场效应管分类与特点_第1页
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文档简介

1、场效应晶体管的分类和特征，发表者：王宇浩，什么是场效应晶体管？ 场效应晶体管(FET )简称为场效应晶体管。 许多载流子参与导电，也被称为单极型晶体管。 是电压控制型半导体装置。 具有输入电阻高(1071015 )、噪声小、功耗低、动态范围大、容易集成、没有二次破坏现象、安全工作区域宽等优点。 目录，1 .场效应晶体管的作用2 .场效应晶体管的分类3 .场效应晶体管的工作原理3.1 PN结3.2结型场效应晶体管3.3绝缘栅极场效应晶体管、g栅极、d漏极、s源极、场效应晶体管的2 .场效应晶体管的高输入阻抗非常适合于阻抗转换. 3 .场效应晶体管可以用作可变电阻。 4 .场效应晶体管可以方便地用

2、作恒流源。 5 .场效应晶体管可用作电子开关。 场效应晶体管的分类根据沟道材料分为n沟道和p沟道两种。 导电方式：耗尽型和强化型，结型场效应晶体管都是耗尽型，绝缘栅型场效应晶体管有耗尽型和强化型。 场效应晶体管、结型场效应晶体管、绝缘栅极型场效应晶体管、p沟道结型场效应晶体管、n沟道结型场效应晶体管、n沟道场效应型、p沟道场效应型、n沟道场效应型、p沟道电场添加了少量杂质硼元素(或铟元素)的硅结晶(或锗结晶)、添加了少量杂质磷元素(或锑元素)的硅结晶(或锗结晶)、多子扩散、少子漂移、多孔、多电子，结型场效应晶体管、基本构造和符号如图(a )所示，在一片n型硅半导体的两侧形成两个p型区域，形成两个PN结，连接两个p型区域并引出一个电极，称为栅极，用文字g (或g )表示。 (a )结构(b) N通道结型场效应晶体管的符号(c) P通道结型场效应晶体管符号、工作原理、栅极和源极间施加逆电压UGS，使PN结反向偏置时，通过改变UGS的大小来改变耗尽层的宽度当逆电压的值UGS变大时，耗尽层扩大，导电沟道的宽度相应地减少，沟道自身的电阻值变大，漏极电流ID减少。 因此，可

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