CN119480650A 多层堆叠存储芯片的封装方法及系统 （广东长兴半导体科技有限公司）

技九路2号2栋101室、201室、301室、以及高电场区，对耦合3D封装结构布局进行优封装修复材料执行所述待封装存储芯片的多层2获取待封装存储芯片的封装需求，根据所述封装需求，述封装修复材料执行所述待封装存储芯片的多根据所述热场参数和所述热场边界条件，构建所述网格化封装结通过所述电场参数和所述电场边界条件，利用下述公式构建所述网格3场边界条件下网格化封装结构布局的背景电荷密度，Δσ(e)表示电场边界条件下位置e处基于所述机械场参数和所述机械场边界条件，构建所述网格化通过所述热场分析函数、所述电场分析函数以及所述机械场分析函数基于所述热场参数和所述热场边界条件，确定所述网格化封装结构布局的导热系数、其中，epsilon表示作用数据中的电致伸缩应变，pi_c表示作用数据中的电致伸缩系4通过所述仿真数据，分析所述耦合3D封装结构布局的布局温度分布、7.如权利要求6所述的多层堆叠存储芯片的封装方法，其特征在于，所述基于所述热基于所述热点异常、应力异常以及电场异常，确定所述耦合3D将所述待封装存储芯片放置所述封装材料对应封装基板上，并将所述通过所述封装材料对应焊料，对所述多层连接存储芯片焊接，得到所5封装结构布局耦合模块，用于构建所述3D封装结构布局的物封装结构布局优化模块，用于计算所述耦合3D封装结构布局的热存储芯片多层堆叠模块，用于基于所述目标封装结构布局，构建所多层堆叠存储芯片封装模块，用于利用所述封装6[0001]本发明涉及一种多层堆叠存储芯片的封装方法及系统，属于微电子封装技术领[0003]多层堆叠存储芯片的封装传统的封装方案通常涉及将多个芯片通过引线键合或于所述封装修复材料执行所述待封装存储芯片的多层78[0034]tn=9mAB(1-p)[0054]根据所述优化策略对所述耦合3D封装结构布局进行优化，得到目标封装结构布9可以确保封装满足预定的性能和可靠性要求，从而提高了多层堆叠存储芯片的封装效果，本发明基于所述目标封装结构布局，构建所述待封装存储芯片的TSV和微凸点可以构建出[0079]图3为本发明一实施例提供的多层堆叠存储芯片的封装系统的电子设备的结构示[0084]参照图1所示，为本发明一实施例提供的多层堆叠存储芯片的封装方法的流程示储芯片的封装材料和封装环境可以作为构建一个满足特定需求的3D封装结构布局的数据封装存储芯片的3D封装结构布局可以为多层堆叠存储芯片的封装提供详细片封装布局包括芯片布局、互连路径以及散热路径可以利用使用CAD(计算机辅助设计)软[0097]本发明通过构建所述3D封装结构布局的物理场可以确保封装满足预定的性能和的温度分布和热流情况的场，所述电场述了封装结构布局中的电势分布和电场强度的场，[0115]本发明定义所述物理场的场作用关系从而预测和分析复杂系统在不同工作条件[0119]tn=BmAB(1-p)[0145]根据所述优化策略对所述耦合3D封装结构布局进行优化，得到目标封装结构布导致封装结构中的某些区域出现机械故障，所述电场风险阈值是指一个预设的电场强度[0149]本发明基于所述目标封装结构布局，构建所述待封装存储芯片的TSV和微凸点可表面的金属凸起。其中TSV用于芯片内部的垂直连接，而微凸点则用于芯片之间的水平连可以确保封装满足预定的性能和可靠性要求，从而提高了多层堆叠存储芯片的封装效果，本发明基于所述目标封装结构布局，构建所述待封装存储芯片的TSV和微凸点可以构建出[0173]如图2所示，是本发明一实施例提供的多层堆叠存储芯片的封装系统的功能模块[0174]本发明所述多层堆叠存储芯片的封装系统200可以安装于电子设备中。根据实现[0180]所述多层堆叠存储芯片封装模块205，用于利用所述封装材料对应自修复材料对[0181]详细地，本发明实施例中所述多层堆叠存储芯片的封装系统200中所述的各模块理器及各种控制芯片的组合等。所述处理器是所述电子设备的控制核心(ControlUnit)，括外部存储设备。所述存储器不仅可以用于存储安装于电子设备的应用软件及各类数据，[0186]所述通信总线可以是外设部件互连标准(PeripheralComponentIn简称PCI)总线或扩展工业标准结构(ExtendedIndustryStandardArchitecture，简称通常用于在该电子设备与其他电子设备之间建立通信连接。所述用户接口可以是显示器[0190]所述电子设备中的所述存储器存储的多层堆叠存储芯片的封装程序是多个指令于所述封装修复材料执行所述待封装存储芯片的多层[0197]进一步地，所述电子设备集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作[0198]本发明还提供一种