CN119487979A 低介电常数射频基板、该基板的组件及制造该基板的方法 （罗杰斯公司）

2024.12.27PCT/US2023/0265792023.06.29WO2024/006439EN2024.01.04间延伸并且与第一侧和第二侧一体地连接，其配置成支持以下中的一个或更多个的基本上固2其中，所述中间区域包括所述介电材料的晶格结构，所述其中，所述晶格结构在所述第一侧与所述第二侧之间其中，所述第一侧和所述第二侧中的至少之一包括被适当所述第一侧和所述第二侧两者都包括被适当地配置成支持以下中的一个或更多个的所述整体结构的所述介电材料具有等于或大于1.01且等于或小于5的相所述整体结构的所述介电材料具有等于或大于1.1且等于或小于4.5的相所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述介电材料包括与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐的所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述介电材料包括与所述x_y_z坐标系的z轴基本上对齐的所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述介电材料包括与所述x_y_z坐标系的z轴基本上对齐的所述整体结构包括在所述第一侧与所述第二侧之间延伸的一个或更3所述一个或更多个通孔包括所述整体结构的所述第一侧与所述第二侧之间的导电表在所述整体结构的所述第一侧、所述第二侧或者所述第一侧所述通孔包括所述整体结构的所述第一侧与所述第二侧之间的所述中间区域的所述晶格结构具有所述介电材料和所述间隙空间的均所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述基板以具有工作波长λ的限定频率f工作，并且所述基板在z方向上的总厚度等于所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述基板以具有工作波长λ的限定频率f工作，并且所述基板在z方向上的总厚度等于所述基板中的每个基板都包括一个或更多个机械配准特征，以与所述基板的机械配准特征中对应的机械配准特征机械所述一个或更多个机械配准特征和所述机械配准特征中对应的机械配准特征之间包4所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述组件以具有工作波长λ的限定频率f工作，并且所述组件在z方向上的总厚度等于所述整体结构是相对于正交x_y_z坐标系形成的，在所述正交x_y_z坐标系中z轴与所所述组件以具有工作波长λ的限定频率f工作，并且所述组件在z方向上的总厚度等于28.一种制造根据权利要求1至22中任经由所述连续工艺在所述第一侧上并且与所述第一侧一体地形成所述基板的所述中经由所述连续工艺在所述中间区域上并且与所述中间区域一体地形成所述基板的所所述连续工艺还包括形成从所述第一侧穿过所述中间区域延伸至所述第二侧的一个在所述第一侧和所述第二侧中的至少之一上对电子电路进行成像以提供所述电子电在所述第一侧和所述第二侧中的至少之一上对电子电路进行金属化以提供所述电子32.根据权利要求28至31中任一项所述的方法，其经由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐33.根据权利要求28至31中任一项所述的方法，其经由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的z轴基本上对齐的陶34.根据权利要求28至31中任一项所述的方法，其5经由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐经由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的z轴基本上对齐的陶6[0002]本申请要求2023年6月28日提交的序列号为18/215,570的美国申请的权益，该美国申请要求2022年6月30日提交的序列号为63/357,386的美国临时申请的权益，该美国申[0004]具有低介电常数(permittivity)或低Dk(介电常数(dielectricconstant))的基艺化学物质渗入泡沫)，并且布设z轴线以连接低Dk空间(泡沫)的顶部和底部上的电路平常数RF基板相关的技术将与克服上述限制中的一个或更多个限制7[0014]图1B描绘了根据实施方式的适合与图1的基板一起使用的示例通用电子电路表示[0020]图4B描绘了根据实施方式的具有机械附接的相邻基板的多层组件的截面视图以[0021]图4C描绘了根据实施方式的类似于图4B的截面视图但具有粘接的相邻基板的截[0022]图4D描绘了根据实施方式的类似于图4B的截面视图但具有熔接的相邻基板的截8[0026]如各个图和随附文本所示出和描述的实施方式提供了3D可打印或者其他增材制不会有损本文公开的根据所附权利要求的本发明的预赋予低介电常数，同时被设计成具有用于电路成像的固体表面和原位(in_situ)创建通孔介电材料的晶格结构403，该晶格结构403在晶格结构403的介电材料之间具有多个间隙空螺旋晶格结构，但其可以是任何其他与基于支柱(strut)的晶格结构对比的基于面的晶格9结构。在实施方式中，中间区域400的晶格结构403具有介电材料和间隙空间402的均匀分金属沉积250(参照图1B最佳地示出)；或者在第一侧200与第二侧300之间的通孔104(参照一侧200与第二侧300之间提供至少一个导电路径。在实施方式中，整体结构102的第一侧在实施方式中，导电通孔104以及第一侧200和第二侧300的金属化表面使用相同的金属化的x_y平面基本上对齐的陶瓷纤维150和与x_y_z坐标系的z轴基本上对齐的陶瓷纤维160两宽度和长度可以根据期望的性能特性以及根据本文公开的实施第一侧200和基板100的第二侧300可以完全地或至少部分地插入至可弹性变形的凹部515中的[0047]根据前述的所有内容，可以理解，除了本文公开的用于使用晶格结构403向基板间区域400上并且与中间区域400一体地形成基板100的第z坐标系的z轴基本上对齐；或者与x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐并且与x_y_z坐标系解的方式落入所附权利要求所限定的本发明的范的背景信息构成针对本文公开的本发明的实施方式的现有格结构在所述第一侧与所述第二侧之间延伸并且与所述第一侧和所述第二侧一体地连接；者都包括被适当地配置成支持以下中的一个或更多个的基本上固体的表面：电子电路成料具有等于或大于1.01且等于或小于5的和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；并且所述介电材料包括和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；并且所述介电材料包括侧和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；所述介电材料包括与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐的陶瓷纤维，并且所述介电材料包括与所述x_y_z侧和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；并且所述基板以具有械配准特征中对应的机械配准特征之间包括能够弹性变形一侧和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；并且所述组件以具一侧和所述第二侧两者都垂直的正交x_y_z坐标系形成所述整体结构；并且所述组件以具[0083]方面28：一种制造根据方面1至22中任一方面所述的具有所述整体结构的基板的二侧中的至少之一上对电子电路进行成像以提二侧中的至少之一上对电子电路进行金属化以提由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐的陶瓷由所述连续工艺在所述介电材料内形成与所述x_y_z坐标系的x_y平面基本上对齐的陶瓷