CN119497398A 半导体器件及其制作方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）

本申请提供一种半导体器件及其制作方法2所述第一晶体管及所述电容结构在第一方向上堆叠，所述第一电所述第一电极层远离所述第一晶体管的一端与所述第二晶体管的所述第二半导体层第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上且位于所述第一沟道与所述第一栅极之第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层内且位于所3第一堆叠结构，位于所述第一半导体层一侧且覆盖所储能结构，位于所述第一堆叠结构内；所述储能结构包第二堆叠结构，位于所述第一堆叠结构远离所述第一第二漏极引出结构，沿垂直于所述第一方向且与所其中，一条所述第二漏极引出结构与一个所述第二半导第二半导体结构，具有控制所述第一半导体结4在所述半导体衬底一侧形成包括电容结构的第一在所述第一堆叠结构远离所述半导体衬底的一侧形成包括第二晶体管的第二堆叠结在所述半导体衬底一侧形成覆盖所述第一栅极的第一在所述第一堆叠结构远离所述半导体衬底的一侧形成包括第二晶体管的第二堆叠结在所述第一绝缘层内形成沿所述第一方向延伸的第一漏极引出结构和源极引出结构，在所述第一堆叠结构远离所述半导体衬底的一侧形成包括第二晶体管的第二堆叠结在所述第一半导体层远离所述第一堆叠结构的一侧形成沿所述第一方向延伸的第一5在所述第一半导体层远离所述第一堆叠结构的一侧形成沿所述第一方向延伸的第一在所述初始半导体层内形成沿所述第一方向延伸的在所述第一隔离槽内填充第一隔离层及第一漏极引离所述第一堆叠结构的一侧形成沿所述第一方向延伸的第一漏极引出结构和源极引出结67第二隔离层围绕源极引出结构设置，源极引出结构通过第二隔离层与初始半导体层间隔8体层远离第一堆叠结构的一侧形成沿第一方向延伸的第一漏极引出结构和源极引出结构，9[0051]图17为在图16所示的第一堆叠结构远离半导体层的一侧形成第二晶体管结构后[0057]本申请可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和极12在第一半导体层11上的正投影与第一物半导体材料、II_VI族化合物半导体材料及其他半导体材料等中的至少一种。第一源极极引出结构15沿第一方向Z延伸且与第一漏极112连接。源极引出结构16沿第一方向Z延伸[0074]由于相邻两个第一晶体管110的第一漏极112已被每个第一晶体管110的第一源极导体层11一侧且覆盖第一栅极12。第一堆叠结构20包括第二绝缘层22及沿与第一方向Z垂内。储能结构30包括第一电极层21及位于第二电极层23与第一电极层21极化的取向可以改变。反铁电材料的晶格内部的离子会发生与铁电材料类似的自发极化，材质可以选自二氧化铪(HfO2)、硅掺杂二氧化铪(Sia(HfO2)b)、铝掺杂二氧化铪(Ala[0081]在一些实施例中，第一电极层21在第一半导体层11上的正投影覆盖第一漏极11221远离第一晶体管110的一端与第二晶体管1[0091]第二堆叠结构40包括沿第二方向X延伸的字线41及第三绝缘层42，字线41位于相层51围绕第二半导体层31且与字线41接触。其中，第二晶体管130包括字线41及沟道结构[0093]在一些实施例中，第二半导体层31包括第二源极311、第二漏极312及第二沟道结构60沿垂直于第一方向Z且与第二方向X交叉的第三方向Y延伸且位于第二半导体层31远一漏极112及第一沟道113远离电容结构120一隔离层72位于初始半导体层71内且沿第一方向Z延伸，第一隔离层72围绕第一漏极引出源极引出结构16通过第二隔离层73与初[0099]相比于第一半导体结构101将第一漏极引出结构15及源极引出结构16设置在第一导体层71内，可以省略去除位于第一源极111、第一漏极112及第一沟道113远离电容结构一栅极81位于第一半导体层11内且沿第一方向Z自第一表面114向初始半导体层71内延伸。[0101]可以理解为，第三晶体管结构1003的第一晶体管140为具有凹陷沟道和隐埋环形[0102]相应地，第一堆叠结构20的与第一半导体层11接触的第二绝缘层22的表面为平体管结构1004的结构与第二晶体管结构1002的结构相似，其区别在于：第四晶体管结构1004的多个第一晶体管150不共用一个栅极，相邻两个第一晶体管150的第一源极111通过导体结构102具有控制第一半导体结构101的电路元件1021且位于第一半导体结构101一的具体制备方法，下文将以包含第一半导体器件101的半导体器件的制备方法为例进行说[0109]步骤S1，请参阅图9及图11，形成包括第一源极111及第一漏极112的半导体衬底[0111]在一些实施例中，可以通过离子注入、离子掺杂等离子掺杂方法在半导体衬底[0112]在一些实施例中，半导体衬底1011的组成材料包括：单质半导体材料(例如硅、栅极绝缘层13位于第一半导体层11上且位于第一栅极堆叠结构20远离第一半导体层11的一侧贯穿多个第二绝缘层201内以及第一堆叠结构20远离第一半导体层11的表面上形成储能材料，得到初始储能层241；其次，去除位于第一堆叠结构20远离第一半导体层11的表面上以及位于第一贯穿孔201底壁上的部分初始储能层241，得到位于第一贯穿孔201侧壁上且与第二绝缘层22及第接触块27与第一电极层21的远离第一半导[0133]第二晶体管130包括第二半导体层31，第二晶体管130位于电容结构120远离第一晶体管110的一侧，第一电极层21远离第一晶体管110的一端与第二晶体管130的第二半导[0134]第二堆叠结构40包括沿第二方向X延伸的字线41及第三绝缘层42，字线41位于相二方向X交叉的第三方向Y延伸且与第二半导体层31远离电去除除第一半导体层11之外的半导体衬底1011；及在第一半导体层11远离电容结构120的层71内形成沿第一方向Z延伸的第一隔离槽1101和第二隔离槽1102；其次，在第一隔离槽二隔离槽1102内填充第二隔离层73及源极引出结构16，初始半导体层71围绕第二隔离层成具有控制第一半导体结构101的电路元件且与第一半导体结构101键合连接的第二半导计算机、游戏控制台、打印机、定位设备、可穿戴电子设备、智能传感器、虚拟现实[0144]在一些实施例中，控制器被设计为用于在低占空比环境中操作，如安全数字(SecureDigital，SD)卡、紧凑型闪存(CompactFlash，CF)卡、通用串行总线[0145]在一些实施例中，控制器被设计为用于在高占空比环境固态硬盘(SolidState第一源极隔断。无需再在相邻两个第一晶体管的第一漏极之间额外设置隔离件(例如：埋环形栅极的晶体管可以在第一栅极的长度(即第一源极及第一漏极之间的距离)不变的