CN119487446A 对准方法以及相关的对准和光刻设备 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.20PCT/EP2023/0793972023.10.23WO2024/099744EN2024.05.16公开了一种用于确定至少一组校正权重以一层和第二层相关的第一量测数据和第二量测述第一组拟合残差和所述第二组拟合残差之间2获得与用于执行第一层的测量的测量辐射的第一组照射设置有关的将所述第一量测数据拟合至用于表示所述量测数据的模型，并将获得与用于执行第二层的测量的测量辐射的第二组照射设置相将所述第二量测数据拟合至用于表示所述量测数据的模型，并将将所述至少一组校正权重确定为使所述第一组拟合残差与所述第二组拟合残差之间2.如权利要求1所述的方法，其中每个所述拟合步骤包括将每个照射设置的相应的所3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述确4.如权利要求3所述的方法，其中所述单组校正权重包括用于仅校正所述第二组量测使得它们最小化所述第二组拟合残差和与所述第一组残差数据相关的残差向量之间的差6.如权利要求5所述的方法，其中所述残差向量包括根据所述第一组残差数据和固定7.如权利要求6所述的方法，包括仅对所述第一量测数据执行初始优化以确定所述第述残差矩阵包括在第一维度中按目标或标记以及在第二维度中按照射条件布置的所述量9.如权利要求3所述的方法，其中所述单组校正权重包括用于校正所述第一组量测数10.如权利要求9所述的方法，其中所述确定步骤包括执行所述公共校正权重组的优第二残差矩阵包括在所述第一维度中按目标或标记以及在所述第二维度中按照射条件布11.如权利要求1或2所述的方法，其中所述确定所述至少一组校正权重包括确定用于校正所述第一量测数据的第一层校正权重和用于校正所述第二量测数据的第二层校正权12.如权利要求11所述的方法，其中所述确定步骤包括执行所述第一层校正权重和所3合残差和由所述第二层校正权重加权的所述第二组拟合13.如权利要求12所述的方法，包括施加使由所述第一层校正权重加权的所述第一组拟合残差的大小和由所述第二层校正权重加权的所述第二组拟合残差的大小最小化的先14.如权利要求13所述的方法，其中所述先验基于使所述第一组拟合残差向零优化的第一组初始权重和使所述第二组拟合残差向零优化15.如权利要求14所述的方法，包括对所述第一量测数据执行第一初始优化以获得所16.如任一前述权利要求所述的方法，其中所述第一组照射设置和所述第二组照射设17.如任一前述权利要求所述的方法，其中所述第一量测数据和所述第二量测数据均4[0002]本申请要求于2022年11月9日提交的EP申请2产品是已知的。当前光刻设备中广泛使用的一种类型的传感器基于如US6961116(denBoef等人)中所述的自参考干涉仪。已经开发了位置传感器的各种增强和修改，例如在时通过使用多个不同的波长和/或偏振(或更一般地，多个不同的照射条件)执行相同的测[0008]使由这种标记缺陷产生的误差最小化的一种方法是使用两种或多种颜色之间的乘拟合)以找到最小化晶片或晶片组上的模型残差的最5[0010]本发明在第一方面中提供了一种用于确定至少一组校正权重以校正量测数据的述至少一组校正权重确定为使所述第一组拟合残差与所述第二组拟合残差之间的差值最[0018]图5概念性地示出了间接对准的示例，其示出了两个层可如何各自参考参考层或[0019]图6概念性地示出了间接对准的示例，其中示出了顶层对和紧邻的前一层对之间6指以数字形式存储图案信息以用于控制这种可编程图案水)套刻以填充投影系统和衬底之间的空间的类型。