CN119497488A 包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件及其制备方法 （上海大学）

包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能本发明公开了一种包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件及其制备方装层中引入含两性离子基团功能化的聚对二甲22.如权利要求1所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其3.如权利要求1所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其特征在于，该所述仿生功能化有机电子器件密封封装层在润湿状态下具有大于100nN的贴4.如权利要求1所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其5.如权利要求1所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其1)x)x3)m43)2_C(O)_O_)p_1为_3中的任意一种。6.如权利要求1所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其步骤三、在完成沉积传感界面和连接线路的柔性基底上步骤四、在步骤三得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，步骤五、在步骤四得到的电极上进行光刻图形化和等4可获得具有结构仿生功能化密封封装层封装的有机电子器7.如权利要求6所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其8.如权利要求6所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其1000W下处理光刻图形化的基板0～609.如权利要求6所述的包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，其所述步骤三中，在完成沉积传感界面和连接线路的柔性基底上沉积粘合剂的过程为，将完成沉积传感界面和连接线路的柔性基底浸入粘合剂中0～120min，然后进行清洗，烘~100所述烘干的温度为0～200℃,时间为0～120min；所述步骤三中，沉积聚对二甲苯层的过程为：取二聚对二甲苯加入100Pa的条件下，先将二聚对二甲苯在70～300℃条件下升华，再在400～1000℃环境下裂5所述步骤四中，涂覆一层水溶性皂层的过程与所述步骤四中涂覆一所述步骤四中，沉积聚对二甲苯牺牲层的过程与所述步骤三中所述步骤六中，在器件的背面沉积1层层的过程与步骤6所述步骤七中，获得具有结构的仿生功能化密封封装层将步骤六制备的器件加入到反应溶液中；称取0.1mmol200将步骤六制备的器件加入到反应溶液中；称取0.1mmol200mmol配体，0.1mmol氮气吹干，即可获得具有结构仿生功能化密78[0001]本发明涉及一种包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件及其[0002]柔性薄膜生物电子已成为生命科学研究和新型治疗方法的一种新的生物医学工减少这种机械不匹配的负面影响，研究人员使用杨氏模量可低至10kPa柔性弹性体衬底制少薄膜厚度也可能会增加聚合物薄膜的杨氏模量，从而导致在生物界面上产生机械应力，炎症反应。本发明开发的这种两性离子密封封装系统有望为制造具有可控生物相互作用9[0007]本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优[0010]优选的是，该所述仿生功能化有机电子器件密封封装层在润湿状态下具有大于)x)x)x)x2[0016]_L2_为中的任意一种或)p_2)p_2)p_2)p_3)2_C(O)_2)p_[0020]_R2为中的任意一中的任意一种。[0030]优选的是，所述步骤一中，涂覆一层水溶性皂的速度为09000rpm，时间为0[0042]所述步骤六中，在器件的背面沉积1层层的过程与100mmol催化剂到上述溶液中，再称取1mmol～3000mmol的水溶性烯烃单体加入到40℃~200℃,反应0h～24h；反应结束后，用水冲洗后，用氮气吹干，即可获得具有[0049](1)本发明通过仿生功能化密封封装层中引入含亲水性基团功能化的聚对二甲[0050](2)本发明仿生功能化密封封装层能够匹配光刻工艺技术，可运用于各类高分辨[0051](3)本发明仿生功能化密封封装层能够显著抑制复杂生物环境条件下非特异性粘[0053](5)本发明包含有仿生功能化密封封装层的柔性生物电子器件，具有良好的复杂[0056]图2为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的抗牛血清[0057]图3为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的抗纤维蛋[0058]图4为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的抗胎牛血[0059]图5为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯抗小神经胶[0060]图6为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的表面杨氏[0061]图7为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的贴附性照[0062]图8为本发明实施例9制备的仿生功能化密封封装层与纯聚对二甲苯的贴附力对[0063]图9为本发明实施例9制备的包含有仿生功能化密封封装层的电化学晶体管实现[0067]一种包含有仿生功能化密封封装层的仿生功能化有机电子器件，包括柔性基底、[0069]其中，该仿生功能化有机电子器件在润湿状态下具有大于100nN的贴附力和低于[0073](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板60min；采用电子束蒸发仪在柔性基底表面沉积5nm铬以及200nm[0077](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0079](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层氯异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积氯异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相[0080](7)将(6)制备的器件加入到20mL水溶液中；称取18mmol三[2_(二甲氨基)乙基]2[0084](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板30min；采用电子束蒸发仪在柔性基底表面沉积7nm铬以及150nm极上依次沉积聚对二甲苯层和氯异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯，以实现连接线路的封[0088](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0090](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层氯异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积氯异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相[0091](7)将(6)制备的器件加入到15mL乙醇反应溶液中；称取15.5mmol三[2_(二甲氨基)乙基]胺，再称取7.1mmolCu以及5.4mmolCuBr，再称取257mmol的水溶性烯烃单体[0095](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板4min；在柔性基底表面沉积100nm石墨烯作为传感界面和连接线[0097]沉积聚对二甲苯的步骤为：取10g二聚对二甲苯加入到化学气相沉积反应炉的升将单体在200℃条件下升华，再在6600℃环境下裂解，最后在20℃环境下[0099](