CN119495258A 超高像素密度Micro-LED微显示器件光电转换方法及系统 （深圳奇立电子科技有限公司）

道大发埔社区大发路27号龙璧工业区超高像素密度Micro-LED微显示器件光电转种超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换料进行光刻和刻蚀，得到LED像素阵列结构及其像素阵列结构进行光强调制，得到PWM驱动控制时控制参数对LED像素阵列结构进行功率分配，Micro_LED微显示器件的动态显示性能，保证了2根据所述响应特性数据对所述LED像素阵列结构进行光强调制，得到PWM驱动控制参基于所述PWM驱动控制参数对所述LED像素阵列结构进行时间尺度协调根据所述实时控制参数对所述LED像素阵列结构进行功率分配，得到像素功率补偿参2.根据权利要求1所述的超高像素密度Micro_LED微显对所述潜影图形结构进行显影，得到微米级图形结构，所根据所述微米级图形结构对所述III_V族半导体材料进行等将所述基准参数输入线性方程组进行矩阵计算，得到线性转换参数，3.根据权利要求2所述的超高像素密度Micro_LED微对所述等效电路模型输入10位数字驱动信号进行扫描，得到光强根据所述离散采样点序列对所述LED像素阵列结构进行分区域测量，得到区域光强数对所述区域光强数据进行时域分析，得到响应时间参数，并对所述根据所述频谱特征数据对所述LED像素阵列结构进行量子效率测量，得到效率曲线数对所述效率曲线数据进行温度补偿，得到温度修正数据，并对所述4.根据权利要求3所述的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电3对所述响应特性数据进行信号分析，得到调制基准信号，所述调制基准对所述调制基准信号进行强制归零检测，得到零点检测数据，所述基于所述脉宽调制信号进行驱动控制电流调制，得到驱动电流参对所述区域调制数据进行信号优化，得到优化调制信号，5.根据权利要求4所述的超高像素密度Micro_LED微对所述预测模型数据进行场景分析，得到场景控制数据，并对所述根据所述电流补偿参数和所述光强补偿参数对所述LED像素阵列结构进行多时间尺度根据所述尺度协调数据对所述LED像素阵列结构进行时间尺度控制，得到实时控制参6.根据权利要求5所述的超高像素密度Micro_LED微显示器基于所述实时控制参数进行源节点功率分配，得到源功率数据，对所述源功率数据进行功率范围计算，得到功率范围参数，并根对所述功率分区数据进行亮度均匀性分析，得到亮度分布数据，基于所述补偿功率数据对所述LED像素阵列结构进行电流动态分配，得到电流分配数对所述电流分配数据进行功率迭代优化和数据整合，得到像素7.根据权利要求6所述的超高像素密度Micro_LED微4对所述像素功率补偿参数进行确定性控制建模，得到基础控制模型对所述干扰特征数据进行预测优化，得到预测控制数据，并将所述根据所述控制约束数据对所述LED像素阵列结构进行显示特性处理，得到光电转换数处理模块，用于对III_V族半导体材料进行光刻和刻蚀，得到LED像素调制模块，用于根据所述响应特性数据对所述LED像素阵列结构进行光强调制，得到协调模块，用于基于所述PWM驱动控制参数对所述LED像素阵列结构进行时间尺度协所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述超高像素LED微显示器件光电转换设备执行如权利要求1_7中任一项所述的超高像素密度Micro_LED所述指令被处理器执行时实现如权利要求1_7中任一项所述的超高像素密度Micro_LED微5超高像素密度Micro_LED微显示器[0001]本发明涉及微显示器件技术领域，尤其涉及一种超高像素密度Micro_LED微显示[0004]本发明提供了一种超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换方法及系统，用所述超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转对III_V族半导体材料进行光刻和刻蚀，得到LED像素阵列结构及其等效电路模根据所述实时控制参数对所述LED像素阵列结构进行功率分配，得到像素功率补所述超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转6[0007]本发明第三方面提供了一种超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备，存储器中的所述指令，以使得所述超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备执行上述的超高像素密度Micro_LED微显示器[0011]图1为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换方法的图2为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换系统的图3为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备的7[0017]请参阅图1，图1为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电可以理解的是，本发明的执行主体可以为超高像素密度Micro_LED微显示器件光8号包括从低到高的多个电流级别，能够充分测试每个LED像素在不同驱动电流条件下的亮准确地评估LED像素阵列在不同区域的表现，将像素阵列划分为多个区域，包括快速响应信号过零点的位置数据和信号跳变幅度数据。