CN119472179A 减少晶边缺陷的方法 （华邦电子股份有限公司）

掩膜层于晶圆上以及形成间隔物图案于硬掩膜其选择性地覆盖位于上述至少一个边缘区的间2对所述光刻胶层执行一晶边处理工艺，以形成一环形光刻胶图案，所顺应地形成一间隔物材料层于所述硬掩膜层及所述图案化芯对所述另一光刻胶层执行一晶边曝光工艺或一边胶去除工艺，以移3对所述介电材料层执行一平坦化处理以露出所述晶圆的顶表执行一第一刻蚀工艺以将所述间隔物图案转移至4常会进行诸如边胶去除工艺(edgebeadremoval；EBR)或者晶边曝光工艺(waferedge5A_A’以及沿着中央区104的剖线B_B’的剖面示意图。晶圆100具有中央区104以及边缘区6工艺的特性，晶圆100的边缘区102无法受到完整曝光，因此边缘区102被定义为无效芯片艺包含形成图案化芯轴108(mandrel)于硬掩膜层106上。可先使用旋转涂布(spin_oncoating)工艺来形成芯轴层(未绘示)于硬掩膜层106上，再通过光刻及刻蚀工艺来形成图朝晶圆100边缘逐渐递减的不均匀高度，而位于中央区104的图案化芯轴108则具有相同的[0047]参见图5A、图5B，自对准双重图案化工艺更包含对间隔物材料层110进行回刻蚀(etching_back)工艺112以形成间隔物图案114，并露出图案化芯轴108的顶表面以及部分[0048]参见图6A、图6B自对准双重图案化工艺更包含移除图案化芯轴108以留下间隔物负型光刻胶的定义为被曝光的部分在显影工艺7的刻蚀工艺对此区域的损害。在一些实施例中，环形光刻胶图案120只形成于第一边缘区116(负型光刻胶)执行晶边曝光工艺，以在显影工艺之后覆盖第二边缘区102B的环形光刻胶图案120，但差别在于使用正型光刻胶的实施例是对第一边缘区102A以及第三边缘区102C的光刻胶层116执行晶边曝光工艺，以在显影工艺后留工艺122的影响，因此第二边缘区102B上的硬掩膜层106在进行第一刻蚀工艺122之后会维8区102会形成具有不均匀的高度分布的间隔物图案114，这将使得边缘区102无法形成完整艺对此区域过度地刻蚀，从而形成顶表面较中央区104低的沟槽126或使沟槽126的顶部开上方形成环形光刻胶图案120，使其覆盖具有不均匀高度或者因刻蚀特性而容易受到过度[0059]图14是本发明的另一实施例的晶圆100在形成环形光刻胶图案120之后的上视示的差别在于本实施例是对第二边缘区102B以及第三边缘区102C上方的光刻胶层116(例如，三边缘区102C的环形光刻胶图案120，而第一边缘区102A以及中央区104的光刻胶层116会[0060]图16是本发明的又一实施例的晶圆100在形成环形光刻胶图案120之后的上视示的差别在于本实施例是对第一边缘区102A以及第三边缘区102C上方的光刻胶层116(例如，第三边缘区102C的环形光刻胶图案120，而第二边缘区102B以及中央区104的光刻胶层116期间(例如，图3A以及图3B所描述的工艺)，额[0062]在本实施例中，对第三边缘区102C上方的光刻胶层134执行晶边处理工艺130(例9