物理气相沉积 CVD

1、喷涂机工艺技术，2013年6月28日，1，总结，2，1。PVD物理气相沉积(PVD)是指在真空条件下，通过物理方法将材料气化成气体原子、分子或电离，定义，沉积的基本过程，从原材料(通过蒸发、升华、溅射等)发射出的粒子。)被传输到衬底(粒子碰撞，导致电离、复合、反应、能量交换和运动方向改变)，并且粒子在衬底上凝结。成核、生长和成膜。溅射工艺简介溅射、溅射镀膜是指在真空条件下用等离子体轰击靶表面，使靶表面的原子通过碰撞能量交换获得足够的动能，从而从表面逃逸并最终沉积在衬底上的技术。基本原理，4，溅射生成过程，1。溅射工艺介绍，5。溅射特性，1。溅射工艺介绍(1)任何待镀材料都可以是1。溅射只要能制

2、成靶材；(2)溅射得到的薄膜与衬底之间的附着力良好；(3)溅射得到的薄膜纯度高，致密性好；(4)溅射过程重复性好，膜厚可控；同时，可以实现大面积涂覆；溅射有以下缺点：沉积速率低；基板温升严重。6，1。介绍磁控溅射的基本原理，溅射装置中靶附近施加一个垂直于电场的磁场，此时，电子将受到一个向心力，即洛伦兹力，在洛伦兹力和电场力的作用下，电子将被约束在靶表面附近作螺旋运动；扩展了电子在等离子体中的运动路径，提高了电子与气体分子的碰撞概率和电离过程；提高等离子体密度和沉积速率；7，并且离子密度沿着磁力线分布，因此目标将具有蚀刻图案。1。溅射工艺介绍，8。溅射成膜过程，a .成核，b .晶粒生长，c .

3、晶粒聚集，d .接缝填充，e .薄膜生长，2。溅射成膜和关键参数，9。溅射工艺参数的影响，2。溅射成膜和关键参数，10。溅射工艺参数的影响，2定义：纯铝薄膜表面在成膜过程中和退火后出现的小突起称为小丘、小丘、12、扫描电镜表面、原子力显微镜表面、穿铝保护层扫描电镜照片。小丘会刺穿绝缘层，导致绝缘失效，从而导致成品率下降。3。3 .导言溅射的常见异常，13。小丘成因分析差热分析，成膜条件：0.3帕，210瓦(DC)，100。差热分析差示扫描量热法主要用于确定铝膜表面小丘形成的温度范围。从上图可以看出，当温度升至132.76时，出现了一个强放热峰，表明此时铝膜中存在热应力。3。3 .导言溅射的常见

4、异常，14。小丘原因分析-应力分析，成膜条件：0.4帕，110瓦(DC)。从上图可以看出，在膜的弹性变形中，膜的应力从拉伸应力线性变化到压缩应力，当压缩应力达到膜的屈服点(190)时，膜产生突起以释放膜的压缩应力。薄膜中产生小丘的主要原因是为了减轻薄膜的应力。，3。喷雾机常见异常介绍，15。靶的局部散热不均匀，导致基板上的熔滴，夹具，飞溅，原因，氩气，3。喷雾机常见异常介绍，16。圆顶型、机翼型、AOI检查图，3。喷雾机常见异常介绍，17。结节，氧化铟锡靶表面突起。3.喷雾机常见异常介绍，18。结节的形成和增殖，电弧，3。喷雾机常见异常介绍，19，4。喷涂机工艺的应用，喷涂机在LTPS的应用、20。喷涂机工艺对特性、膜厚和均匀性的影响导致刻蚀工艺的均匀性差，局部带角过大，后续膜的覆盖率差。膜表面电阻对膜表面电阻的影响过大，会导致栅极线和数据线的电压降较高，影响薄膜晶体管的工作；4。喷雾机过程的应用，粒子控制，21。等离子体的影响。溅射的等离子体会损坏薄膜层，并且可能会有额外的电荷残留导致Ioff上升(天线效应)。经过M1和M2的高温修复，钝化后的Ioff值很小；铟锡氧化物沉积后，铟锡氧化物含量增加，退火后略有下降。氧化铟锡前、氧化铟锡后和氧化铟锡溅