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文档简介

第八章 CMOS工艺双极型晶体管和二极管,白雪飞 中国科学技术大学电子科学与技术系,2,CMOS工艺双极型晶体管 CMOS工艺二极管,提纲,CMOS工艺双极型晶体管,4,CMOS工艺是为了制造MOS电路而优化设计的 CMOS工艺只能生成寄生双极型晶体管,其性能不及标准双极工艺或BiCMOS工艺的双极型晶体管 CMOS工艺寄生双极型晶体管在电路设计中也可以加以利用,寄生双极型晶体管,5,任何N阱CMOS工艺都可以制作衬底PNP晶体管 发射区:P型扩散 基 区:N阱 集电区:P型衬底,衬底PNP晶体管,6,(A) 采用叉指状发射区的版图 (B) 采用小接触孔大面积发射区的版图,衬底PNP晶体管版图,7,N阱CMOS工艺横向PNP晶体管 可以获得较高的增益,横向PNP晶体管,8,CMOS工艺浅阱NPN晶体管,浅阱晶体管,CMOS工艺二极管,10,PSD/N阱二极管 可用于ESD保护结构,CMOS结型二极管,11,CMOS工艺制造的PSD保护环肖特基二极管,CMOS肖特基二极管,12,匹配PSD/N阱二极管,匹配PN结二极管,本章结束,

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