CN119486529A 显示设备和制造显示设备的方法 （三星显示有限公司）

本申请涉及显示设备和制造显示设备的方2所述第一电极包括设置在所述像素电路层上的第一部分和从所述第一部分延伸并且所述第一公共层的所述上表面处于比所述第一电极的所述第二部分的顶部高的水平所述第一公共层在所述中央区域中比在所述外围区所述像素限定层包括与所述像素限定层的上表面相邻的第一区域和与所述像素限定所述像素限定层在所述第一区域和所述第二区域中具有3所述像素限定层包括与所述像素限定层的上表面相邻的第一区域和与所述像素限定所述像素限定层在所述第一区域和所述第二区域中具有所述像素限定层的所述第二区域在所述第一电所述像素限定层还包括与所述像素限定层的所述侧壁相邻并且在所述第二区域下方所述第一区域或所述第二区域中的所述像素限定层的氟含量大于所述第三区域或所所述第一公共层在所述中央区域中比在所述外围区所述第一电极包括设置在所述像素电路层上的第一部分和从所述第一部分延伸并且所述第一公共层的上表面处于比所述第一电极的所述第二部分的顶部高通过使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模对所述初始第一电极进行蚀对所述像素限定层执行表面处理工艺，使得所述像素限定层的表面区45[0002]本申请要求于2023年8月11日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10_2023_0105629号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整过在发射区域中防止用于形成像素限定层的材料的残留物来改善发光上广泛使用的显示设备包括从各自的中央区域发射不同颜色的光的包括背光单元的液晶[0006]一个或多个实施方式包括具有改善的照明质量的显示设备和制造显示设备的方[0009]第一电极可以包括设置在像素电路层上的第一部分和从第一部分延伸并且设置6[0014]像素限定层可以包括与像素限定层的上表面相邻的第一区域和与像素限定层的定层包括与像素限定层的上表面相邻的第一区域和与像素限定层的侧壁相邻的第二区域，[0021]第一电极可以包括设置在像素电路层上的第一部分和从第一部分延伸并且设置7[0049]当实施方式可以不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺8如在常用词典中定义的那些术语)应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的[0054]参考图1，显示设备1可以包括其中设置有像素P的显示区域DA以及在显示区域DA[0055]显示设备1的每个像素P可以是能够发射特定颜色的光的区域，并且显示设备1可[0057]非显示区域NDA可以是其中未设置像素P的区域。用于向像素P提供电信号或电力的驱动器可以设置在非显示区域NDA中。各种电子器件或印刷电路板可以电连接到的焊盘管Td。存储电容器Cst可以具有电连接到第二晶体管Ts的一端和电连接到驱动电压线PL的9[0061]作为驱动晶体管的第一晶体管Td可以电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到发光二极管LED的相对电极可以接收电极电力电压[0062]尽管图2示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是[0069]像素电路PC可以包括至少一个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFTx以与第一绝缘层103类似的方式，第二绝缘层105可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2x[0075]第三绝缘层107可以设置在第二绝缘层105上。第三绝缘层107可以覆盖上电极CE2。第三绝缘层107可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝[0076]源电极SE和漏电极DE可以各自设置在第三绝缘层107上。源电极SE和漏电极DE可以通过第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107中的接触孔电连接到半导体层[0077]有机绝缘层110可以设置在第三绝缘层107上。有机绝缘层110可以设置在源电极[0079]像素限定层120可以设置在像素电路层PCL上。像素限定层120可以设置在有机绝120OP可以具有在开口120OP的中央部分中的中央区域OPC和在中央区域OPC外部的外围区可以不覆盖第一电极210的上表面。下面描述的发射层220可以在像素限定层120的开口120OP中。在实施方式中，下面描述的第一公共层215和第二公共层225可以在像素限定层极管LED。像素限定层120中的开口120OP可以对应于发光二极管LED并且可以限定发射区定层120的侧壁相邻的第二区域A2和第三区域A3以及作为除第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3之外的剩余区域的第四区域A4。像素限定层120的第二区域A2可以是在方向x和/的区域。像素限定层120的第三区域A3可以是在方向x和/或方向y上与第一电极210重叠的称为表面区域。像素限定层120的第四区域A4是设置在像素限定层120的芯部分中的区域，在喷墨工艺期间相对于构成包括用于形成发射层220的发光材料的墨水的溶剂或包括发光成包括用于形成发射层220的发光材料的墨水的溶剂或包括发光材料的墨水的接触角为约A1和第二区域A2中的氟含量可以大于像素限定层120的第三区域A3和第四区域A4中的氟含[0084]发光二极管LED可以设置在像素电路层PCL上。发光二极管LED可以设置在有机绝LED可以是包括量子点发射层的量子点发光二其中第一电极210是阳极并且第二电极230是阴极的发光二极管L[0087]第一电极210可以设置在有机绝缘层110上。整个第一电极210可以由像素限定层分210a和从第一部分210a延伸并且设置在像素限定层120的侧壁上的第二部分210b。第一电极210的第一部分210a可以设置在有机绝缘层110的上表面上。第一电极210的第一部分称为第一电极210的突出部。