CN119480661A 检测方法 （浙江创芯集成电路有限公司）

取测试样品，所述测试样品包括测试端和接电用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂2采用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂离子的感探测器的飞行时间确定逸出离子的荷质比；逸出离子在位置敏感探测器上的坐标反向确定逸出离9.如权利要求3所述的检测方法，其特征在于，脉冲激光在垂直于测试端表面的方向34[0002]半导体器件以及半导体器件的仿真器件模型均需要进行离子分布的检测以确定[0003]然而，现有的离子分布的检测手段通常只能检测一维或二维方向的离子分布情块根据位置敏感探测器捕获的逸出离子的信息，获取逸出离子在三维尺度上的种类分布、逸出离子在位置敏感探测器上的坐标以及单种逸出离法包括：分析模块根据逸出离子运动至位置敏感探测器的飞行时间确定逸出离子的种类；析模块根据单种逸出离子在单位体积内的数量确定逸出离子在5所述原子探针断层分析术沿测试端的顶部表面至第一掺杂区的底部表面的方向逐层检测底部的第一掺杂区，所述第一掺杂区的离子导电类型与源漏掺杂区内的离子导电类型相6离子导电类型相同，所述第一掺杂区105内的离子浓度小于源漏掺杂区104内的离子浓度，的介质结构106；位于介质结构106内的第一电连接结构(未图示)和第二电连接结构(未图得载流子加速生成高能载流子，即为热载流子，产生热载流子注入效应(HotCarrier7致器件电特性随工作时间而变化，影响器件的可靠性，造成器件失效。(2)漏致势垒降低[0037]为了改善热载流子注入效应，在源漏掺杂区104和沟道之间形成第检测元素分布(深度分布分析)、TCAD(半导体工艺模拟，TechnologyComputerAided物质原子、分子或分子碎片的质量差异进行分离和检测物质组成的一类仪器)分析这些二8离子导电类型相同，所述第一掺杂区205内的离子浓度小于源漏掺杂区204内的离子浓度，的介质结构206；位于介质结构206内的第一电连接结构(未图示)和第二电连接结构(未图[0054]所述第一掺杂区105为浅掺杂漏(LightlyDopedDrain,简称LDD)工艺技术形成[0055]所述掺杂离子包括N型离子或P型离子；所述N型离子包括磷离子、砷离子或锑离9[0060]所述切割区域S的面积大于所述栅极结构202和侧墙结构203的面积，所述第一掺介质结构206内的第一电连接结构和第二电连接结构以及一掺杂区205和阱区201表面，或者平坦化处理直至剩余的栅极结构202的高度在预设范围品接电端A2加载高电压之后，所述测试样品的测试端A1表面有突出点容易形成局部高电[0069]在本实施例中，采用透射电子显微镜(TEM)获取所述测试样品测试端A1的表面轮子在三维尺度上的种类分布、逸出离子在测试端的位置以及逸出离子在测试端的浓度分述原子探针断层分析术沿测试端A1的顶部表面至第一掺杂区205的底部表面的方向逐层检飞行时间、逸出离子在位置敏感探测器P4上的坐标以及单种逸出离子在单位体积内的数置敏感探测器P4上的坐标反向确定逸出离子在测试端A1表子在测试端A1的位置以及逸出离子在测试端A1的浓度分布，获取掺杂离子在第一掺杂区[0095]获取掺杂离子在第一掺杂区205内分布的三维轮廓之后，可以获知掺杂离子在第围代表掺杂离子在第一掺杂区205的横向扩散程度。通过调整掺杂离子注入到第一掺杂区调节离子注入能量来调节第一掺杂区205的深度，通过调节离子注入的功率和角度来调节第一掺杂区205的平面范围，通过调节离子注入的离子浓度来调节第一掺杂区205的轮廓