LED芯片制作流程

1、LED芯片制作流程，报告内容，1 .概况2 .外延3 .晶片，LED芯片结构，MQW=多量子阱，多量子阱，LED制造流程，Sapphire蓝宝石，LED流程，LED三个流程： LED 另外，使用外延晶片制作基板外延，在使用LED基板、1.GaAs基板2.Al2O3基板3.SiC基板4.Si基板、GaAs基板、GaAs基板： LPE (液相磊晶)使红色LED生长的情况下，一般使用AlGaAs外延层优点晶格匹配，容易生长的材料光子吸收不足，蓝宝石Al2O3基板，优点化学稳定性高，不吸收可见光的价格适度的制造技术，比较不成熟的导电性能硬，导热性差，难以切断SiC基板的优点化学稳定性优异，导电性优异，

2、导热性优异， 为了开发不吸收可见光的价格高的结晶品质，如Al2O3和Si那样，吸收机械加工性差的380 nm以下的紫外光，380 nm以下的紫外LED，现在能提供国际商用的高品质SiC基板的制造商只有美国creek公司。 Si衬底，优点结晶品质高尺寸，成本低，容易加工，导电性良好的热传导性和热稳定性不足，在GaN外延层和Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，在GaN的生长过程中容易形成非晶硅，因此在Si衬底上存在龟裂和器件水平品质的硅基板光吸收大，LED的光提取效率低。 将Si基板的制造工艺、结晶生长、切片、研磨、退火、外延生长、在半导体基板上形成与基板的结晶轴同晶方向的半导体薄膜称为半导体

3、外延生长技术，将形成的薄膜称为外延层，p、n极的分离表现为元素掺杂度的不同， 外延生长方法和工艺可分为LPE (液相磊晶)、MOCVD (有机金属气相磊晶)和MBE (分子线磊晶)。 LPE技术低，主要是普通发光二极管MBE技术水平高，极薄磊晶容易生长，纯度高，平坦性好，但量产能力低，磊晶生长速度慢。 MOCVD除了纯度高、平坦性好外，量产能力和磊晶生长速度也比MBE快，所以现在多用MOCVD生产。 MOCVD，其过程首先将GaN基板放入昂贵的有机化学气相生长炉(也称为简单MOCVD、外延炉)，III、II族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化合物)蒸汽和非金属(v或VI族元素)的氢化物(或烷基

4、化合物)气体III-V或II-VI族化合物堆积在基板上，使厚度为数微米(1毫米=1000微米)的化合物半导体外延层生长。 外延层生长的GaN片通称外延片。 双流MOCVD生长GaN装置、MOCVD、MOCVD英国Thomas Swan公司制、世界先进水平的商用金属有机源气相生长法(MOCVD )材料生长系统，是以GaN为代表的第三代半导体材料的第一代-Ge、Si半导体材料的第二代-GaAs， 可以用于制造InP化合物半导体材料的第三代-SiC、金刚石、GaN等半导体材料、外延基板、绿色外延基板，为什么有间隙？ 模制作蒸发光刻薄片选别，黄光区，光刻ITO，ICP蚀刻，光刻电极，蒸镀电极，剥离，合

5、金，光致抗蚀剂，ITO，P-GaN，金电极，基板，缓冲层，N-GaN，MQW，外延浇铸、前烘焙、曝光、显影、硬膜、蚀刻、ITO氧化铟锡是Indium Tin Oxides的缩写。 作为纳米铟锡金属氧化物，具有优异的导电性和透明性，能屏蔽对人体有害的电子放射、紫外线和远红外线。 因此，喷涂在玻璃、塑料、电子显示屏上后，可以提高传导性和透明性，同时屏蔽对人体有害的电子辐射、紫外线、红外线。 浇铸：将少量的抗蚀剂滴到外延片上，用匀浆台高速旋转后形成均匀的凝胶膜。 预烘：使抗蚀剂的溶剂挥发，改善抗蚀剂和样品表面的密合性。曝光：用紫外光立体曝光时，曝光区域发生化学变化。 掩模板、光刻ITO、曝光原理图、

6、手动曝光机、显影后的图案，用蚀刻： 36%-38%的盐酸蚀刻ITO，显影：用显影液去除应去除部分的抗蚀剂，得到蚀刻时用抗蚀剂保护的图案。 后烘烤：使抗蚀剂更牢固，避免在被保护的地方腐蚀，掩模板、光电电极、显影后的图案、蒸发、剥离、合金、薄、蒸发：在芯片表面镀有金属(Au、Ni、Al等)，一般将芯片放置在高温真空下，将熔融的金属.减薄：减薄基板厚度，有利于切割、散热，激光切割，蒸发原理图，白膜：宽度16cm，粘性随着温度上升.高增加； 薄膜、激光照射到蓝宝石基板上，使用的激光为紫外光，波长为355nm。 为了更好地撕裂晶片，切割需要将激光照射到卡盘轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦到屏幕的上表面，使激光的划痕深度尽可能地为25-30um。 蓝色膜：宽度22cm的膜相反的情况下，基板朝上，有电极的面朝下。 把薄膜倒过来，在撕裂片之前给薄膜贴上玻璃纸，以免撕裂片时刀子破坏刀片。 将裂片设备、裂片