CN119486228A 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆 （长飞先进半导体(武汉)有限公司）

发区高新大道999号武汉未来科技城半导体本体中；栅极结构包括第一绝缘层和栅垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂直投影失效的问题，提高了MOSFET半导体器件的可靠2半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第位于所述第一表面的栅极结构，所述栅极结构从所述位于所述栅极结构远离所述半导体本体一侧的第二一表面的垂直投影和所述栅极在所述第一表位于所述第二绝缘层的侧壁的第三绝缘层，位于栅一表面的垂直投影在所述第三绝缘层在所述第一表面的述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体所述栅极位于所述栅极沟槽内的所述第一绝缘层远离所述半导体本述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括第四绝缘所述源极沟槽结构位于所述第四绝缘层远离所述半导体本所述源极位于所述源极沟槽结构远离所述半导体本体的一侧，所述源提供半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第在所述第一表面形成栅极结构，所述栅极结构从所述第在所述栅极结构远离所述半导体本体的一侧形成第二绝3第一表面的垂直投影和所述栅极在所述第一在所述第二绝缘层的侧壁形成第三绝缘层，位于栅极一表面的垂直投影在所述第三绝缘层在所述第一表面的极结构以及在所述栅极结构远离所述半导体本体的一侧形成第二在所述第一表面形成栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第在所述栅极沟槽内以及所述掩膜沟槽的侧壁形成在所述栅极沟槽内的所述第一绝缘层远离所述半导体本体的在所述掩膜沟槽内的所述第一绝缘层远离所述掩膜层的一侧形成去除所述掩膜层以及所述掩膜沟槽的侧壁的所述在所述半导体本体的第一表面和所述第二绝缘层远离所述半导体本体的一侧形成所通过回刻保留所述第二绝缘层的侧壁的所述第在所述第一表面形成源极沟槽；所述源极沟槽从所述第在所述源极沟槽内的所述第四绝缘层远离所述半导体本体的一侧形成所述源极沟槽在所述源极沟槽结构远离所述半导体本体的一侧形成源极，所述所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如权利要求1_6任一项所述的半导体器4[0002]沟槽型碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET）半导体器件具有电流密度大5在第一表面的垂直投影覆盖第二绝缘层和第三绝缘层在第在第一表面的垂直投影和掩膜沟槽在第一表极在第一表面的垂直投影覆盖第二绝缘层和第三绝缘层在第一表面6[0048]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特[0053]图4图9是本发明实施例提供的一种半导体器件的制备方法各步骤对应的结构[0055]图11图15是本发明实施例提供的另一种半导体器件的制备方法部分步骤对应的[0057]图17是本发明实施例提供的又一种半导体器件的制备方法部分步骤对应的结构[0060]图20图22是本发明实施例提供的又一种半导体器件的制备方法部分步骤对应的7员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范极结构2远离半导体本体1一侧的第二绝缘层3，第二绝缘层3在第一表面101的垂直投影和22两侧的第一绝缘层21在第一表面101的垂直投影在第三绝缘层4在第一表面101的垂直投[0066]本发明实施例的半导体器件包括图1示出的单沟槽型MOSFET半导体器件以及图2可以包括N沟道MOSFET半导体器件或者P沟道MOSFET半导体器件。示例性的，对于N沟道[0068]示例性的，在图1和图2中，半导体本体1还包括衬底11和外延层12。对于N沟道的半导体层，外延工艺包括化学气相外延生长(CVE)、分子束外延(MBD)以及原子层外延8[0069]本发明实施例中的第二绝缘层3和第三绝缘层4作为层间绝缘层，第二绝缘层3和第一绝缘层21在第一表面101的垂直投影在第三绝缘层4在第一表面101的垂直投影之内。因此CT孔与栅极22之间具有一定的距离，且此距离可以由第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度决定，通过控制第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度可以精准控制CT孔与器件和双沟槽型MOSFET半导体器件，第一表面101设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面极沟槽内的第一绝缘层21远离半导体本体在栅极沟槽的底部和侧壁，栅极22设置在第一绝缘层21远离半导体本体1的一侧。示例性面101的垂直投影覆盖第二绝缘层3和第三绝缘层4在第一表面10的垂直投影覆盖第二绝缘层3和第三绝缘层4在第一表面101的9导体本体1的一侧凹陷，而靠近第三绝缘层4的边缘的高度可以和第三绝缘层4的高度保持第一绝缘层21和第三绝缘层4可以为氧化硅绝缘层，保证在去除第一绝缘层21和第三绝缘[0089]MOSFET半导体器件可以包括N沟道MOSFET半导体器件或者P沟道MOSFET半导体器例中的第二绝缘层3在第一表面101的垂直投影和栅极22在第一表面101的表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂第四绝缘层17远离半导体本体1的一侧淀积掺杂的多晶硅、金属或非金属材料形成源极沟第一绝缘层21在第一表面101的垂直投影在第三绝缘层4在第一表面101的垂直投影之内。因此CT孔与栅极22之间具有一定的距离，且此距离可以由第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度决定，通过控制第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度可以精准控制CT孔与在第一表面101的垂直投影和栅极22在第一表面101表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂由第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度决定，通过控制第三绝缘层4在平行于第一表面101的宽度可以精准控制CT孔与栅极22之间的距离。CT孔的形成并不依赖于对第二绝缘侧壁的第三绝缘层4。需保证在回刻去除第三绝缘层4的同时，不会破坏第二绝缘层3的结表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂表面的垂直投影覆盖第二绝缘层和第三绝缘层在第一表表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂在源极沟槽16的底部和侧壁淀积氧化硅从而形且源极在第一表面的垂直投影覆盖第二绝缘层和第三绝缘层在第一表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂[0161]本发明上述任一实施例提供的功率模块包括本发明上述任一实施例提供的半导[0163]功率转换电路包括电路板以及至少一个本发明上述任一实施例提供的半导体器[0164]本发明上述任一实施例提供的功率转换电路包括本发明上述任一实施例提供的[0166]本发明上述任一实施例提供的车辆包括本发明上述任一实施例提供的功率转换