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文档简介
P型TOPCon钝化结构的太阳能电池及其制备本发明涉及一种P型TOPCon钝化结构的太阳能电池及其制备方法和应用,所述P型TOPCon钝化结构的太阳能电池依次包括硅基底、氧化铝一掺硼多晶硅层和第二掺硼多晶硅层的硼源浓22.根据权利要求1所述的P型TOPCon钝化结构的太3.根据权利要求2所述的P型TOPCon钝化结构的4.根据权利要求1所述的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池5.根据权利要求4所述的P型TOPCon钝化结构硼多晶硅层的厚度为70nm,所述氧化硅层的厚度为2nm,所述第二掺硼多晶硅层的厚度为6.一种P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包对所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层进行硼扩散,形成第一8.根据权利要求6所述P型TOPCon钝化结9.根据权利要求6所述P型TOPCon钝化结构的太阳能310.一种如权利要求1至权利要求5任一项所述的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池在4P型TOPCon钝化结构的太阳能电池及其制备方法和[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及P型TOPCon钝化结构的太阳能电池[0005]可见,TOPCon钝化结构的太阳能电池的核心结构是超薄的氧化硅层(隧穿氧化性会抑制空穴的隧穿,不利于P型TOPCon钝化结构的太阳能电池效率的提升。而且,于双poly结构的TOPCon钝化结构的太阳能电池而言,其氮硅化物层32无法在poly层生长中完5[0011]在其中一个实施例中,在其中一个实施例中,所述第一掺硼多晶硅层的厚度为[0012]另一实施例公开了一种P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的制备方法,所述制备[0017]本发明公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池中,利用氧化铝层作为隧穿氧化图3为本发明实施例公开的一种P型TOPCo6这些实施方式或实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解[0023]其中,所述氧化铝层21作为本电池结构的隧穿氧化层使用。本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池其他整体结构不作限制,各类型的P型TOPCon钝化结构的太[0024]本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池中,所述氧化铝层21作为隧穿氧化层使用。基于氧化铝层21自身的特性,其能够实现空穴的选择性通过,进而提高P型[0026]本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池是由氧化铝制作隧穿氧化层,由于硼源在氧化铝中分凝系数较小,因此本实施例公开的隧穿氧化层中不会积蓄大量硼现有技术不同之处在于,本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池第一掺硼多晶7[0029]另一个实施例中,所述第一掺硼多晶硅层31的厚度为60nm_80nm,所述氧化硅层[0030]本发明的又一实施例公开了一种P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的制备方法,[0036]对所述硅基底进行碱抛光。即用高浓度的碱溶液与非扩散面没有BSD的硅基底表[0038]具体的,上述过程为采用含铝源和氧源的前驱体,利用LPCVD(低压化学气相沉化学气相沉积在所述硅基底表面形成氧化铝层。的,温度控制280℃_310℃;H2O/O3脉冲时间6s_8s,吹扫时间12s_16s,工艺流量20sccm_8温度为590℃_610℃,氧化硅层厚度1nm_3nm;硼扩散的沉积温度为810℃_870℃,沉积时间3500sccm,推进温度910℃_930℃,时间1000s_2000s,氧化温度910℃_930℃,时间2000s_[0048]本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的制备方法,所述氧化铝层作现有技术不同之处在于,本实施例公开的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池第一掺硼多晶硅层和第二掺硼多晶硅层之间是氧化硅层。氧化硅层能够在第一掺硼多晶硅层上生长完[0050]下面以四个P型TOPCon钝化结构的太阳能电池具体实施例作对比来验证本发明所公开方法和制备的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的优点。以下各实施例仅截取了关键[0052]在所述硅基底表面形成氧化铝层。反应温度为310℃,H2O脉冲时间8s、吹扫时间层厚度3nm;硼扩散的沉积温度为870℃,沉积时间600s,硼源流量350sccm,氧化流量9[0059]在所述硅基底表面形成氧化铝层。反应温度为280℃,H2O脉冲时间6s、吹扫时间层厚度1nm;硼扩散的沉积温度为810℃,沉积时间400s,硼源流量100sccm,氧化流量[0066]在所述硅基底表面形成氧化铝层。反应温度为295℃,H2O脉冲时间7s、吹扫时间层厚度2nm;硼扩散的沉积温度为840℃,沉积时间500s,硼源流量200sccm,氧化流量[0081]可见,本发明实施例所述方法制作的P型TOPCon钝化结构的太阳能电池的iVoc均述方法制作的P型TO
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