还可以将浸没液体施加到光刻设备中辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD从源SO传递到照射[0030]辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，并由图案影系统PS将辐射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例置传感器(图1中未明确示出)可用于例如在从掩模射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模7曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的速度和方向可以由投影系得设备的吞吐量显著增加。准备步骤可以包括使用水平传感器LS绘制衬底的表面高度轮[0035]图2示出了在图1的双台设备中暴露衬底W上的目标部分(例如裸片)的步骤。在虚线框内的左手侧是在测量站MEA处执行的步骤，而右手侧示出了在曝光站EXP处执行的步[0038]在202，使用衬底标记P1等的对准测量和图像传感器(未示出)用于测量和记录衬8底相对于衬底台WTa/WTb的对准。此外，将使用对准传感器AS测量跨衬底W'的几个对或不同的标记的粗略和精细测量的不同阶段。粗略和/或精细对准测量步骤可在高度测量[0046]标记或对准标记可以包括在衬底上提供的层上或层中形成的或(直接)在衬底中9量沿X轴或沿(基本上垂直于X轴定向的)Y轴的位置。包括相对于X－轴和Y－轴以+45度和/或－45度布置的条的标记允许使用如US2009/195768A中所述的技术进行组合的X－和Y-[0047]对准传感器用辐射点光学扫描每个标记以获得周期性变化的信号，例如正弦[0048]测量标记的位置还可以提供关于其上例如以晶片栅格的形式提供的标记的衬底的变形的信息。衬底的变形可以通过例如将衬底静电夹持到衬底台和/或当衬底暴露于辐[0051]在这个示例中包括点镜SM的转向光学器件也可以用于阻挡从标记反射的零阶辐[0052]SRI强度信号SSI被提供给处理单元PU。通过自参考干涉仪SRI中的光学处理和单[0053]所示类型的单次测量仅将标记的位置固定在对应于标记的一个节距的特定范围公开WO2017032534A2中更详细地描述)和WAMM(晶片对准模型映射－其在PCT公开WO2019001871A1和WO201706型拟合系数X执行最小二乘优化。当这些权重使对准量测和套刻量测之间的差值最小据可用并且如果参考数据中的工艺变化表示需要校正的变化，则只能精确地执行这些校所描述的方法是基于观察到的晶片对准模型残差(测量的对准数据和拟合到对准数据的对述的具体示例性方法通过对每个测量执行模型残差的线性最小二乘优化来确定该组颜色通过在基于L1范数的优化中包括正则化项。索引m(1_M)和颜色通道n(1－N)的残差":[0066]该方程组可以例如在颜色权重之和必须等于1的附加约束下经由线性最小二乘回[0069]一旦该方程组被求解，将所得到的最优权重w应用于对准数据将导致在输入中考[0070]MCLR方法可以以类似于OCW的方式实现为外部训练算法。来自一个或多个晶片的[0072]在一个实施例中，可能有利的是对该解决方案中使用的颜色权重的数目进行限设置的优选子集。这种实施例的优点包括对训练数据中的异常值的过拟合的更强的鲁棒使这导致这些层中的每一者相对于底部/参考层的较[0081]图5概念性地示出了间接对准的示例，其中两个层L1和L2都将AL对准回到相同的确定为使所述第一组拟合残差与所述第二组拟合残差之间的差值最小化的至少一组校正第二层(或顶层)L2的每种颜色的残差和第一层L1的固定残差的增量来优化层间差异(增残差(第二层残差)与包括第一组拟合残差(第一层残差)的向量之间的残差差值最小化的[0092]其中RL2是包括第二层L2的每个标记和每种颜色的残差的矩阵，并且是RL1具有第[0094]其中RL1是具有第一层L1的每个标记和每种颜色的残差的矩阵，并且wL1是第一层中，对第二层RL2的第二组拟合残差和第一层RL1的第一组拟合残差之间的残差差值执行L1和RL2中的数据可以表示来自分别在层L1和L2中测量的相同标记位置(在行中)[0099]