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文档简介
1、1、公司功率器件封装过程,2,2,主要内容,主要内容有: 1,功率器件后封装过程,2,产品参数一致性和可靠性保证,产品性价比4,今后发展,3,功率器件后封装过程印刷、销上锡、测试、切筋、检查、包装、入库Die bonding、Die saw、wire bonding、模具、Heat aging、plating、segregating、测试、检测功率器件后封装工艺切割、切割:将晶片切断为单独的芯片切割的特征:日本DISCO切割机、高稳定性、切割刀片的厚度25um、芯片损耗小。 5、日本DISKO切割机、功率器件后封装工艺流程-切割厂、6、功率器件后封装工艺流程粘合片、(将单个芯片粘接在引线框上)
2、、实物图、切割、粘合片、压接、模具、印刷、 2 .使用优质框架和焊接材料,获得良好的热学和电气特性。 3、芯片与框架的热匹配性好,芯片与框架之间的应力最小,热阻小,散热性好。 4 .保护氮气,避免材料在高温下氧化。 8、功率器件后密封工艺流程3354粘合片厂,粘合片员工认真操作,9、功率器件后密封工艺流程3354粘合片厂,全新的TO-220粘合片机,10、功率器件后密封工艺流程压接金线-金线球焊铝线-超声波焊接、压接影像、切割、粘合片、压接、模具、印刷、11、压接特征、1、自动压接焊机、整合性好,焊接点、电弧、高度最佳,可靠性高。 2、根据冲模的实际工作电流选择了导线直径的规格,保证了良好的电
3、流特性。 压接实物图,12,功率器件后密封工艺流程压接工厂,全新的KS TO-92压接机,压接工厂,13,功率器件后密封工艺流程-模具,模具:冲压注射,密封已经密封的管,模具图模具的特点,用环氧树脂模具材料密封,阻燃,应力小,强度高,导热性好,密封性好,在晶体管的大功率使用情况下能保证良好的散热能力,管体温度低。 塑料密封机,15,功率器件后密封工艺流程塑料密封工厂,塑料密封生产工厂的景象,16,功率器件后密封工艺流程,激光打印,激光打印机,在管体上标记,塑料密封,切纹,切纹功率器件后密封工艺流程-电镀条纹、电镀:纯镀锡、无铅化要求条纹:器件分散、条纹示意图、模具、条纹、印刷、电镀、测试、老化
4、、18、功率器件后的封装工艺 使用受2、n-2保护的烤箱,防止管在高温下氧化。 模具、切条、印刷、电镀、测试、老化、20、功率器件后密封工艺流程、切条、电镀、测试、老化、测试、包装、测试流程、21、功率器件后密封工艺流程测试功率器件后密封工艺流程包装,清洁包装工厂,23产品完整性和可靠性,1,产品完整性a .芯片生产过程控制b .细分类控制2,产品可靠性a .芯片生产过程优化可靠性b .封装工艺的严格要求,24,25 高精度的测试系统1、最高测试电压1000V、最大电流20A、漏电流最高精度pA级、电压测试精度2mV 2,可测试的半导体器件有双极晶体管、MOS管、二极管等多种器件。3 .关于双
5、极晶体管,hFE、Vcesat、Vbesat、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icex 产品可靠性-可以提高封装工艺的严格控制,降低热阻,控制“焊接”三,提高模具的气密性,二十六,降低功率器件的重要参数热阻,降低器件发热量的三条路径之一,电路最好二、降低器件的热阻,也就是提高器件的散热能力。 三、提高器件的电流性能,降低饱和电压降。 电路和芯片固定时,为了避免零件发热不良,降低零件的热阻很重要。27、功率器件的重要参数热电阻,另一方面,热电阻的定义热电阻(Rth )表示晶体管工作时产生的热量释放到外部
6、的能力,单位为/W,管消耗1W时器件温度上升的次数。 RTH总=rt1rt2rt 3,28,由功率器件的重要参数热阻、二、晶体管热阻的组成、1、rt1内的热阻-芯片的大小和材料决定。 2、RT2接触热电阻-与封装工艺有关。 3、RT3与封装形式和有无散热片有关。 29、热电阻的过程控制,在我们的过程控制中,最重要的是解决接触热电阻。 主要控制手段: 1、用粘合片技术控制接触热电阻。 2 .通过高效的测试手段进行筛选。 30、热电阻过程控制芯片工艺,热电阻大的原因分析和工艺保证,31、热电阻过程控制测试筛选, 晶体管热电阻测试原理:在一定范围内,pn结的正向电压降Vbe的变化和结温度的变化T大致
7、呈直线关系:Vbe=kT相对于硅pn结,k约为2,热电阻的计算公式是Rth=T/P只施加稳定的功率,晶体管的v 32、进行了热电阻测试筛选设备的优点、热电阻测试筛选,使用了日本TESEC的Vbe测量仪。 33、热电阻测试分选设备的优点,Vbe测量仪的性能参数和优点:测量精度: 0.1mV脉冲时间精度:1us最高电压: 200V最大电流: 20A优点:1.精度高,精度高,重现性好。 2 .筛选率高,34,热电阻试验筛选设备的优点,优点2 :筛选率高,薄膜有空洞,脉冲试验在短功率脉冲内,热传不完,所以有空洞的地方成为热点(即温度比粘合面的其他地区高的小区域) 热点温度高,Vbe比其他地方的Vbe变
8、化很大。 有腔管道vbe大得多,因为整个pn结的vbe主要受热点vbe的影响。35、通过测定我们产品的热电阻特性,测定Vbe,经过式Rth=Vbe /KP,我们代表的产品值:36、控制“焊接”的要素和对策措施、_、x、37、控制“焊接”的措施、控制“焊接”的措施, 焊接工序严格控制了引线的拉力,经过“38,焊接气密性的过程控制”,39,控制了“产品性价比”1,材料的选定2,先进的工艺工序3,严格的生产过程控制,40,材料的选定,1 .供应商41、先进的工艺流程,一、清洁现场,洁净度10000级,避免粉尘灰粒污垢的二,全自动粘合片,压接机,还有氮氢保护三,全产品高温老化性能更稳定可靠,精度高,稳定性好的测试筛选设备,DTS-1000 电流特性好,饱和电压降小,输出相同,晶体管消耗的电力小,发热量低2,产品种类丰富的节能灯,专门为电子稳定器设计的封装形式: TO
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