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文档简介

1、一、带隙基准电压源，1，2，3，含义，原理，电路模拟，一，含义，由于基准电压源的上述特性，它在集成电路的设计中起着极其重要的作用。尤其是各种数模转换器、模数转换器、传感器芯片、检测芯片、电源管理芯片被广泛使用！基准电压源通常要求高精度和稳定性：它们不会随电源电压、温度和半导体技术而变化。目前，工业上应用最广泛的基准电压源是带隙基准电压源，几乎在大多数芯片中都可以看到！这在模拟集成电路设计的三本教科书中也有解释。半导体工艺中有正温度系数和负温度系数两种电压：负温度系数的PN结电压VBE和正温度系数的热电压VT。为了产生零温度系数电压参考信号，可以将具有负温度系数的PN结电压VBE和具有正温度系数

2、的热电压VT组合起来，从而可以获得零温度系数(ZTC)带隙电压。首先，让我们回顾一下上述两种随温度变化的电压：PN结电压、热电压、A原理，并将与绝对温度成正比变化的电压VT和与绝对温度成反比变化的电压VBE线性组合起来，以产生带隙电压参考源。因此，使用上述正负温度系数电压，我们可以设计一个令人满意的零温度系数带隙基准电压源：a，原理，接近室温：以获得零温度系数基准电压源，然后：零温度系数带隙基准电压源：a，传统基准电压源电路，从该电路可以设计，假设n=7， 让R1从图中可以看出，该参考源电路的Q2和Q1之间的电压差为：(1)，运算放大器处于深度负反馈状态，这使得运算放大器的两个输入节点的电压相

3、等。 因此，由于M1和M2的镜像效应，I1=I2，将(1)(2)代入：(2)、(3)，并将(3)与：相结合，可以从公式中推导出R2，R2暂时设为260k。舍入后，在实验中使用以下模拟电路图。在该图中，用NMOS管、PMOS管和三极管PNP管构成了原理图中的电路，其中MOS管的宽长比为10/2 m，三极管的设置面积倍数关系为7倍。图中的金属氧化物半导体晶体管都已饱和。a、实验电路模拟，当电阻R2的初始值为260k时，输出电压随温度变化的曲线。一、实验电路模拟，为了探索输出曲线的最佳温度特性，让电阻R2成为一个变量R，并给它一个变化范围，并缩小该范围以找到在相同温度范围内具有最佳温度特性的输出曲线。右边是输出曲线，r设置在200K和300K之间。从图中可以看出，当R2为260k时，曲线平缓，温度特性良好。A，实验电路模拟，将R2细分为260k左右，得到右图所示的曲线。如图所示，当R2为255k时，曲线平缓，因此当R2确定为255k时，输出曲线的温度特性最好。a、计算PPM结果，在255k电阻条件下进行模拟实验，计算PPM结果。计算器计算出的百万分率

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