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文档简介
1、第五章不平衡载波,5.1不平衡载波生成和寿命,一,不平衡载波生成,一。光注入,波长比较短的光,在半导体上调查,电注入,3 .不平衡载波浓度的表示,生成,达到动态平衡后:n=n0n,p=p0p,n0,P0为热平衡时的电子浓度和孔浓度,n,p不是次浓度。对于相同图块材料:n=p,热平衡n0p0=ni2,非平衡NP Ni2,n类型:n-非平衡多重子系,p-非平衡子系,p类型:p-非平衡多重子系,n大注入、小注入、不平衡载体浓度、n型:,n型:P0 A5;,第二,不平衡附加电导,热平衡:不平衡时:附加电导率,n型:多个子代:子代:光源注入产生的附加光电导,不平衡载波检测、外部电阻r(样品的电阻)、外部
2、、无光时:有光时:2。不平衡载波随时间变化规律,(1)随光源时间变化,t=0,无光源,VR=0, VR,t,0,t0,添加光源,净生成, VR,t,0,半导体中的非平衡载波生存时间称为非子寿命。净复合性,3 .非子项平均寿命;t=0时停止照明;t=t时停止非子项浓度p(t);t=t时非子项浓度p(t);t时间间隔内非子项减少量:p (t)-p (t),单位时间5.2准费米水平和非平衡载流子浓度,1,非平衡状态下的准费米水平,热平衡状态下的旗标-描述电子和共点浓度的均匀费米水平,非平衡状态-引导带准费米水平价格带准费米水平,2,非平衡状态载流子浓度,1。 表达式,列平衡状态:不平衡时间:2。准费
3、米级别位置,n类型材质:略高于ef,远离EF,P类型材质:略低于EF,小于EF,n类型,EC,ev不平衡浓度乘积和平衡状态的浓度乘积、efn和EFP偏差的大小表示半导体偏离热平衡状态的程度,如果5.3不平衡载波复合消除了非子外部效应,则由于反关联的内部作用,非平衡态返回平衡状态,非磁性逐渐消失的过程。、第一、复合类型、按复合器官直接复合:EC、ev、间接复合:EC、ev、et、复合发生位置、表面复合、体内复合复合率和生成率,(1)复合率:单位时间,从单位体积合并的载波对(电子,孔对),尺寸=对(例如)/scs3,R,r NP,r=RNP,R EC,ev,et,(a),(b),e表示EC et,
4、(b),(b) 在复合正常状态下,复合中心的电子浓度,稳定时,a,b,c,ding的四个过程必须保持复合中心的电子数不变,a ding=b c,(a),(b),(b)间接复合的复合率ui和寿命I,复合达到正常状态时,un=up,a,b,un电子的净复合率,热平衡时,常识是通过复合中心复合的一般理论公式,非平衡时,nt寿命的确定取决于在复合中心对小肠腔的捕获系数rp,(2)小注入的p型材料,via的寿命取决于电子的寿命,小注入时via的寿命取决于幼崽的寿命。(3)大规模注入,4。有效的复合中心,如果:时,的最小,ui最大,位于禁止区中心的深度级别是最有效的复合中心,Et Ec的情况是,Ec,浅水
5、平为复合中心,4,表面复合-半导体表面的复合工艺,1 .表面复合系数us,us:单位时间通过单位表面积的不平衡载波;单位:个/scm2,非子数量(表面的非子浓度1/cm3);子寿命半导体形状和表面状态的影响;/S cm2,/cm3,影响表面复合体的因素和寿命表现法;(1)表面粗糙度;(2)表面积与总体积的比率;(3)表面清洁度;与化学气氛相关;考虑表面复合体后,总复合概率;(5.4陷阱效果;第一)陷阱效果的类型;(3)电子对中杂质的捕收率称为电子陷阱。对于、中的杂质,捕获鱼子酱的能力比捕获电子的能力大得多,这称为鱼子酱陷阱。(。,第二,陷阱效果分析,1 .补漏白效果的载波浓度、正常状态补漏白的
6、电子浓度nt、补漏白的非次浓度、撷取电子、电子补漏白、撷取空洞、空补漏白、2。对陷阱电子传导的间接贡献;没有陷阱时:如果有电子陷阱:3,有效陷阱效果,电子陷阱假设,rnrp,诗:非平衡载流子的扩散电流密度,空孔扩散电流密度,电子扩散电流密度,(Jp)扩展,(Jn)扩展,(Jn)扩展,第二,载流子的扩散和漂移运动,n型材料,在x方向照明,电场,shaozi cavity电流,不平衡少数派电流:x方向,不平衡气穴和平衡气穴形成的漂移电流:x方向,子电流密度:2。多子电流密度,不平衡多子形成的扩散电流:-x方向,平衡多子和不平衡多子漂移电流:x方向,多子电流密度:3。总电流密度,J=Jp Jn,3,爱因斯坦关系,考虑试主杂质浓度随x增量减少的热平衡状态的非均匀n型半导体,电子浓度no(x),电子扩散电流密度:漂移电流:平衡时电子的总电流为0,Jn子电流连续性方程的一般形式主要为:电流的流动(电流子的扩散和漂移运动)会产生体内的载流量。由于载体复合性,非亚浓度。载体,因为内部有不同的生成。以n型半导体为例,假设(1)子流通量,x,x,x x,小体积dV,横截面流入单位面积,dV,则每秒净空腔数为:sp (x)连续方程的应用,
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