与前面的实施例一样，基本MCLR方法没有改变并且可以如已经描述的那样执[0101]如果允许两个层都获得独立的权重，则可以根据第一量测数据/第一层的第一层校正权重wL1和第二量测数据/第二层的第二层校正权重wL2来解决使它们的残差差值最小[0111]在直接和间接对准的情况下，层L2和层L1之间的套刻受到层L2的曝光(套刻目标变将需要L2对准的相应改变以跟随层L1的改变并将L2－L1套刻误差保持[0116]这两层的共同优化需要准备步骤来对层L2和层L1(例如，第一组有效权重和第二[0119]在第一步骤中，应该针对层L2的有效对准对所测量的套刻L2－L1yL2L2-L1,dL2,dL1[0126]用于层L2和层L1的优化的颜色权重配方wL2,opt，wL1,opt可以在单个优化中同时找择层L1的任何权重(以优化L2-L1套刻)可能导致套刻L1-L-1受到严重影响(例如，超出规[0133]可以使用针对该层(例如，在这种情况下针对层L1)的常规OCW配方训练(单层优层L1的新配方可以偏离先验的多一点。这可能导致稍微恶化的套刻L1－L－1(这不是关键设置为测量波长与偏振的组合)，用以通过根据权重最小化两层之间的模型残差增量来校正多种色彩/照射设置的量测数据，所述模型残差是通过将每一组量测数据拟合到用于表重确定为使所述第一组拟合残差与所述第二组拟合残差之间的差值最小化的至少一组校[0149]2.根据条款1所述的方法，其中每[0151]4.根据条款3所述的方法，其中[0152]5.根据条款4所述的方法，其中所[0153]6.根据条款5所述的方法，其中所述定的第一层校正权重确定的每个目标或每个标记的[0154]7.根据条款6所述的方法，包所述残差矩阵包括在第一维度中按目标或标记以及在第二维度中按照射条件布置的所述[0156]9.根据条款3所述的方法，其中所述单述第二残差矩阵包括在所述第一维度中按目标或标记以及在所述第二维度中按照射条件[0158]11.根据条款1或2所述的方法，其中所于校正所述第一量测数据的第一层校正权重和用于校正所述第二量测数据的第二层校正[0159]12.根据条款11所述的方法，其中所述组拟合残差和由所述第二层校正权重加权的所述第二组拟合残[0160]13.根据条款12所述的方法，包括施加组拟合残差的大小和由所述第二层校正权重加权的所述第二组拟合残差的大小最小化的[0161]14.根据条款13所述的方法，其[0162]15.根据条款14所述的方法，包括[0163]16.根据条款11至15中任一项二残差矩阵包括在第一维度中按目标或标记以及在第二维度中按照射条件布置的所述量[0165]18.根据任一前述条款所述[0166]19.根据任一前述条款所述的方法，[0167]20.根据前述任一项条款所述的括用于所述一组照射设置中的每一个照射设置[0170]23.根据条款22所述的方法，其中所述移除或移除具有最低影响度量的照射条件以获得照射设置的[0172]25.根据条款21所述的方法，其[0173]26.根据任一前述条款所述的方法[0174]27.根据任一前述条款所述的方法，[0175]28.根据任一前述条款所[0176]29.根据条款28所述的方法，包[0178]31.根据条款29或30所述的方法[0179]32.根据条款29或30所述的方法，其中所[0180]33.根据条款32所述的方法，其中[0182]35.根据条款28至34中任一项所述的述最小化拟合残差与最小化套刻数据与所述对准数据之间的差值之间执[0184]37.根据前述任一项条款所[0185]38.根据任一前述条款所述的方法，其[0192]45.一种用于确定用于第一层的第一组校正权重和用于第二层的第二组校正权重[0194]针对在曝光所述第一层时所执行的第一量测校正以及在曝光所述第二层时所执行的第二量测校正来对所述参考量测数据进行解校正，以获得经解校正的参考量测数据；一组校正权重和所述第二组校正权重改进所述第一层与第二层之间的所述感兴[0196]46.根据条款45