GB/T 48209-2026半导体器件封装用梯度材料外壳设计要求

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T48209—2026

半导体器件封装用梯度材料

外壳设计要求

Designrequirementsforgradientmaterialpackagesofsemiconductordevices

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T48209—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

设计程序

4…………………2

设计要求

5…………………2

设计验证

6…………………6

Ⅰ

GB/T48209—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团有限公司第二十九研究所南京瑞为新材料科技有限公司

:、、

哈尔滨工业大学有研金属复合材料北京股份公司哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司成都瑞雪

、()、、

丰泰精密电子股份有限公司西南交通大学中国电子技术标准化研究院深圳市联润丰电子科技有限

、、、

公司深圳市先进连接科技有限公司日照旭日电子有限公司宁波赛墨科技有限公司西安赛尔电子材

、、、、

料科技有限公司中国电子科技集团公司第十四研究所中国电子科技集团公司第三十八研究所中国

、、、

航天科技集团有限公司第五研究院西安分院北京无线电测量研究所

、。

本文件主要起草人崔西会方杰王长瑞邢大伟刘旭奕张坤刘彦强赵永红赵明林阳荟晨

:、、、、、、、、、、

李文廖玉堂于慧慧陈静青黎康杰贾斌彭颐豫黄梓泓吴昊刘婉莹马洪兵王宇飞操卫忠

、、、、、、、、、、、、、

王传伟李斌翁俊

、、。

Ⅲ

GB/T48209—2026

半导体器件封装用梯度材料

外壳设计要求

1范围

本文件规定了半导体器件封装用金属基梯度材料外壳通用设计材料设计结构设计表面处理设

、、、

计和图纸绘制要求

。

本文件适用于半导体器件封装用金属基梯度材料外壳以下简称外壳的设计和制造

(“”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

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