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路996号西安国家数字出版基地C座2层2将所述混合铝浆料涂覆在铝箔基体的表面，并对包括所述混所述烘干处理的烘干时间为1min~12℃~500℃,并保温1h~8h，再以1℃/min~20℃/min的速率升温至580℃~655℃,并保温1h~34[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述烘干处理的温度为80℃~150℃,所述烘干在氩气或氮气保护气氛下，或者在真空条件下，以1℃/min~20至350℃~500℃,并保温1h~8h，再以1℃/min~20℃/min的速率升温至580℃~655℃,并保温56[0033]本公开中的溶剂和分散剂有利于高纯纯铝粉和氧化铝粉在混合浆料中实现均匀7在低温下可能以固态或液态形式存在于粉层中，通过中温保温段可以使其逐渐挥发或分的铝粉层内部颗粒之间、铝粉层与铝光箔基体之间形成适当的烧结颈。烧结颈的形成是铝粉颗粒在高温下相互融合的结果，它增强了粉层与基体之间的结合力，提高了阳极箔极箔的比电容。[0043]在本公开的一种示例性实施例中，喷丸处理过程中喷射的弹丸2的平均粒径可为箔1表面施加更加均匀分布的微区压应力，从而使得箔材表面产生的网状微裂纹分布更加一定粒径的弹丸2接触时微区形成的瞬时冲击力，在烧结态粉层箔表面形成均匀的网状裂8免在水煮过程中向中间阳极箔内引入其他杂质而影响最终形成的目标阳极箔的电学性能。初始阳极箔进行化成处理的方式，预先进行水煮的过程可有助于提高生成介电层的速率，化成过程中采用质量浓度为10%的硼酸溶液是为了避免在化成过程中引入杂质，有助于提将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氩气保护气氛下使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧9将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氩气保护气氛下使用高纯去离子水对经S3烧结处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在高真空条件下，以10℃/min的速率升温至500℃使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氮气保护气氛下使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在高真空条件下，以20℃/min的速率升温至400℃使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氮气保护气氛下使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氩气保护气氛下使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧将S2烘干得到的粉层铝箔坯体在氩气保护气氛下使用高纯去离子水对经S4喷丸处理后的烧结箔1进行清洗和水煮，将水煮后的烧者适应性

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