AEC Q100 Rev H（2014市面俗称2025中文版）

基于失效机理的集成电路应力测试认证标准（中文整理版）⚠️重要说明：AEC官方无发布中文原版，Rev‑H正式发布时间为2014‑09‑11，网络上标注“Rev‑H‑2025”属于转载标注错误；更新版本为Rev‑J（2023）。本文件为行业工程化中文编译整理，可用于方案、报告、测试计划，正式对外提交必须引用英文原版AEC‑Q100Rev‑H。

标准全称（英文）：FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegratedCircuits

发布机构：AEC（美国汽车电子委员会AutomotiveElectronicsCouncil）

用途：车载集成电路IC车规可靠性鉴定，前装汽车电子准入依据；覆盖MCU、模拟、电源、SiP系统级封装等器件。0术语与定义鉴定（Qualification）：按本标准完成全套应力测试，证明器件满足车规可靠性；AEC不发放“证书”，由芯片供应商提供完整鉴定报告。通用数据（GenericData）：同工艺家族器件，可复用已有的可靠性历史数据，减少重复测试；但部分项目不允许使用通用数据，必须用被测器件实测。使命剖面（MissionProfile）：芯片在整车应用中的温度、电压、工作时长、循环次数的实际工况，用于加速应力换算。温度等级（Grade）

|等级|工作环境温度Ta|典型应用位置|

|---|---|---|

|Grade0|‑40℃~+150℃|发动机舱、动力域、安全件|

|Grade1|‑40℃~+125℃|机舱内大多数ECU|

|Grade2|‑40℃~+105℃|座舱电子、仪表|

|Grade3|‑40℃~+85℃|车内舒适娱乐设备|Rev‑H已删除Grade4等级。失效判据：应力前后电气参数超出数据手册规格、功能失效、封装物理损伤，即判定样品失效；鉴定试验不允许出现失效（0失效）。无铅器件：遵循AEC‑Q005无铅要求，回流焊温度按J‑STD‑020执行。1总则1.1适用范围适用于汽车应用塑料封装、气密性封装集成电路；包含SoC、MCU、模拟IC、PMIC、存储芯片；分立器件不适用（分立器件用AEC‑Q101）。

