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ICSCCSK

T/DIPA16—Reliabilitytestingforvoltagesourceconverterpower T/DIPA16— T/DIPA16— T/DIPAT/DIPA16—T/DIPAT/DIPA16— GB/T1.1—20201(IGT)VSC)(VSDb交变湿热GB/T2423.5—2019环境试验2EaGB/T2423.22—2002电工电子产品环境试验第2N:温度变化GB/T13498—2017高压直流输电术语GB/T16927.1—2011高电压实验技术1GB/T16927.2—2013高电压实验技术2GB/T16927.3—2010高电压实验技术第3GB/T17626.2—2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GB/T17626.3—2016电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GB/T17626.5—2019电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验GB/T17626.6—2017电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度GB/T17626.8—2006电磁兼容试验和测量技术工频磁场抗扰度试验GB/T17626.9—2011电磁兼容试验和测量技术脉冲磁场抗扰度试验GB/T17626.10—2017电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡磁场抗扰度试验GB/T17626.18—2016电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡波抗扰度试验GB/T33348—2016高压直流输电用电压源换流器阀—电气试验GB/T34118—2017GB/T13498和GB/T34118powersemiconductortermsturn-offsemiconductor注:有多种可关断半导体器件可用于高压直流输电VSC换流器。为方便起见,本文件所用术语IGBT指代主要的可关[来源:GB/T34118—T/DIPAT/DIPA16—T/DIPAT/DIPA16—insulatedgatebipolar注:[来源:GB/T33348—free-wheeling[来源:GB/T34118—IGBTIGBT-diode[来源:GB/T34118—2017,7.4]switch注:一个开关单元可由单个的IGBT-二极管对组成,或者在级联两电平换流器下,串联多个IGBT[来源:GB/T34118—VSCVSCconstructiontermsmodularmulti-level[来源:GB/T34118—2017,6.4]cascadedtwo-level[来源:GB/T34118—2017,6.5]MMCbuilding[来源:GB/T34118—power[来源:GB/T34118—2017,7.13,有修改][来源:GB/T33348—2016,3.4.8]reliabilitytermsno-relevantno-chargeable1%;GB/T16927.1—2011、GB/T16927.2—2013、GB/T16927.3—2010—2019GB/T17626.2—2018、GB/T17626.3—2016、GB/T17626.4—10s;11%的试验样品出现责任故障,则修复故障并重复221332表2功率模块可靠性试验项目(续功率模块(电容可外置功率模块(电容可外置电磁兼容(抗干扰)4.2.7b)、c)、d)项的一种验证手段,表明试品在完成其他可靠性试验后没有16.3IGBTIGBTIGBTIGBT63GB/T2423.1—20085.3Ad推荐-10GB/T2423.1—2008±2℃(GB/T2423.1—20086.2)(GB/T2423.1—20084GB/T2423.2—20085.3GB/T2423.2—20086.5.2±2℃(GB/T2423.2—20086.2)GB/T2423.2—20086.8.272h(GB/T2423.2—20086.11)5GB/T2423.22—20128Nb表5温度变化试验(续低温按照-10GB/T2423.1—2008高温按照+65℃或制造商规定的最高运行温度,温度值宜从GB/T2423.2—2008GB/T2423.22—2012215(GB/T2423.22—20127.3)6GB/T2423.4—1h95GB/T2423.4—20082a2b表6交变湿热试验(续试验循环为依照GB/T2423.4—20082a2b(见GB/T2423.4—200894.2.7278加速度峰值脉冲持续时间a36184.2.7装置应满足GB/T1

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