CN119463128A 一种低阻抗两性离子导电高分子及其制备方法 （上海大学）_第1页
CN119463128A 一种低阻抗两性离子导电高分子及其制备方法 （上海大学）_第2页
CN119463128A 一种低阻抗两性离子导电高分子及其制备方法 （上海大学）_第3页
CN119463128A 一种低阻抗两性离子导电高分子及其制备方法 （上海大学）_第4页
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一种低阻抗两性离子导电高分子及其制备本发明涉及一种低阻抗两性离子导电高分待活化芳烃和卤代芳烃经直接芳基化聚合反应2显著低于不含两性离子基团导电高分子和重复单元只含一个两性离子基团导高分子具有结构通式其聚合物的和一个重复单元只含一个两性离子基团的其1中相互独立的任意一种，6.如权利要求1～4任一项所述的一种低阻抗两39.根据权利要求55所述的一种低阻抗两性离子导电高分子的制备方法，其特征在于，4聚丙烯二氧噻吩聚合物材料作为可植入生物电极材料具有混合离子_电子传导性、高电容[0003]此外，表面涂层材料的阻抗也十分关键，文献1(ProceedingsofSPIE,2016,9944,994404)对电极/电解液阻抗频率依赖性的研究表明，生物电极与组织界面的信号传裂，使导电聚合物的抗非特异性粘附的能力丧失而导致慢性免疫反应的出现。文献3(Chemistryofmaterials,2022,34,2752_2763)以三氯化铁为氧化剂的氧化聚合中出现[0008]一种低阻抗两性离子导电高分子，其重复单元含有两个相互独立的两性离子基子基团导电高分子和重复单元只含一个两性离子5和真菌粘附的能力显著优于重复单元只含一个两性离其聚合物的电化学阻抗显著低于不含两性离子的和一个重复单元只[0016]如上所述的一种低阻抗两性离子导电高分子的制备方法，反应在惰性气氛下进[0017]如上所述的一种低阻抗两性离子导电高分子的制备方法，含氮杂环配体为6烯二氧噻吩的阻抗为14.69Ω/cm2，含有一条两性离子侧链功能化的聚丙烯二氧噻吩的阻抗为6.39Ω/cm2，而含有两条两性离子侧链功能化的聚丙烯二氧噻吩的阻抗能够低至为性离子基团聚丙烯二氧噻吩的43而一个重复单元引入两条两性离子侧链时，导电高分78[0040]制得的抗非特异性粘附聚合物的结构式为聚合度为37；产率为86%;9[0075]制得的聚噻吩类共轭聚合物的结构式为：产率为100聚合度为77，

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