CN119517844A 一种半导体器件及其制备方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）_第1页
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本申请公开了一种半导体器件及其制备方和第一金属布线层，第一金属布线层与晶片连释放第一金属布线层与第一介质层之间的应力待布线结构的上表面依次形成第三介质层和第2提供晶圆，所述晶圆包括有效区域以及位于所述有效区域外周的边缘在所述晶圆上依次形成第一介质层和第一金属布线层，在所述第一金属布线层上依次形成第二介质层和脱落层形在所述待布线结构的上表面依次形成第三介质层和第二金属布线穿透所述第三介质层和所述第二介质层与所述第一在所述第一介质子层上形成第二介质子层，所述第一介质在研磨后的所述第二介质子层上形成脱落层，在形成将形成有第二介质层的晶圆放置于气相沉积设备中，并加一金属布线层与所述第一介质层在预设温度下释开启所述气相沉积设备的射频信号，使得所述反应气7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述脱落层的厚度在950Ā_1050Ā之刻蚀所述第一介质层形成通孔并在所述第一3对所述第一金属层进行化学机械研磨露出所述第一介质在所述第一介质层上形成第二金属层并图案化形成第一金属布对形成有第三介质层的待布线结构光刻形成沟槽，所述沟槽隔离4层和第二金属布线层，第二金属布线穿透第三介质层和第二介质层与第一金属布线层连一金属布线层与所述第一介质层之间的应力碎裂5在晶圆上形成第一介质层；刻蚀第一介质层形成通孔并在第一介质层上形成第一金属层，67第一金属布线层130穿透第一介质层120与晶片连接以将晶片的连接点引出至第在晶圆110上形成第一金属布线层130将晶片的连接点在本申请实施例中，脱落层150用于释放第一金属布线层130与第一介质层120之[0034]可以理解的是，由于剥离杂质被清除，在边缘区域112必然会存在一定的凹凸不[0036]本申请提供的半导体器件的制备方法，在形成脱落层150时加热以释放第一金属8[0037]可选的，在第一金属布线层130上依次形成第二介质层140和脱落层150形成待布释放所述第一金属布线层130与所述第一介质层120之间的应力碎裂具体的加热温度本申请实施例不做限制，本领域技术人员可以根据第一介质层120和第一金属布线层130的材料进行具体设置，只要在不影响晶圆110结构的情况下尽可9

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