CN119493039A 电池系统健康检测方法、电子设备、存储介质及程序产品 （中国三峡新能源(集团)股份有限公司）

司本申请实施例提供一种电池系统健康检测电压滞后数据建立每个电池模块对应的标准滞池模块的标准滞后时间和电压滞后数据分析每2获取电池系统中每个电池模块的电压滞后数据和所述电基于所述状态参数和所述电压滞后数据建立每个电池模块对应的标根据所述状态参数和所述标准滞后模型计算得到每个电池模块对根据每个所述电池模块的标准滞后时间和电压滞后数据分析每个所述电池模块对应对所述健康状态数据进行均值计算得到所述电池系统的根据所述开始时间和所述终止时间计算得到所述电池模块对应的电根据所述开始时间和所述终止时间计算得到第根据所述一阶导数获取峰值数据对应的第一时刻和导数为零的第二根据所述二阶导数获取导数由负变正的第三时刻和所述第三时刻过后导数为零的第基于第三时刻和所述第四时刻计算得到所述电池模块的电3获取标准电池模块的电压滞后数据作为对照数据，所述标准电池基于所述对照数据和预设精度阈值对所述目标模型进行优化得到每个电池模块对应将所述状态参数输入所有电池模块的标准滞后模型，得到每个电根据所述滞后时间数据分别计算每个电池模块的对应的从所述滞后时间数据中提取目标电池模块对应的滞后时间数据，并将所述目标计算数据进行均值计算得到所述目标电池模块对应的将所述比值数据与多个预设状态区间进行匹配，得到健康状态数据获取模块，用于获取电池系统中每个电池模块的电压滞后数模型建立模块，用于基于所述状态参数和所述电压滞后数据建立时间计算模块，用于根据所述状态参数和所述标准滞分析模块，用于根据每个所述电池模块的标准滞后时健康度计算模块，用于对所述健康状态数据进行均值计算得到所述电池系统的健康所述处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述处理执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1_9任一项所述的方45[0007]根据所述状态参数和所述标准滞后模型计算得到每个电池模块对应的标准滞后[0008]根据每个所述电池模块的标准滞后时间和电压滞后数据分析每个所述电池模块[0010]在一种可能的实施方式中，所述获取电池系统中每个电6[0029]根据所述二阶导数获取导数由负变正的第三时刻和所述第三时刻过后导数为零[0034]基于所述对照数据和预设精度阈值对所述目标模型进行优化得到每个电池模块78[0069]根据所述二阶导数获取导数由负变正的第三时刻和所述第三时刻过后导数为零[0074]基于所述对照数据和预设精度阈值对所述目标模型进行优化得到每个电池模块序被处理器执行时实现如上第一方面和/或第一方9于分析电池的衰减程度和剩余寿命。SOH通常以百分比表示，100％表示电池处于新状态，[0104]荷电状态(StateofCharge,SOC)：电池当前储存的电量占其最大容量的比值。[0116]阻抗谱法(EIS)：通过交流阻抗谱技术测量电池的阻抗频谱特性来分析电池的健[0119]下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述[0124]电压滞后数据获取过程中通过分析电压随时间的变化趋型还可以通过输入不同年份的时间状态参数，获取到该电池模块在目标时间的滞后时间，[0127]S103、根据状态参数和标准滞后模型计算得到每个电池模块对应的标准滞后时速率可以通过计算连续两个电压读数之间的差分[0147]通过预先设置电压变化的绝对值或相对值来判断滞后时间的开始时间t1和终止[0151]识别t2时，预先设定一个电压变化速率的阈值dVth，当电压变化速率低于该阈值对应的第一时刻和导数为零的第二时刻；基于第一时刻和第二时刻计算得到第二时间差[0173]本申请实施例提供的电池系统健康检测方法，通过对异常数据进行更精确的分[0195]优秀：比值在0.9到1.1之间(表示电池性能与标准非常接近，健康状态数据为[0200]还可以通过多段的SOH映射公式对滞后时间与健康度之间进行分析。例如：用[0214]获取模块801，用于获取电池系统中每个电池模块的电压滞后数据和电池系统的[0215]模型建立模块802，用于基于状态参数和电压滞后数据建立每个电池模块对应的[0216]时间计算模块803，用于根据状态参数和标准滞后模型计算得到每个电池模块对[0217]分析模块804，用于根据每个电池模块的标准滞后时间和电压滞后数据分析每个[0238]根据二阶导数获取导数由负变正的第三时刻和第三时刻过后导数为零的第四时[0243]基于对照数据和预设精度阈值对目标模型进行优化得到每个电池模块对应的标[0255]在具体实现过程中，至少一个处理器901执行存储器902[0257]在上述的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元(英文：Central部设备互连(PeripheralComponent，PCI)总线或扩展工业标准体系结构(Extended[0262]上述可读存储介质可以是由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的理器和可读存储介质可以位于专用集成电路(ApplicationSpecificIntegrated