CN119461381A 一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法 （珠海基石科技有限公司）

一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方得到钼硅混合料；再置于真空烧结设备中进行1150℃_1410℃真空烧结，得到MoSix块体；将2的烧结温度为1150℃_1410℃;将所述MoSix块体破碎至颗粒D50粒径为2μm_20μm，且[(D90_D10)/D50]≤2.5，得到℃/min~10℃/min的升温速率升温至所述烧结温度。8.如权利要求1所述的MoSix粉体的制备方法，其特征在于，所述MoSix粉体的纯度≥MoSix粉体的D50粒径为2μm_20μm，且[(D90_D10)/D50]≤2.5，所述MoSix粉体的纯度≥采用权利要求1_9任意一项所述的MoSix粉体的制备方法制得MoSix粉体或权利要求10采用权利要求12_13任意一项所述的制3将如权利要求16所述的具有预设图案的相移掩膜版盖设于待图案化的半经曝光后将所述具有预设图案的相移掩膜版上的所述预设图案转移至所述待图案化4烧结的烧结温度为1150℃_1410℃;[0006]本申请实施例提供的MoSix粉体的制备方法，在1150℃_1410℃真空条件下5[0011]本申请一些实施方式中，将所述MoSix块体破碎至颗粒D50粒径为5μm_12μm，且采用本申请第一方面所述的MoSix粉体的制备方法制得[0016]本申请实施方式中，钼硅靶材的压制成型包括等静压成型和热压成型中的任一将本申请实施例第六方面所述的具有预设图案的相移掩膜版盖设于待图案化的经曝光后将所述具有预设图案的相移掩膜版上的所述预设图案转移至所述待图6[0021]图1为本申请实施例1_4和对比例1_2中MoSi2粉末的X射线衍射分析（XRD,X_Ray于钼硅靶材质量的要求。而钼硅靶材的品质主要取决于形成靶材的钼硅化合物原材的品的品质也起到至关重要的作用。若钼硅化合物原材中氧含量高会阻止后续靶材烧结致密7[0028]本申请实施例提供的MoSix粉体的制备方法，在1150℃_1410℃真空条件下硅粉具体可以根据钼硅靶材的钼硅比要求进行取[0035]本申请实施方式中，混料机可以但不限于是球磨机，球磨的转速可以是5r/min~8保后续生成的钼硅产物只有MoSi2单相，同时还可能够避免钼粉和硅粉原材料在混料过程[0041]本申请实施方式中，升温的终点温度也即真空烧结的烧结温度可以是1150℃_1410℃。本申请一些实施方式中，升温的终点温度例如可以但不限于是1150℃、1180℃、[0043]本申请一些实施方式中，钼硅混合料烧结成MoSix的合金反应主要是在烧结温度MoSi293Si222根据上述不同温度区间的物相形成分析可知，在炉内温度大于或等于1150℃时，[0045]MoSix材料中的氧是以游离氧和/或结合氧的形式存在，其主要来源于原料硅粉[0046]钼硅混合料中的氧元素在高温处理下可以与硅结合形成挥发性的SiO，通过在真22_1_11150℃~1410℃之间，在此温度区间内既可充分实现钼硅合金化反应获得MoSi2单一钼硅[0050]本申请实施方式中，在达到保温时间MoSix烧结完成后，将真空烧结设备关机降续制备钼硅靶材的组织均匀性，提升后续在靶材溅射成膜过程中的钼硅化合物膜的良率。减小通常伴随着更剧烈的机械作用和与氧气更充分的接触，这可能会加剧粉体的氧化程[0053]本申请实施方式中，经破碎后所得的MoSix粉体的纯度≥99.999%，氧含量≤电质谱（HR_GDMS）或电感耦合等离子体质谱（ICP_MSMoSix粉体的晶体相组成可以采用含量主要取决于制备工艺过程的隔氧脱氧技术，最终在保证低氧含量的同时获得D50粒径[0059]由于采用本申请实施例前述制备的MoSix粉体作为靶材原料，因此制得的钼硅靶[0070]一些实施例中，相移掩膜版还包括设置在遮光膜远离基板一侧表面的感光材料中常用的曝光光源。本申请前述提供的钼硅靶材在后道应用中可有效避免颗粒物的产生，S103：将S102中所得的MoSi2块体采用S104：将S103得到的MoSi2粉体装入石墨模具中，使用真空热压烧结炉以5℃/minS103：将S102中所得的MoSi2块体采用S103：将S102中所得的MoSi7块S103：将S102中所得的MoSi2块体采S103：将S102中所得的MoSi7块体采用[0083]由表1可知，本申请实施例1_4通过取不同钼硅原子比的钼粉和硅粉，在1150℃_的MoSix块体再经破碎设备制粉后获得较小D50粒径和粒度分布的MoSix粉体，纯度略有降得到MoSi2粉体物相构成仅包括MoSi2单相；实施例3_4的得到MoSi2.7和MoSi7粉体物相构成[0084]对比实施例1和对比例1，对比例1在1100℃进行烧结，制备得到的MoSi2块体和[0085]图1为本申请实施例1_4和对比例1_2中MoSix粉体的X射线衍射分析（XRD,X_Ray[0086]图2A为实施例4制得的钼硅靶材的扫描