第一电极210的第一部分210a的中央部分可以在中央区域OPC面210U可以包括在中央区域OPC中的第一上表面部分210Ua和在外围区域OPP中的第二上表表面部分210Ub可以从第一上表面部分210银(Ag)并且可以包括基于铝(Al)的化合物或基于铜(Cu[0093]第一公共层215的上表面215U可以处于比第一电极210的上表面210U高的水平第一公共层215的上表面215U可以处于比第一电极210的第一上表面部分210Ua和第一电极210的第二上表面部分210Ub高的水平处。第一公共层215的上表面215U可以处于比第一电一公共层215的整个上表面215U可以处于比第一电极210高衬底100的上表面与A之间的距离大于衬底100的上表面[0096]在实施方式中，第一公共层215可以在其中央部分处具有向上凸出的上表面。例如，外围区域OPP中的第一公共层215的上表面215U的至少一部分可以处于比中央区域OPC中的第一公共层215的上表面215U低的水平处。中央区域OPC中的第一公共层215的厚度Ta可以大于外围区域OPP中的第一公共层215的厚度Tb。在这点上，中央区域OPC和外围区域120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于在像素限定层120的开口120OP的中央区域OPC中域OPP中的发射层220的上表面的至少一部分可以处于比中央区域OPC中的发射层220的上表面在与像素限定层120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于在开口120OP的中央区域OPC围区域OPP中的第二公共层225的上表面的至少一部分可以处于比中央区域OPC中的第二公二公共层225的上表面在与像素限定层120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于在像素限定层120的开口120OP的中央区域O[0102]第二电极230可以设置在第二公共层225上。第二电极230可以在显示区域DA中完其合金。作为另一示例，第二电极230还可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的诸如2O3的层。且防止由于外部湿气或氧气而损坏。封装层300可以覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示[0104]因为第一无机封装层310可以沿着下面的结构形成，所以其上表面可以是不平坦[0106]在一些实施方式中，诸如封盖层的其他层可以设置在第一无机封装层310和第二[0108]参考图4A和图4B，像素限定层120的开口120OP中的第一电极210可以设置在有机[0109]第一公共层215的上表面215U可以处于比第一电极210的上表面210U高的水平底100的上表面和第一电极210的上表面210U[0110]在实施方式中，第一公共层215可以在其中央部分处具有向上凸出的上表面。例如，外围区域OPP中的第一公共层215的上表面215U的至少一部分可以处于比中央区域OPCOPP中的每一个中的第一公共层215的厚度可以限定为每个区域出了用于形成参考图3A和图3B描述的实施方式的制造方法。图5至图11示出了对应于图3B[0113]参考图5，可以在像素电路层PCL(参考图3A)的有机绝缘层110上形成包括开口包括光透射部分M11和光阻挡部分M12的光掩模M1，与形成参考图3A描述的第一电极210的[0117]参考图8，通过显影光刻胶PR，可以在初始第一电极210P上形成第一光刻胶图案PRa。第一光刻胶图案PRa可以在光刻胶PR的与可以形成第一电极210的位置对应的区域中保留，并且剩余部分可以被去除。第一光刻胶图案PRa可以设置在像素限定层120的开口[0118]参考图9，可以通过使用第一光刻胶图案PRa作为蚀刻掩模来蚀刻初始第一电极层110的上表面上的第一部分210a和从第一部分210a延伸并且设置在像素限定层120的侧[0119]可以在形成像素限定层120之后形成第一电极210，并且因此第一电极210可以仅[0120]参考图10，可以通过执行表面处理工艺对像素限定层120的表面区域进行表面处[0121]例如，可以使用包括CF4气体等离子体或SF6气体等离子体的基[0122]可以执行表面处理工艺，使得像素限定层120的上表面和侧表面的一部分可以具有液体排斥性。不与第一光刻胶图案PRa重叠并且被暴露的区域可以被表面处理以具有液[0123]可以不对与第一光刻胶图案PRa重叠并且不暴露于等离子体气体的区域进行表面处理。例如，可以不对与像素限定层120的侧表面相邻并且在方向x或方向y上与第一电极210重叠的第三区域A3和作为除第一区域A1至第三区域A3之外的剩余区域的第四区域A4进和第二区域A2中的像素限定层120的氟含量可以大于第三区域A3和第四区域A4中的像素限公共层215可以形成为包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。除了HTL和HIL之外，[0126]第一公共层215的上表面215U可以形成为处于比第一电极210的上表面210U高的水平处。第一公共层215的上表面215U可以形成为处于比第一电极210的第一上表面部分表面215U在与像素限定层120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于像素限定层120的开口于比中央区域OPC中的第一公共层215的上表面215U低的水平处。中央区域OPC中的第一公共层215的厚度Ta可以形成为大于外围区域OPP中的第一公共层215的厚度在与像素限定层120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于像素限定层120的开口120OP的中处于比中央区域OPC中的发射层220的上表面低公共层225可以形成为包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。除了ETL和EIL之外，表面在与像素限定层120的侧壁相邻的区域中的高度可以低于在像素限定层120的开口处于比中央区域OPC中的第二公共层225的上表面低[0132]第一公共层215的厚度Ta可以形成为大于发射层220的厚度Tc。第一公共层215的[0133]可以在第二公共层225上形成第二电极230。第二电极230可以形成为在显示区域2O3的层。[0134]再次参考图3A，可以在发光二极管LED上形成包括至少一个无机封装层和至少一[0136]图12至图15示出了其中通过在形成参考图7所描述的光刻胶PR之后相对增加曝光所描述的前述制造方法可以以相同的方式应[0138]参考图13，可以通过使用第二光刻胶图案PRb作为蚀刻掩模来蚀刻初始第一电极可以在与第二光刻胶图案PRb的外边缘重叠的区