零点位置数据提供信号切换的具体时间点，9强响应模型则表征不同电流输入条件下的光强输出特性。对预测模型数据进行场景分析。够根据实时反馈不断调整驱动电流、光强补偿和温度补偿等参数，以确保在实际使用中，将整个LED阵列划分为多个功率需求相似的区域，从而确保每个区域的像素能够得到适当个像素都能得到合适的电流和功率支持。对电流分配数据进行功率迭代优化和数据整合，LED像素阵列性能变化，而电流漂移特征则反映电流供应的不稳定性对像素亮度和功率分均匀性，确保整个LED阵列在不同操作条件下保持稳定的显示效果。基于优化后的控制数化方案能够在实际运行中达到预期效果。性能验证则是对优化后的控制方案进行实际测[0028]具体的，通过光刻胶涂覆的工艺将光刻胶薄层均匀涂布在III_V族半导体材料的;;别是在高像素密度的情况下，像素之间的串扰会显著影响显示器的亮度均匀性和色彩精[0030]具体的，对等效电路模型输入10位数字驱动信号并进行扫描以得到光强扫描数应区数据Ineaium和慢速响应区数据Isiw分别对应不同区域的光强值。对区域光强数据进若信号的上升时间为tis。和下降时间为，则计算出LED在不同驱动电压下的响应速;;;对温度修正数据进行特征提取和数据融合。从温度修正数据中提取出关键参数，[0031]其中，对频谱特征数据对LED像素阵列结构进行量子效率测量，得到效率曲线数阵列的光电响应特性；根据频谱特征比值结合0_20mA范围内的电流_光强曲线进行光电转量子效率初值采用ABC模型进行载流子复合分析处理，得到复合系数，复合系数包含的总体光电转换效率；对内量子效率特性曲线和外量子效率特性曲线进行256级亮度等级状态下的最高光强输出，暗态信号则是在LED处于关闭状态或者驱动信号处于最低电平时示为I:(t)和。这些信号的波形特征反映LED在不同状态下的响应特性。例如，;Ia(i)-I;;;亮度等级数据进行PWM波形生成。PWM波形的生成依赖于亮度等级数据和亮度映射的结果，;t是脉冲宽度，表示LED的开关时间。脉宽调制信号的频率和占空比由亮度等级数据L(t)决定，从而调节每个LED像素的亮;;;;动控制参数，包括光强调制参数和阈值检测参数。光强调制参数和阈值检测参数通过以下公式表示：;根据电流补偿参数和光强补偿参数对LED像素阵列结构进行多时间尺度处理，得的响应特性将其划分为若干个响应级别。响应级别的划分基于LED像素阵列在不同时间段;;;其中，是驱动电流，Iaax是最大驱动电流，P(t)是对应的PWM波形，;;;;;;是实时温度参数，和分别是实时[0036]其中，根据电流补偿参数和光强补偿参数对LED像素阵列结构进行多时间尺度处;;;;;;;其中，和pconpensarea,i分别表示第i个像素在未补偿和补偿后的功率;根据控制约束数据对LED像素阵列结构进行显示特性处理，得到光电转换数据和假设LED像素阵列的功率分配通过以下数学模;i个像素的功率，是第i个像;;;;;;[0041]请参阅图2，图2为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电[0042]通过上述各个组成部分的协同合作，通过建立基于光电响应测量的等效电路模[0043]请参阅图3，图3为本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备300的结构示意性框图，超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备300包被处理器301执行时，可使得处理器301执行上述任一种超高像素密度Micro_LED微显示器处理器301执行时，可使得处理器301执行上述任一种超高像素密度Micro_LED微显示器件构的框图，并不构成对本申请方案所涉及的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备300的限定，具体的超高像素密度Micro_LED微显示器件光电转换设备300可以包括比[0048]应当理解的是，处理器301可以是中央处理单元(CentralProcessingUnit，CPU)，该处理器301还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal本申请实施例提供的超高像素密度Micro_LED微显示器件光[0051]其中，所述计