必仔细阅读报告尾部的投资评级说明和声明CCL:公司高速覆铜板主要聚焦在Al服务器、交换机、光模块等细分市场应用，目前有卤UltraLow-loss等级材料已实现产品化销售；无卤UltraLow-loss等级材料在性能上表现优异，并已获得服务器终端客户的认可；应用于大芯片智算领域的Ultralowloss(LowCTE)材料已通过国内头部终端认证，并实现小批量订单；Extremelowloss等级国产化产品已参与国际知名芯片终端的测试认证，并持续推进中国台湾与欧美终端客户认证。序号产品系列2345672铝塑膜：公司铝塑膜产品分为W1系列、W3系列、W5系列，主要应用于软包锂电池的电芯封装，由外层尼龙层、中间铝箔层、内层热封层通过胶粘剂压合粘结而成，其在阻隔性、冲深、耐穿刺、耐电解液和绝缘性等方面均有严格要求，目前已被广泛应用于动力、3C数码、储能等软包锂电池。图45:华正新材铝塑膜产品W5系列主要应用于智能手机等薄型3C电池(含黑膜)W3系列主要应用于小动力电池、汽车启动电源、固态/半固态电池、储能类电池等W1系列主要应用于电动工具、蓝牙、电子烟等3C类产品(含黑膜)行业深度研究|电子2026年05月08行业深度研究|电子6)沃格光电：公司TGV与GCP技术业内领先，玻璃基板产业化进程全面提速。公司是国际上少数掌握TGV技术的企业，并在玻璃薄化、双面镀铜以及微电路图形化技术方面具有行业领先地位。TGV方面，公司自主研发玻璃通孔(TGV)技术，创新利用超快激光加湿法混合刻蚀工艺，可对多种类型的大板玻璃材料进行高深宽比TGV通孔的高精度加工。目前量产线可加工玻璃常规尺寸为510*515mm,可加