LED基础培训资料_第1页
LED基础培训资料_第2页
LED基础培训资料_第3页
LED基础培训资料_第4页
LED基础培训资料_第5页
已阅读5页,还剩57页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、LED 基础知识,提纲,LED基础知识 LED的概念, LED的发光原理, LED的历史, LED的结构, LED的基本参数, LED的产品分类, LED的封装的基本工艺, LED使用注意事項,1.1 LED基本概念及特点,LED即发光二极管(也称为半导体发光二极管 ) LED是通过半导体PN结把电能转化成光能的器件。 特点:,+,-,1.LED使用低压电源,单颗供电电压在1点几伏-4点几V之间,安全。 2.使用寿命长,LED作为电子空穴对复合发光,对半导体而言,理论上它的寿命是无限长的。10万-100万小时的寿命概念源于半导体的性能。使用寿命则是指能够发挥作用的寿命,一般当光衰超过50,LE

2、D的寿命就到期了,浴盆效应:初期和后期失效率较高,初始工作还会出现性能高低起伏的退火期,而中间期大多数器件能够正常工作。在同一批LED样本中,统计失效率来评价整体器件水平。在规定时间内,失效率越低,可靠性越好。 3.响应时间短:其白炽灯的响应时间为毫秒级,LED灯的响应时间为纳秒级 4.对环境污染:无有害金属汞 。 5.能量利用率高:消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 6.价格:LED的价格比较昂贵,较之于白炽灯,几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当,而通常每组信号灯需由上300500只二极管构成,半导体 :导电性能介于导体与绝缘体之间的材料 ,电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温

3、度系数的物质。 其中包括:a,元素半导体:如锗和硅; b,化合物半导体 :如砷化镓、磷化镓 ,硫化镉、硫化锌 本征半导体:不含杂质的半导体即纯净的半导体称为本征半导体。,N型半导体在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,简称多子; N型半导体中,空穴为少数载流子,简称少子。 P型半导体 :在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。P型半导体中,多子为空穴。P型半导体中,少子为电子。 PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交

4、界面就形成PN结。,多子(空穴),少子(自由电子),少子(空穴),多子(自由电子),1.2 LED的发光原理,在正向电压下,因多子舆少子存在浓度差,多子就会产生扩散运动。电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。此时在PN结电子舆空穴复合达到动态平衡,当电压和电流(能量)达到某一定值(最小发光电压和电流)时,多子就跨越PN结,分别进入对方区域与对方多数载流子(多子)复合而发光。,P型半导体,N型半导体,1.3 LED的基础知识:历史,1、1965年,全球第一款商用化发光二极管诞生 ,效率0.1lm/W(lumens per watt 流明/瓦 ),比白炽灯低100倍,售价45$/只。,2、196

5、8年,LED的研发取得了突破性进展,利用氮掺杂工艺使GaAsP(磷砷镓 )器件的效率达到了1流明/瓦,并且能够发出红光、橙光和黄色光。 3、1971年,GaP(磷化镓 )绿色芯片LED。 用途:指示用,长寿命10万小时,可靠 4、80年代AlGaAs(镓铝砷)技术使得LED效率达到10流明/瓦, 90年代的AlGaInP(磷化铝镓铟 )技术使得LED效率达到100流明/瓦。 用途:显示,信号用。用于室外的运动信息发布以及汽车的高位刹车灯。,5、1994年,中村修二研制出了第一只GaN(氮化镓 )基高亮度蓝色发光二极管。 用途:由于蓝光LED的出现,人们首次实现红黄蓝LED的全色显示,从90年代

6、中期开始,许多广告、体育和娱乐场所开始应用LED大屏幕显示。,6、1997年,中村修二和美国人修博特先后研制出了GaN (氮化镓 )蓝色发光二极管激发黄光荧光粉得到白光LED,效率不足10lm/W。 7、2000年,日亚报道了15lm/W白光LED, 8、2003年,日亚报道的光效达到60lm/W, 2006年3月,其光效达到100lm/W, 9、2006年7月,Cree公司报道了130lm/W白光LED, 10、2006年11月,日亚报道的光效达到150lm/W,其效率已经超过节能灯,实现了真正意义上的照明。 11 、2007年3月,美国CREE公司光效达到157lm/W,目前LED的效率向

7、200Lm/W前进。,载体,環氧樹脂,金線,晶粒,PIN脚,SMD LED結構介紹,1.4 LED结构,白色银胶,DIP LED結構介紹,LED晶片,用來產生反射效果,之杯狀支架陰極,(利用導電銀膠來接合),環氧樹脂透鏡,連接導線(金線),支架陽極,陰極支架短於陽極,膠體缺口 表示陰極,银胶,1.5 LED的特性,正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6IFm以下 正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.43V。在外界温度升高时,VF将下降。 在正

8、向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR1.6mm 2605sec.,e.烙鐵 30W 3003sec.,焊接:,DIP SOLDER(WAVE SOLDER):,SMT IR REFLOW:,ESD要求 LED是静电敏感器件,特别是蓝光和白光LED,其ESD等级只有几百伏。生产过程必须进行ESD防护设计。,LED包裝使用注意事項 :,1.未拆封前儲存條件:5-30 ,最大相對濕度60%. 2.袋子開封後,元件若將進行紅外線回銲、氣相回銲、或類似

9、的焊接處理,必須在 : a. 24小時內完成焊接工作. b. 儲存低於30%RH. 3.假如不符合2a或2b的條件,則元件必須烘烤. 4.若元件需烘烤,烘烤條件為:60 3 ,12小時。,LED的结温定义为LED的PN结的温度,通常芯片具有很小的尺寸,因此通常把芯片的温度等效结温。 结温高将使得LED性能变差,失效。 影响结温的因素: 1)不良的器件结构,大的串连电阻发热; 2)封装材料的热阻,大的热阻导致散热的困难,材料和导热途径; 3)发光效率低下,30的电能转化成光能,其他转化成热能; 4)环境的温度和联结材料,工艺。 降低结温与耐热封装材料是高可靠性LED的保证。,其他可靠性测试: 恒温恒湿:高温高湿测量其对高湿环境下的可靠性 高低温循环:测试LED对昼

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论