CN119495632A 封装转接板及其制备方法、封装结构 （盛合晶微半导体(江阴)有限公司）

本申请提供了一种封装转接板及其制备方属层，第二基板包括第二半导体层和第二金属通过在封装结构内嵌设置键合连接的第一金属2提供具有平坦表面的第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一半导体将所述第一基板和第二基板相互键合得到一键合结构，其中，于所述键合结构中形成若干盲孔，所述盲孔贯穿所述第一金属导热层，内嵌于所述第一分部和所述第二分部之间，并环绕9.一种封装结构，包括权利要求7～8任意一项芯片堆叠层，设置在所述布线层上，并通过所述金属布线和所述34[0001]本申请涉及半导体封装相关技术领域，尤其涉及一种封装转接板及其制备方法、[0003]目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(Wafer56[0035]图2～图12为根据本申请实施例示出的一种封装转接板不同制备过程的结构示意[0042]现有集成封装结构中，芯片堆叠层主要依靠上方的封装盖500和热沉结构进行散热。而芯片堆叠层下方的散热路径主要由底部填充材料和硅基板10等低热导率材料组成，量会进一步增大，单靠顶部散热已无法满足现有2.5D/3D集成封装结构的性能需求和散热现了将芯片的热量从转接板的侧面进行横向热传导，更好的改善2.5D/3D集成封装的散热7第一基板110包括第一半导体层111和形成于所述第一半导体层111表面的第一金属层112，所述第二基板120包括第二半导体层121和形成于所述第二半导体层121表面的第二金属层起12，以及位于凸起12之间图案化的沟槽11，即，形成第一半导体层111和第二半导体层121，而多个凸起12和沟槽11共同组成形成第一半导体层111或第二半导体层121的图案化金属层122与第二半导体层121的表面位[0048]进一步地，第一金属层112形成于第一半导体层111表面凸起的侧壁上依次形成绝缘层和扩散阻挡层(图示未示出)8位于键合结构100’靠近第一基板110自由面一侧的表面，所述第二端位于第二基板120内导电柱150与金属导热层130相接触而造成封装转接板1由面的一侧进行减薄的步骤，直至第一基板110的自由面与金属导热层130保持预设间距，盲孔140自第一基板110减薄面向第二基板120自由面的一侧竖直延伸。通过减薄工艺降低盲孔140中完成金属材料的填充，形成金属导电柱150，并使金属导电柱150的顶端与盲孔为保证金属导电柱150的形成质量，可以采用电镀、化学镀或液态金属填充等方式将盲孔9扩散阻挡层上形成一层金属种子层，然后再采用电镀或化学镀的方式于盲孔140内形成金芯片与封装基底之间的电连接提供导电通道，还为芯片提供了一条横向热传导的散热通板120通过离子注入的方式进行改性，且改性为金属导电柱150的金属元素难以扩散的性[0066]通过在基板的内部内嵌设置金属导热层130，能够使后续芯片的热量通过转接板设置密度和线宽适当调整金属导热层130的在基板内的图案形貌，进而调整芯片在封装产并通过锡球将基底200与金属导电柱150的底端电连接。所述布线层300设置在封装转接板以对所述堆叠结构形成保护。所述热界面层600位于封装盖500与堆叠结构之间的间隙内，可以使芯片410工作时的热量能够通过热界面层600快速传递至封装盖500上，避免密封腔具体实施例中，热界面层600至少包括第一导热部610和第二导热部620，所述第一导热部芯片堆叠层400内的热量底部的热量能够通过传递至第二导热部620，并由第二导热部620装结构内嵌设置键合连接的第一金属层112和第二金属层122，为封装转接板100增加了横