场效应管放大电路课件

場效應管放大電路多級放大電路輸入級—Ri

中間放大級—AV

輸出級—Ro

共集、共射共射、共基共集第4章場效應管第6.2節差分放大電路2個信號相減第5章功率放大電路直接耦合零漂Ri

RL特別小第6.1節電流源第6章集成運算放大器性能改善第7章回饋技術、方法第8、9、10章運算放大器應用各種功能電路2已知圖示放大電路中三極管的

=60，rbe=3k

。(1)若電容C3斷開，求Ri(2)接上C3後，求Ri

。分析舉例3引言4場效應管放大電路1、問題的引出2、分類進一步提高Ri

，但BJT的Je正偏，rbe較小FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）44.1結型場效應管

結構

工作原理

輸出特性

轉移特性

主要參數4.1.1JFET的結構和工作原理4.1.2JFET的特性曲線及參數54.1.1JFET的結構和工作原理1.結構64.1.1JFET的結構和工作原理1.結構N型導電溝道漏極D(d)源極S(s)溝道電阻

——

長度、寬度、摻雜P+P+反偏的PN結

——

反偏電壓控制耗盡層結構特點:空間電荷區（耗盡層）柵極G(g)74.1.1JFET的結構和工作原理2.工作原理①VGS對溝道的控制作用②VDS對溝道的影響

VGS=0

VGS＜0(反偏)

VGS=VP

耗盡層加厚|VGS|

增加

溝道變窄

溝道電阻增大全夾斷（夾斷電壓）84.1.1JFET的結構和工作原理2.工作原理②VDS對溝道的影響

VDS

ID

GD間PN結的反向電壓增加,使靠近漏極處的耗盡層加寬,呈楔形分佈。

VGD=VP時，在緊靠漏極處出現預夾斷。

VDS

夾斷區延長,但ID基本不變92.工作原理③

VGS和VDS同時作用時10綜上分析可知

溝道中只有一種類型的多數載流子參與導電，

所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預夾斷前iD與vDS呈近似線性關係；預夾斷後，iD趨於飽和。#

為什麼JFET的輸入電阻比BJT高得多？JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的，因此

iG0，輸入電阻很高。4.1.1JFET的結構和工作原理114.1.2JFET的特性曲線及參數#

JFET有正常放大作用時，溝道處於什麼狀態？2.轉移特性VP1.輸出特性124.1.2JFET的特性曲線及參數3.主要參數①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：漏極電流約為零時的VGS值。VGS=0時對應的漏極電流。③直流輸入電阻RGS：

結型FET，反偏時RGS約大於107Ω。⑤最大漏極功耗PDM④最大漏源電壓V(BR)DS；最大柵源電壓V(BR)GS⑦輸出電阻rd：⑥低頻跨導gm：或

低頻跨導反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。134.3金屬-氧化物-半導體場效應管FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）144.3.1N溝道增強型MOSFET1.結構15

4.1.1N溝道增強型MOSFET2.工作原理164.1.1N溝道增強型MOSFET2.工作原理

17N溝道增強型MOS管N溝道耗盡型MOS管4.3.2N溝道耗盡型MOSFET18vGS

=VPvGS

=VT4.3.3各種FET的特性比較19sgdvBEvCEiBcebiC204.4場效應管放大電路

直流偏置電路

靜態工作點

FET小信號模型

動態指標分析

三種基本放大電路的性能比較4.4.1FET的直流偏置及靜態分析4.4.2FET放大電路的小信號模型分析法214.4.1FET的直流偏置電路及靜態分析對直流偏置電路的要求VP#

JFET有正常放大作用時，溝道處於什麼狀態？224.4.1FET的直流偏置電路及靜態分析1.直流偏置電路（1）分壓式自偏壓電路（2）自偏壓電路vGSvGS

=0－iDR234.4結型場效應管2.靜態工作點求解思路Q點：VGS、ID、VDSvGS

=VDS=已知VP，由VDD-ID(Rd+R)-iDR可解出Q點的VGS、ID、VDS244.4結型場效應管4.4.2FET放大電路的小信號模型分析法1.FET小信號模型（1）低頻模型254.4結型場效應管（2）高頻模型264.4結型場效應管2.動態指標分析（1）中頻小信號模型274.4結型場效應管2.動態指標分析（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻（4）輸出電阻忽略rD由輸入輸出回路得則通常則28

例4.4.2共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益、輸入電阻和輸出電阻。（2）中頻電壓增益（3）輸入電阻得

解：（1）中頻小信號模型由例題29（4）輸出電阻所以由圖有例題303.三種基本放大電路的性能比較組態對應關係：4.4結型場效應管CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：31輸出電阻：3.三種基本放大電路的性能比較4.4