CN119486350A 一种背接触太阳能电池及其制备方法及光伏组件 （晶科能源股份有限公司）

一种背接触太阳能电池及其制备方法及光本申请涉及一种背接触太阳能电池及其制底的第一表面上设置有沿第一方向交替排布的P及N型掺杂层与基底之间均设置有隧穿层，第一挡层的面积小于N型掺杂层的面积，沿基底的厚内，第一阻挡层用于阻碍N型掺杂层中的掺杂元掺杂元素以及金属晶粒对隧穿层以及基底造成2基底，所述基底包括沿其自身厚度方向相对设置的第一表面杂层以及所述N型掺杂层远离所述基底的一侧设置有第一钝化层，所述第二表面上设置有其中，所述N型掺杂层中设置有第一阻挡层，所述第一阻挡层的述第一阻挡层用于阻碍所述N型掺杂层中的掺杂元素以及所述第一细栅中的金属晶粒向所中设置有第二阻挡层，所述第二阻挡层用于阻碍所述P型掺杂层中的掺杂元素以及所述第所述P型掺杂层的厚度D4满足：150nm≤D4≤300nm，所述基底与所述8.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一阻挡层包括氧化3至少一个电池串，所述电池串包括多个权利要封装层，所述封装层位于所述盖板与所述电池串之间，所述盖板10.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括基对所述第一掺杂层的局部区域进行激光处理，以在所述局部区域4层以及所述N型掺杂层远离所述基底的一侧设置有第一钝化层，所述第二表面上设置有第投影内，所述第一阻挡层用于阻碍所述N型掺杂层中的掺杂元素以及所述第一细栅中的金用于阻碍所述P型掺杂层中的掺杂元素以及所述第二细栅中的金属晶粒向所述基底扩散，5之间以及N型掺杂层与基底之间均设置有隧穿层，P型掺杂层以及N型掺杂层远离基底的一于阻碍N型掺杂层中的掺杂元素以及第一细栅中的金属晶粒向基底扩散，第一方向与基底第一阻挡层可以与隧穿层可以同时实现载流子的选择性运输，并增强了对基底的钝化效6图6a为本申请一实施例中在第一掺杂层上沉积氮化硅层和本征非晶硅层的示意[0018]为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描[0023]基底11包括沿其自身厚度方向Z相对设置的第一表面111和第二表面112，第一表7[0025]沿基底11的厚度方向Z，P型掺杂层13与基底11之间以及N型掺杂层12与基底11之钝化的基底11的第一表面111，以降低基底11内光生电子和光生空穴在基底11的第一表面[0029]第一表面111包括沿第一方向X交替排布的第一区域111a和第二区域111b，P型掺得N型掺杂层12与P型掺杂层13在基底11的厚度方向Z上错位设置，降低了N型掺杂层12和P设计保证可以背接触太阳能电池1对空穴和电子均具有良好的收集效果，以利于提升背接化层16能够增强背接触太阳能电池1表面载流子浓度，提升背接触太阳能电池1的短路电8细栅17和第二细栅18在背接触太阳能电池1的第一影响背接触太阳能电池1的效率。第一阻挡层191能够对阻碍N型掺杂层12中的磷元素向基[0038]N型掺杂层12上的第一细栅17可以由金属浆料制备而成，其在烧结过程中同样会[0039]上文中提及的N型掺杂层12中的磷元素向基底11的扩散以及第一细栅17的金属晶9粒向基底11扩散而对隧穿层14以及基底11造成损伤的可能，提高了隧穿层14以及N型掺杂层12的钝化性能。同时，第一阻挡层191可以与隧穿层14可以同时实现载流子的选择性运挡层191对金属晶粒的阻挡效果的同时保证载流子的有效传输，以利于提高背接触太阳能第一阻挡层191对磷元素以及金属晶粒的阻挡效果变差，增大了隧穿层14以及基底11受损[0046]N型掺杂层12的掺杂浓度通常较高，制备第一细栅17所使用的金属浆料的烧穿性能相对较弱，因此通过将第一阻挡层191设置在N型掺杂层12的中间位置或者设置在N型掺杂层12远离隧穿层14的一端，能够提高第一阻挡层191对第一细栅17的金属晶粒的阻挡效13中的掺杂元素以及第二细栅18中的金属晶粒向而影响到背接触太阳能电池1的效率。第二阻挡层192能够阻碍P型掺杂层13中的硼元素向[0049]P型掺杂层13上的第二细栅18可以由金属浆料制备而成。在金属浆料烧结的过程[0050]上文中提及的P型掺杂层13中的硼元素向基底11的扩散以及第二细栅18的金属晶二阻挡层192阻挡效果的同时保证载流子能够进行有型掺杂层13的外表层，导致第二阻挡层192与第二细栅18在基底11厚度方向Z上的距离较距离较小会降低第二阻挡层192对第二细栅18的金属晶粒的阻挡效果，增大金属晶粒向隧对第二细栅18的金属晶粒的阻挡效果，同时能够增大第二细栅18与P型掺杂层13的接触面[0056]如图3所示，P型掺杂层13的厚度D4满足：150nm≤D4≤300nm，例如，D4可以为化性能的同时减小P型掺杂层13的光学寄生吸收，以实现最佳的背接触太阳能电池1的性[0058]如图3所示，基底11与P型掺杂层13之间增大基底11与P型掺杂层13之间的隧穿层14的厚度，能够增加隧穿层14对硼元素的阻挡效的上层，第二盖板50可以位于光伏组件100下层。封装层包括第一封装层30和第二封装层[0067]本申请实施例提供一种背接触太阳能电池的制备方法，下面以N型掺杂层是磷掺[0070]在步骤S202中，可以先利用PECVD技术在隧穿层14远离基底11的一侧沉积多晶硅[0072]经过激光处理可以在第一掺杂层121的局部区域中形成氧化硅层，该氧化硅层即[0075]第一掺杂层121和第二掺杂层122的掺杂浓度可以相同，第一掺杂层121和第二掺骤S304与步骤S302相似，可以先利用PECVD技术在第三掺杂层远离基底11的一侧沉积多晶[0082]由上可知，本申请实施例中背接触太阳能电池的P型掺杂层也可以通过先后两次[0087]上文中述及的背接触太阳能电池的制备方法可以适用于第一阻挡层和第二阻挡[0089]在步骤S401后进入步骤S402：在隧穿层远离基底的一侧沉积第一掺杂层。步骤S404中利用激光对非目标区域111e内的本征非晶硅层194进行去除，而目标区域111d内的本征非晶硅层194则被保留。也就是说，步骤S404是利用激光处理去除部分本征非晶硅层此时第一掺杂层121上只具有该被保留的氮化硅层193，此氮化硅层193即为上述的第一阻[0096]在P型掺杂层中形成氮化硅层的方法与上述在N型掺杂层中形成氮化硅层的方法[0101]综上，本申请实施