CN119489626A 耐能量冲击的热敏打印用发热基板及其制备方法 （山东华菱电子股份有限公司）

耐能量冲击的热敏打印用发热基板及其制的说是一种具有耐高温且能够减少热应力的不良影响的耐能量冲击的热敏打印头用发热基板有底釉层，底釉层上布设发热电阻体和电极导能量冲击的发热电阻体，发热电阻体采用铪钽2阻体总质量的3070％之间，发热电阻体的厚度为10～500nm，电阻率为500～4000E_8能量的电极导线段中设有下层电极线和上层电极线，所述下层电极线采用铪铼Hf/Re合金括位于下方的底釉蓄热层以及位于底釉蓄热层上方的HfO2层，底釉蓄热层以SiO2为主材，5.一种如权利要求1_4中任意一项所述的耐能量冲击的热敏打印用发热基板的制备方步骤2：所得混合粉末进行等离子烧结，等离子烧结的条件7.一种如权利要求1_5中任意一项所述热敏打印头用发热基板的制造方法，其特征在34应力的不良影响的耐能量冲击的热敏打印头用发热基[0004]专利文献CN109320303提供了超高温抗氧化耐烧蚀涂层及其制备方法，涉及化学复相涂层交替叠加而成的Ta/(Ta,Hf)C多层多相复合涂层。还提供超高温抗氧化耐烧蚀涂[0005]专利文献CN109972120涉及一种多元复合碳化物涂层的制备方法。它依次包括：[0006]专利文献CN111072388B涉及一种长时耐烧蚀超高熔点含氮碳化物超高温陶瓷及的HfCxNy陶瓷。设计和制备的新型超高熔点陶瓷克服了现有超高温抗烧蚀陶瓷存在耐烧[0007]以上现有技术所提供的高耐温涂层材料虽然具有耐高温5应力的不良影响的耐能量冲击的热敏打印头用发热基[0012]本发明中底釉层包括位于下方的底釉蓄热层以及位于底釉蓄热层[0014]本发明还提出了一种如上所述的耐能量冲击的热敏打印[0017]步骤2：所得混合粉末进行等离子烧结，等离子烧结的条件为：烧结炉内温度为[0021]本发明中底釉层中的HfO2层、电极导线中的耐能量冲击的电极导线段(Hf+Re合6HfO2&SiN混合物或HfO2&SiON混合物或HfO2&SIALON混合物至少一[0030]本例中底釉层的底层采用以SiO2主材的底釉蓄热层2_1，以SiO2主材的底釉蓄热响应特性，HfO2热膨胀系数为6±1e_6/℃,相近的热膨胀系数可避免因为热胀冷缩导致层[0031]本例中发热电阻体3能够与底釉层和保护层有很好的结合力，所选发热电阻层采用Hf/Ta合金同SiC的混合物构成，Hf和Ta比例为1～2：8～9，Hf/Ta合金的比例在30%~7CVD等工艺制成，下层电极线中Hf+Re的熔点分别为2227℃和3180℃,远高于现在普遍采用的熔点约600℃的Al，Hf+Re的热膨胀系数为5.8±1e_6[0037]本例中保护层中的绝缘保护膜采用HfO2&SiN混合物或HfO2&SiON混合物或HfO2&需要露出的电极图形覆盖，溅射绝缘保护膜HfO2&SiN混合物或HfO2&SiON混合物或HfO2&末颗粒在低于熔点的温度下快速致密化。保温15_20分钟，压力为35_50MPa，真空度小于8~45气压为0.2～0.8Pa。[0045]保护膜(HfO2&SiN或HfO2&SiON或HfO2&SIALON)等的制