本标准规定一套基于失效机理的加速应力测试组合，模拟整车全生命周期内的环境、电气、机械应力。测试不是筛选量产芯片，而是对器件工艺/封装做定型鉴定。1.2不适用范围分立半导体（MOSFET、二极管等，执行AEC‑Q101）被动元器件（电阻电容执行AEC‑Q200）非汽车领域消费电子器件。1.3鉴定家族规则同一鉴定家族，需同时满足：晶圆工艺、金属层、钝化层、封装结构、封装材料、引脚布局基本一致；只要其中一项发生重大变更，需要重新鉴定或做变更评估。1.4批次与抽样基础规则绝大多数测试：3个独立量产批次抽样；多数可靠性试验样本量：77pcs/每批次；部分机械、ESD、闩锁为15pcs、3pcs；原则：鉴定试验出现1只失效，鉴定不通过。2全套测试分组（A/B/C/D/E/G六组）A组：加速环境应力测试（AcceleratedEnvironmentStress）编号测试项目简称简要说明A1湿度预处理PCMSL湿度敏感等级预处理，模拟SMT回流焊，按J‑STD‑020A2高压加速湿度测试B‑HAST高温高湿偏压，130℃/85%RH，96h；塑料封装，考核封装内部水汽腐蚀A3无偏压高压加速湿度U‑HAST无偏压，考核封装密封性、材料腐蚀A4温度循环TC‑65℃↔目标最高结温，500次循环；考核封装热胀冷缩、分层、裂纹A5温度冲击PTC快速温变冲击，考核封装、焊球、键合界面A6高温高湿反向偏压H3TRB高温高湿+反向偏置；针对功率类器件，金属迁移腐蚀验证B组：加速寿命模拟测试（AcceleratedLifetimeSimulation）编号测试项目简称简要说明B1高温工作寿命HTOL器件在最高额定温度、最大工作电压下长时间通电工作，模拟长期老化，典型1000hB2早期失效率ELFR高温老化筛选，评估早期失效；样本800pcs/批；合格样本可复用至其他应力试验B3非易失存储器寿命EDR针对Flash/EEPROM：擦写耐久、数据保持、工作寿命，依据AEC‑Q100‑005C组：封装完整性测试（塑封器件）编号测试项目简称说明C1邦丝剪切测试WBSAEC‑Q100‑001，键合丝结合强度C2锡球剪切BSBGA器件焊球剪切强度AEC‑Q100‑010C3引脚拉力LW引线框架引脚机械强度C4可焊性SL引脚、焊球上锡能力；模拟SMT焊接D组：晶圆级可靠性测试（WLR，晶圆工艺可靠性）在裸片晶圆完成，不封装；评估半导体工艺本身的可靠性，包含：电迁移EM时间相关介质击穿TDDB热载流子注入HCI负偏压温度不稳定性NBTI用来评估硅片工艺的失效机理，允许使用通用历史数据。E组：电气特性确认测试（ElectricalVerification）编号项目简称依据E1应力前后全电气测试Pre‑Post所有应力试验前后，必须完成常温、低温、高温三点全参数测试E2人体模型静电放电HBMAEC‑Q100‑002；ESD人体模式，常温+高温条件测试E3器件充电模型静电放电CDMAEC‑Q100‑011；充电器件模型ESD；Rev‑H取消机器模式MME4闩锁效应LUPAEC‑Q100‑004；电源、引脚注入电流闩锁抵抗能力E5电气参数分布评估ED评估参数CPK，工艺一致性；30pcs×3批次E6‑E11其他电气专项故障仿真、EMC相关等G组：气密性空腔封装专用（陶瓷、金属空腔封装，塑封器件不需要做G组）G1机械冲击MS、G2变频振动VFV、G3恒定加速度CA、G4大小漏率GFL、G5封装跌落DROP、G6盖板扭矩LT、G7芯片剪切DS、G8内部水汽IWV。3子标准清单（AEC‑Q100‑xxx配套文件，Rev‑H）AEC‑Q100‑001：WireBondShear键合丝剪切AEC‑Q100‑002：HBMESD人体模型静电放电AEC‑Q100‑003：MM机器模型ESD（Rev‑H中已废除）AEC‑Q100‑004：Latch‑up闩锁效应AEC‑Q100‑005：NVM非易失存储器耐久与数据保持AEC‑Q100‑006：GateLeakage栅极漏电（Rev‑H废除）AEC‑Q100‑007：FaultSimulation故障仿真AEC‑Q100‑008：ELFR早期失效率AEC‑Q100‑009：ElectricalDistributionAssessment电气分布评估AEC‑Q100‑010：SolderBallShear焊球剪切AEC‑Q100‑011：CDMESD器件充电模型静电放电AEC‑Q100‑012：SmartPowerSmartPower器件专项测试4Rev‑H版本主要变更（对比Rev‑G）删除MM机器模式ESD测试（Q100‑003）、删除GL栅极漏电测试（Q100‑006）；新增无铅器件鉴定章节3.3，引用AEC‑Q005无铅要求；明确：AEC没有“认证证书”，供应商做鉴定测试，输出鉴定报告；禁止宣称“AEC认证”，只能描述“按照AEC‑Q100完成鉴定（QualifiedtoAEC‑Q100）”；建议器件手册明确标注ESD等级与例外引脚；附录7增加鲁棒性验证与AEC‑Q100关系的指南。5鉴定流程确定器件温度Grade等级，确定使命剖面；划分鉴定家族，确认是否可以复用通用历史可靠性数据；选取3个量产批次样品；顺序执行：预处理A1→A组环境应力→B组寿命→C组封装完整性→D晶圆可靠性→E电气测试；空腔封装增加G组；每一项应力试验前、后执行E1三点电气测试；所有项目0失效，整理完整鉴定报告；报告内容：器件规格、温度等级、样本来源批次、每一项测试条件、样本量、失效情况、原始测试数据。6通用数据使用限制✅允许使用家族通用数据：D组晶圆可靠性ELFR；

❌不允许通用数据，必须使用被测器件实测：TC温度循环、HAST/B‑HAST、HTOL、闩锁LUP、HBM、CDM、键合/焊球剪切、可焊性等。7附录要点附录1：器件家族分组判定规则；附录2：加速模型（阿伦尼乌斯、温度循环加速因子）；附录3：失效判据细则；附录4：测试报告模板要点；附录7：鲁棒验证与AEC‑Q100关系说明。补充：Rev‑J(2023)主要升级（供对比）增加FC‑BGA倒装焊封装专项测试（凸点剪切C7）；铜线键合器件，强制引用AEC‑Q006；使命剖面正式写