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0101](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层碘异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积碘异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相基)胺，再称取32mmolCu和50mmolCuCl，再称取850mmol的水溶性烯烃单体[0106](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为理光刻图形化的基板600min在柔性基底表面沉积5nm碳纳米管作为传感界面和连接[0110](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为氨基)乙基]胺，再称取13mmolCuCl和9.5mmolCuCl2，再称取770mmol的水溶性烯烃单[0116](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为先将单体在300℃条件下升华，再在1000℃环境下裂解，最后50℃环境下[0120](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为间为1200s；然后超纯水清洗，氮气吹干；再后用低温O2等离子体处理器进行图案刻蚀，[0122](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层碘异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉碘异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相三(2_吡啶基甲基)胺，再称取18mmolCuBr和[0127](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为300W下处理光刻图形化的基板5min，在柔性基底表面沉积200nm导电高分子作为传感界面[0128](3)将完成沉积传感界面和连接线路的柔性基底浸入粘合剂(硅烷A_17410％、超[0129]沉积聚对二甲苯的步骤为：取10g二聚对二甲苯加入到化学气相沉积反应炉的升[0131](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为0～2000W下处理光刻图形化的薄膜6h功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积碘异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相[0134](7)将(6)制备的器件加入到10mL乙醇和水(体积比1:1)的反应溶液中；称取26mmol三(2_吡啶基甲基)胺，再称取8mmolCu，再称取380mmol的水溶性烯烃单体[0138](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为[0142](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0148](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为处理光刻图形化的基板10min；采用电子束蒸发仪在柔性基底表面沉积5nm铬以及180nm金[0150]沉积聚对二甲苯的步骤为：取10g二聚对二甲苯加入到化学气相沉积反应炉的升[0151]沉积溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程为：取5g单体[0152](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0154](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相[0159](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为上依次沉积聚对二甲苯层和溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层，以实现连接线路的封[0163](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0165](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯过程与步骤(3)中沉积溴异丁酸酯基团功能化聚对二甲苯层的过程相的水溶性烯烃单体加入到上述溶液中，摇晃震荡，[0170](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板60min；采用电子束蒸发仪在柔性基底表面沉积5nm铬以及200nm单体在100℃条件下升华，再在500℃[0174](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0176](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积双硫酯衍生物功能化聚对[0177](7)将(6)制备的器件加入到15mL反应溶液中；[0181](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板30min；采用电子束蒸发仪在柔性基底表面沉积7nm铬以及150nm极上依次沉积聚对二甲苯层和双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层，以实现连接线路的封[0185](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0187](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积双硫酯衍生物功能化聚对[0192](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为下处理光刻图形化的基板4min；在柔性基底表面沉积100nm石墨烯作为传感界面和连接线[0194]沉积聚对二甲苯的步骤为：取10g二聚对二甲苯加入到化学气相沉积反应炉的升得到双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层。[0196](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0202](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为理光刻图形化的基板600min在柔性基底表面沉积5nm碳纳米管作为传感界面和连接单体在220℃条件下升华，再在600℃[0206](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为[0208](6)将步骤(5)制备的器件从基板上剥离，在器件的背面沉积1层双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积双硫酯衍生物功能化聚对[0213](2)在柔性基底上将S1813光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为[0217](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为间为1200s；然后超纯水清洗，氮气吹干；再后用低温O2等离子体处理器进行图案刻蚀，[0223](2)在柔性基底上将S1810光刻胶旋涂在基板的柔性基底上，旋涂的速度为300W下处理光刻图形化的基板5min，在柔性基底表面沉积200nm导电高分子作为传感界面[0224](3)将完成沉积传感界面和连接线路的柔性基底浸入粘合剂(硅烷A_17410％、超[0225]沉积聚对二甲苯的步骤为：取10g二聚对二甲苯加入到化学气相沉积反应炉的升[0226]沉积双硫酯衍生物功能化聚对二甲苯层的过程为：取110g单体[0227](4)在步骤(3)得到的电极上涂覆一层水溶性皂层，涂覆一层水溶性皂的速度为能化聚对二甲苯层过程与步骤(3)中沉积双硫酯衍生物功能化聚对[0230](7)将(6)制备的器件加入到1