CN119487452A 增强型euv光刻胶及其使用方法 （亚历克斯·P·G·罗宾逊）

2024.11.20PCT/IB2023/0003232023.05.22WO2023/227950EN2023.11.30本文公开并要求保护的是新型非聚合芳族基核心分子，该非聚合芳族基核心分子含有含2其中R1至R3相同或不同并且由至少一个环氧一醚交联官能团3.包含具有以下结构的核心三(4一羟基苯基)甲烷基团的酸敏感交联剂或碱敏感交联环丁烷醚交联官能团中的至少一者组成，并且其中羟基苯基基团中的至少一个羟基苯基3其中R1至R4相同或不同并且由至少一个环氧一醚交联官能团环丁烷醚交联官能团组成，并且其中羟基苯基基团中的至少一个羟基苯基基团上的氢中9.4环氧醚交联官能团和/或氧杂环丁烷醚交联官能团，并且其中羟基苯基基团中的至少一14.根据权利要求12所述的组合物，其中所述亲核淬灭剂是三苯基锍三氟甲磺酸盐或环环氧醚交联官能团和/或氧杂环丁烷醚交联官能团，并且其中羟基苯基基团中的至少5[0001]本专利申请公开了非聚合芳族基核心分子，该非聚合芳族基核心分子含有含氧、[0002]极紫外光刻(EUVL)是替代光学光刻的领先技术选择中的一种选择，用于以<20nm刷线的线宽粗糙度(LWR)和负性光刻胶中的线边缘生长或正性光刻胶中的线边缘衰退的影[0003]已经进行了各种尝试来改变EUV光刻胶组合物的组成以改善功能特性的性能。电6[0007]人们还普遍认为，在基于依赖于交联和/或聚合反应的固化机制的负性光刻胶体[0008]专利文献中充斥着包含环氧材料作为酸催化固化过程中使用的交联剂的光刻胶几种独特的新型交联剂实际上确实在EUV光化辐射产生的照片图案的生成方面提供了重大[0009]本专利申请公开并要求保护基于三(三苯基)甲烷作为核心官能团的新型交联剂[0010]还提出这些独特且新型的交联剂可用于常规光刻胶曝光工艺，诸如例如365nm、[0011]图1示出了本公开中使用的对照化合物的分子结构以及本公开中提出的新型交联7[0016]图6至图9示出了通过处理包含本公开中呈现的新型交联剂的光刻胶而得到的8氧醚交联官能团和/或氧杂环丁烷醚交联官能团。9[0037]本公开的新型交联剂含有三(4_羟基苯基)甲烷核或l,4_(双_4'_羟基二苯基甲[0043]在氩气气氛下，将醛(1.00当量)、苯酚(4.0当量)、PTSA(20mol％)和氯化锌并将反应混合物用EtOAc(3×25mL)萃取。将合并的有机级分用水(3×15mL)和盐水(15mL)[0056]化合物按照一般脱烷基化程序由8以标度2.38mmol制备。得到呈淡黄色固体的9[0057]((((((4(环氧乙烷2基甲氧基)苯基)亚甲基)双(2,6二碘4,1亚苯基))双过自动化快速柱色谱法(0一100％Hx/EtOAc)纯化。得到呈白色固体的CL2134(0.20g；[0061]在氮气下，将2氟对甲氧基苯甲醛(4.00g；25.97mmol)、苯酚(12.21g；之后形成粘性浆液。将其加热至45℃并放置24h。将反应物冷却至室温。添加乙酸乙酯法(二氧化硅；80％己烷:20％乙酸乙酯)进一步纯化，得到呈浅黄色固体的15(5.90g；(10mL)洗涤，然后使用MgSO4干燥。将有机相在真空中蒸发至干，得到呈白色固体的17HNMR:4I3FOHF1otter10/12/20[0066]2,2'(((((3氟4(环氧乙烷2基甲氧基)苯基)亚甲基)双(2,6二碘4,1亚苯基))双(氧基))双(亚甲基))双(环氧乙使用乙酸乙酯:己烷(1:5)重结晶和柱色谱法(二氧化硅；30％正己烷:70％乙酸乙酯)进一[0071]化合物按照一般缩合程序由19以标度4.9mmol制备。得到呈淡红色固体的20碘4,1亚苯基))双(氧基))双(亚甲基))双(环氧乙烷)CL2103[0080]化合物按照一般缩合程序由对苯二甲醛以[0082]化合物16按照一般程序环氧化物附录由25以标[0086]化合物14按照一般程序环氧化物附录由26以标度4反应混合物加热至50℃并保持16h。添加表氯醇(5mL；64mmol)，随后添加Et4NI(260mg；1mmol)并将混合物加热至80℃另外16h。将NaOH50％w/w的水(0.82mL)溶液添加到反应混相减压蒸发至干。固体通过柱色谱法(二[0094]化合物28按照一般脱烷基化程序由27以标度4.基))双(氧基))双(亚甲基))双(环氧[0100]2,2'(((((3,5二碘2(环氧乙烷2基甲氧基)苯基)亚甲基)双(2,6二碘4,(2,6二碘苯酚)32以标度0.41mmol制备。获得呈透明粘性油状物的标题化合物，产率为摩尔比进行描述。含有高不透明度交联剂(化合物1至[0113]还发现，包括本公开的不同异构体的2种或更多种交联剂可以以各种比例组合以[0116]使用BrewerScienceOptistackAL212底层在2000rpm下旋涂硅晶片，并在205[0117]使用PSI同步加速器通过非接触式掩模对晶片进行曝光，该掩模包含44nm线间距钟至2分钟的曝光后烘烤，通常在60℃至80敏感环氧树脂交联剂和氧杂环丁烷交联剂在用于EUV光刻胶时，线宽粗糙度或感光速度或置含有高EUV吸光度碘化物取代基以及氟化物取代基以及它们的组合的交联[0129]同样在表1中，当环氧基团位于环己烷结构上时，化合物2显示出线宽粗糙度的令人惊讶地发现化合物3的氧杂环丁烷基团提供了感光速度的增加，但不如化合物1或2那[0132]化合物1和6的不同之处在于化合物含有3个在芳环上取代的碘化物。令人惊讶的