CN119487408A 磁传感器以及磁测定方法 （阿尔卑斯阿尔派株式会社）

2025.01.03PCT/JP2023/0083802023.03.06WO2024/034169JA2024.02.15本发明的一方式所涉及的磁传感器（1）具场时的磁探测部（2）的第1输出和自由磁性层2饱和磁场施加部，其对所述自由磁性层沿着所述测定磁场所述磁场算出部基于对所述自由磁性层施加所述测定磁场时的所述磁探测部的第1输所述磁场算出部基于所述第1输出与所述第2输出的差分来算出所所述测定磁场的方向相对于所述第1方向平在多个所述磁阻效应元件的各自中，由所述饱和磁场施加部7.一种磁测定方法，基于磁探测部的输出来饱和磁场测定步骤，沿着所述测定磁场的方向施加磁场，3来除去1/f噪声。[0015]在具备磁阻效应元件的磁传感器中，存在低频区域中的1/f噪声使磁传感器的检4述磁场算出部基于对所述自由磁性层施加所述测定磁场时的所述磁探测部的第1输出、和所述自由磁性层磁饱和时的所述磁探测部的第2输出来算出所[0019]在第1输出中包含测定磁场的输出以及1/f噪声，在第2输出中包含自由磁性层磁所述磁场时的磁化方向是与所述第1方向正交的方向，所述测定磁场的方向是所述第1方定磁场的方向施加磁场，在使所述自由磁性层饱和的状态下，得到所述磁探测部的第2输5[0037]图6是实施方式所涉及的磁测定方法的各工序中的磁阻效应元件的磁的状态以及6化方向的相对关系而发生变化。磁传感器1能基于磁阻效应元件10的电阻值的变化来对所的Y轴的Y1方向）。自由磁性层13中，未施加磁场时的磁化方向成为与第1方向正交的方向[0063]图1所示的饱和磁场施加部3对磁探测部2所具备的磁阻效应元件10施加磁场，使[0064]磁场算出部4基于磁探测部2的输出来算出测定磁场，例如由CDS（Correlated7[0067]图3是示意表示变形例所涉及的磁阻效应元件20的层叠构造的立体图。关于该图[0068]磁阻效应元件20中，在该图中以两侧箭头表示的测定磁场的方向为Y轴方向上的[0069]图4是表示磁阻效应元件10中产生的1/f噪声与来自具备一个磁阻效应元件10的磁探测部2的输出的关系的图表。来自磁探测部2的输出中所含的1/f噪声由于频率越低则定方法的流程图。图6是在本实施方式所涉及的磁测定方法的各工序中示意表征磁阻效应了算出测定磁场而使用磁场测定步骤S1中得到的第1输出、和饱和磁场测定步骤S2中得到8图来说明使自由磁性层13磁饱和的饱和磁场Hs。磁探测部2的输出理想是如该图中一点划[0081]在饱和磁场测定步骤S2中得到的第2输出中包含自由磁性层13磁饱和的状态的信[0082]磁场算出步骤S3基于磁场测定步骤S1中测定的第1输出和饱和磁场测定步骤S2中9[0092]全桥电路15是在电源供电点即电源端子Vdd与接地端子Gnd之间并联连接半桥电路21a和半桥电路21b的结构。半桥电路21a将磁阻效应元件10a和10b串联连接，半桥电路[0094]关于形成半桥电路21a的一对磁阻效应元件10a、10b，固定磁性层11的磁化方向磁阻效应元件10a以及磁阻效应元件10c施加相同朝向的饱和磁场，并且对磁阻效应元件10b以及磁阻效应元件10d相等地施加与磁阻效应元件10a相反朝向[0099]图13是表示对图12的磁传感器1施加饱和磁场而自由磁性层13饱和的状态的全桥[0100]构成全桥电路15的半桥电路21a和半桥电路21b具备使自由磁性层13磁饱和的状态下的、自由磁性层13和固定磁性层11的磁化方向的相对的关系相同的磁阻效应元件10。14A以及图14B示出通过仿真得到的表示第1输出的图表、以及表示频率与噪声的关系的图系的图表。在图16A以及图16B示出表示基于本实施例中的第1输出和第2输出的输出的图使构成全桥电路15的磁阻效应元件10的自由磁性层13饱和的状态下的第2输出中抵消了饱阻效应元件10b以及10d中的自由磁性层13在与固定磁性层11的磁化方向反平行的方向上自由磁性层13饱和的状态下的饱和磁场信号且包含1/f噪磁传感器1测定通过流过配置于磁传感器1的近旁的电流线的被测定电流而产生的感应磁